--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**HM70P04K-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** HM70P04K-VB
- **丝印:** VBE2412
- **封装:** TO252
- **类型:** P-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级:** -40V
- **电流等级:** -65A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值(Vth):** -1.6V
**应用简介:**
HM70P04K-VB 是一款 TO252 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET。具有负电压(-40V)和高电流容量(-65A),适用于高功率电子模块。
**应用领域:**
1. **电源模块:** 用于反激式电源和稳压器,提供高效率的电源转换。
2. **电机控制:** 作为电机驱动器的一部分,实现对高功率电机的有效控制。
3. **开关电路:** 用于高功率的开关电路,如开关电源和逆变器。
**作用:**
- 提供高效率的电源转换。
- 实现对高功率电机的有效控制。
- 在高功率的开关电路中使用,支持开关电源和逆变器。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的电压和电流限制,以免损坏器件。
2. **散热:** 在高功率应用中,需要适当的散热措施,确保器件在正常工作温度范围内。
3. **防静电措施:** 在处理和安装过程中采取防静电措施,以防止静电放电对器件造成损害。
以上为简要说明,具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。
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