--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: D2P02-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- -30V
- -7A
- RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- Vth=-1.5V
封装: SOP8
详细参数说明:
D2P02-VB是一款双P-Channel沟道功率MOSFET,工作电压为-30V,最大电流为-7A。其静态漏极-源极电阻(RDS(ON))在10V和20V的场效应管栅极电压下均为35mΩ,适用于低压降、高效能的应用场景。阈值电压(Vth)为-1.5V,具有优秀的驱动特性。
应用简介:
D2P02-VB适用于多个领域和模块,主要应用包括:
1. 电源管理模块: 在电源管理系统中作为功率开关元件,用于开关电源、DC-DC转换器等模块,实现高效的能量转换。
2. 电池保护模块: 在电池管理系统中,作为电池保护模块的功率开关元件,实现对电池的有效保护和管理。
3. 电动汽车充电桩: 用于电动汽车充电桩中的功率开关模块,确保充电过程的高效率和可靠性。
4. LED照明控制: 在LED照明驱动器和控制模块中使用D2P02-VB,实现对LED灯光的精确调节和控制。
举例说明:
- 电源管理模块: D2P02-VB可用于开关电源、DC-DC转换器等模块,实现高效的能量转换。
- 电池保护模块: 将D2P02-VB应用于电池管理系统中的保护模块,实现对电池的有效保护和管理。
- 电动汽车充电桩: 在电动汽车充电桩中使用D2P02-VB作为功率开关模块,确保充电过程的高效率和可靠性。
- LED照明控制: 在LED照明驱动器和控制模块中使用D2P02-VB,实现对LED灯光的精确调节和控制。
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