东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。

自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGL封装（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。

与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM（W）封装产品[2]相比，S-TOGL封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM（W）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的DPAK＋封装（6.5mm×9.5mm[1]）产品，从而实现了大电流。总体而言，S-TOGL封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。

由于汽车设备可能在极端温度环境下工作，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGL封装采用鸥翼式引脚，可降低表贴应力，提高焊点的可靠性。

当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。

东芝将继续扩展其功率半导体产品线，并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。

应用

汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等

特性

新型S-TOGL封装：7.0mm×8.44mm（典型值）

高额定漏极电流：

XPJR6604PB：ID＝200A

XPJ1R004PB：ID＝160A

AEC-Q101认证

提供IATF 16949/PPAP[4]

低导通电阻：

XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V）

XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V）

主要规格

审核编辑：汤梓红