型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.76Vth 封装 TO252应用简介 SQD50P0615LGE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为60V，最大电流为50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高功率DCDC转换器、逆变器和电池管理系统等。2. 高效功率开关模块 可用于高功率负载开关和电源控制器。3. 电动工具 适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SQD50P0615LGE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 50A
- 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.76Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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