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电子发烧友网>模拟技术>英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列

英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列

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2015-03-02 17:37:381391

英飞凌推出OptiMOS 5 25V和30V产品家族,能效高达95%以上

2015年3月24日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今日推出OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET
2015-04-01 14:06:081313

Diodes 40V车用MOSFET适用于电机控制应用

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C,非常适合在高温环境下工作。
2016-03-23 11:41:391070

HiperLCS™产品系列_集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器

LCS700-708 HiperLCS™产品系列集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器
2016-11-23 11:00:160

这趟“高效节能”车没有老司机,全靠英飞凌功率技术带你飞!

什么样的MOSFET才适合储能系统?英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET产品系列,帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014

HITTITE公司推出业界领先的商用DRO产品系列

HITTITE公司推出业界领先的商用DRO产品系列
2021-05-25 08:29:536

40V转5V 40V转3.3V 40V转3V降压芯片和LDO芯片

40V转5V 40V转3.3V 40V转3V降压芯片和LDO芯片(通信电源技术 官网)-40V转24V,40V转20V,40V转15V ,40V转12V,40V转9V,40V转5V,40V转3.3V,40V转3V,40V转1.8V,40V转1.2V.
2021-09-15 12:56:2714

英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过技术革新,为高开关频率应用树立全新行业标杆

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念, 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161651

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914

什么是OptiMOS MOSFET

OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标,有多种耐压、RDS(on)、封装,适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一,特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053321

使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计

使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785

英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758

英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10601

安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规全部测试

安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装的MOSFET器件的产品阵容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12519

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45210

纳芯微推出首款40V/单通道90mΩ智能低边开关NSE11409系列

元件。 NSE11409是40V/单通道90mΩ智能低边开关, 具备完整的诊断与保护功能,芯片内置>45V的过压钳位,特别适用于驱动继电器和阀
2022-10-27 13:42:50

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