型号 MDD3754RH丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 MDD3754RH是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为40V，最大电流为65A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2. 电动工具 可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。3. 高功率负载开关模块 适用于高功率负载开关和电源控制。总之，MDD3754RH适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和高功率负载开关模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 40V
- 最大电流 65A
- 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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