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Littelfuse推出800V N沟道耗尽型MOSFET CPC3981Z

力特奥维斯Littelfuse 来源:力特奥维斯Littelfuse 2023-10-18 09:13 次阅读

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用

Littelfuse公司宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、

45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET

耗尽型MOSFET CPC3981Z

与标准SOT-223封装相比,这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。爬电距离延长有利于开关模式电源设备(SMPS)或功率因数校正(PFC)启动电路等更高电压应用,因为设计人员可以避免昂贵的保形涂料或灌封。

CPC3981Z的主要区别在于其改进型SOT-223-2L封装,使设计人员能够利用小型分立器件满足更高电压应用所需的延长爬电距离。由于爬电距离更大,CPC3981Z提高了电路的可靠性,并有助于节约成本。CPC3981Z的800V额定阻断电压使其成为工业、能源、电信和LED照明应用的理想选择,包括:

常开开关,

电源,

启动电路,

固态继电器,

电流调节器,以及

恒流源

耗尽型MOSFET引脚之间增加的距离简化了宽输入电压电源的隔离管理,并支持紧凑的印刷电路板布局。

Littelfuse集成电路MCU产品管理总监Mark P. Smith表示:“Littelfuse很荣幸能够提供业界最广泛的耗尽型MOSFET产品组合之一,CPC3981Z进一步巩固了我们的地位。这是我们低成本耗尽型MOSFET系列的新成员,采用新型SOT-223-2L封装,对于要求高达800V宽输入电压范围的应用来说,是绝佳解决方案。”

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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原文标题:[新品介绍]改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET

文章出处:【微信号:Littelfuse_career,微信公众号:力特奥维斯Littelfuse】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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