型号：50P06-VB
丝印：VBE2625
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道 MOSFET
- 额定电压：-60V
- 最大持续电流：-50A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V, 25mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V
- 阈值电压 (Vth)：-1.76V
封装：TO252
详细参数说明：
50P06-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计。它的额定电压为-60V，可以持续承受高达-50A的电流。该MOSFET具有卓越的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为20mΩ，而在4.5V电压下为25mΩ。这低的电阻有助于减小功耗和热量，使其适用于需要高效能耗的应用。
50P06-VB的门源极电压（Vgs）范围广泛，最大可达±20V，具有良好的控制特性。其阈值电压（Vth）为-1.76V，可在不同应用中实现精确的控制。
应用简介：
50P06-VB广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**：该MOSFET适用于低电压电源管理，用于电池管理、充电和放电控制，以及功率因子校正。
2. **电机驱动**：由于其高电流承受能力，可用于电机控制，如电动汽车电机控制、工业电机驱动等。
3. **DC-DC变换器**：50P06-VB的低导通电阻和高效性能使其成为DC-DC变换器的理想选择，可用于电源适配器和能量转换器。
4. **电源开关**：适用于各种类型的电源开关，如电源开关模块（PSU）和逆变器。
综上所述，50P06-VB是一款多功能的P沟道MOSFET，适用于各种低电压、高电流的应用，为电源管理、电机控制和DC-DC变换器等模块提供高性能和可靠性的解决方案。
