--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:MMSF7P03HDR2G-VB
丝印:VBA2333
品牌:VBsemi
参数说明:
- **P沟道:** 该器件是一种P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。
- **工作电压(VDS):** -30V,表示MOSFET的耐压上限,负值表示器件是P沟道。
- **持续电流(ID):** -6A,表示MOSFET可以承受的最大电流。负值表示电流方向与N沟道MOSFET相反。
- **导通电阻(RDS(ON)):** 40mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V,20Vgs(±V),表示MOSFET在导通状态时的电阻,这两个值分别对应不同的栅极电压。
- **阈值电压(Vth):** -1.5V,表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。负值表示电压极性相反。
- **封装:** SOP8,这是MOSFET的封装类型。
应用简介:
P沟道MOSFET通常用于多种功率电子应用,包括但不限于:
1. **电源开关:** 用于电源开关应用,如开关模式电源供应器和电源管理单元,以控制电流和电压。
2. **电池保护:** 用于电池保护电路,以防止电池充电或放电时的电流过大。
3. **电源逆变器:** 用于逆变器应用,将直流电转换为交流电,通常在太阳能逆变器和UPS系统中使用。
4. **电机驱动:** 用于电机控制应用,包括电机驱动器和电动车辆控制。
5. **LED驱动器:** 用于LED照明应用,以实现高效的LED灯光控制。
这种P沟道MOSFET适用于需要P沟道器件的电子电路,它能够提供可靠的电流控制和开关性能,通常用于功率电子领域以提高效率和性能。
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