、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS
2022-06-24 09:57:45
1547 
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231141 飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403，该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:04971 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32:46505 
OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:20:371482 英飞凌科技再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
2022-03-02 14:07:131887 
近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步
2022-08-29 15:08:57879 
最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 
。前端降压转换器 (TPS65320-Q1) 能够支持 4.5V 冷启动情况。主要特色宽输入电压范围：6.0V - 40V，可承受启动/停止和负载突降情况单片高压开关稳压器包含一个 40V 集成开关、一个
2018-08-09 07:16:19
`描述此参考设计是来源于汽车电池的完整车用 USB 充电器解决方案。此设计采用 9V 到 40V 的直流输入来生成 5V/2.1A 的输出，适用于智能手机和平板电脑。特性适用于汽车应用的完整 USB
2015-04-22 14:11:49
本帖最后由 深圳市巴丁微电子 于 2016-11-7 15:51 编辑
BD8153是一款由深圳市巴丁微电子有限公司推出的输入耐压可达40V的降压式DC/DC驱动电路，能够实现精确的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
40V的SL3061，内置MOS，电流能力2.5A，可以替代芯龙XL1509系列
随着科技的不断进步，电力电子技术也在不断发展。在电力电子领域中，功率MOS管是一种非常重要的元器件。它具有高频率
2023-11-13 15:24:19
1,LDO线性稳压芯片40V输入，降压转5V,3.3V,3V的话，由于先天条件，输入和输出压差太大，只适合几十MA电流输出供电的应用，如MCU，蓝牙模块等等其他。LDO可参考PW8600，输入电压
2020-11-20 09:46:42
40V转5V，40V转3.3V，40V转3V降压芯片和LDO芯片 1,LDO线性稳压芯片40V输入，降压转5V,3.3V,3V的话，由于先天条件，输入和输出压差太大，只适合几十MA电流输出供电
2020-10-16 11:10:54
描述40v树莓派电压调节帽直接连接到汽车电池时，您的树莓派是否无法工作？好吧，它不再起作用了，但是使用这顶帽子，您可以在电压高于 5v 的情况下运行新的树莓派！工作电压高达 40v（我已经测试过），这意味着您可以将其从汽车甚至卡车电池中运行，而不会损坏您的树莓派！PCB
2022-07-14 07:44:28
7~40V转5V DC降压电路
2017-03-31 23:37:51
描述 采用 LM14050 和 LMZ20502 的 7V 至 40V 宽输入 3 输出 SIMPLE SWITCHER® 参考设计
2018-09-05 08:55:17
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
新一代汽车产品发展趋势汽车已经问世100多年了，但直到无线手机时代，移动连接才真正兴起。当前，移动手机和其它便携式设备的功能变得日益丰富，而消费者的期望也在不断变化。例如，便携式媒体设备(PMD
2010-03-10 17:05:27
导读：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式开关电源--CUT75系列产品。CUT75系列新品是伴随着市场对更轻薄、更高效率，更高性价比的三路输出开关电源的需求而问世，为客户系统的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代军用通信系统挑战
2021-03-02 06:21:46
本文介绍了欧胜微电子公司最新一代音频数字-模拟转换器(DAC)的架构，专注于设计用于消费电子应用中提供高电压线驱动器输出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
) 或电动汽车 (EV) 牵引逆变器系统。40V 最低输入电压支持来自牵引电机的可再生制动的功能安全测试。该参考设计实现了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，该器件具有用于降低开关损耗的高阻断
2018-10-15 14:56:46
，英飞凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的开发工作。 与OptiMOS™3技术直接比较，结果表明，新一代MOSFET不仅可极大地降低通态电阻RDS(on)，还可大幅改进开关特性。 阻断电压为
2018-12-06 09:46:29
ANADIGICS, Inc.日前推出了3种面向新一代支持WiFi功能的智能手机和消费类电子产品的采用薄型(low-profile)标准封装的前端集成电路(FEIC)。 AWL9230
2018-08-27 16:00:11
20世纪60年代末就提出了IGBT的构想，但直到20世纪80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”（PT）工艺，开关频率可以达到15 kHz，但当多个这样的器件并联时，集电极
2018-12-03 13:47:00
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P对管
2011-04-15 11:51:00
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
概述：MAX1553能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSFET开关，可提高效率、延长电池寿命。
2021-04-21 07:38:25
概述OC5820 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压型开关模式转换器。OC5820 在6-40V 宽输入电源范围内实现 2.5 A 峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
Hiroaki Nishimoto表示：“我们非常荣幸地推出新一代智能IPTV机顶盒，新产品的智能功能和高性能可满足IPTV服务和完美用户体验的技术要求。新一代StreamCruiser® SmartTV
2013-09-22 11:35:00
Hiroaki Nishimoto表示：“我们非常荣幸地推出新一代智能IPTV机顶盒，新产品的智能功能和高性能可满足IPTV服务和完美用户体验的技术要求。新一代StreamCruiser® SmartTV
2013-11-08 10:36:06
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ：SPSN）与专注于为互联网数据中心提供节能、可拓展系统解决方案的创新者 Virident 宣布共同开发和推出新一代存储解决方案。专为
2019-07-23 07:01:13
`TI新一代5V无线充电发射、接收芯片 bq500211、bq51013简介 德州仪器推出首款符合 Qi 标准的 5V 无线电源发送器;新一代电源电路促进 USB 连接无线充电板普及日前，德州仪器
2013-02-21 10:55:57
近日，山特电子（深圳）有限公司（以下简称山特）宣布，将推出新一代城堡EX系列
2010-04-27 16:25:36
/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。演讲內容介紹：英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个
2012-07-13 10:50:22
SEED-HPS6678(HPS6678)是北京艾睿合众科技有限公司新推出的新一代高端DSP+FPGA应用方案。DSP采用TI公司首颗最高主频为10GHz的8核浮点DSP芯片TMS320C6678
2019-09-24 08:29:12
概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全保护
2022-06-10 15:16:08
大联大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飞凌汽车LED大灯驱动解决方案，不同于传统白炽灯需要恒定直流电源供电，而且需要一系列保护功能和状态回馈，LED将让汽车照明更有效率且具有更多优势
2018-12-12 09:50:04
▄▅ TEL：135-3012-2202 ▄▅ QQ：8798-21252 ‖‖回收英飞凌ic ,回收英飞凌汽车ic，专业回收英飞凌ic，库存英飞凌汽车ic高价回收，汽车库存芯片专业回收，大量
2021-05-15 15:24:55
大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌(Infineon)驱动芯片TLE986x、TLE987x 的车载智能电机驱动和控制解决方案。随 着汽车电子的发展，智能电机在汽车电子系统的应用也越来越广泛
2018-12-12 09:48:42
12月7日下午，奇虎360特供机官方微博承认将与诺基亚合作，推出新一代 360 特供机。诺基亚和奇虎 360安全卫士官方微博也随后转发此微博，证实合作的可能性。奇虎360和诺基亚此次合作极为保密
2012-12-09 17:40:48
新一代数据中心有哪些实践操作范例？如何去推进新一代数据中心的发展？
2021-05-25 06:16:40
德州仪器（TI）推出新一代KeyStone II架构
2021-05-19 06:23:29
产品概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46
斯巴鲁近日宣布将从明年起运用其新一代EyeSight安全系统，并在10月2日首先透露了新一代产品的细节。
2020-08-26 07:28:47
范围、低VIN引脚静态电流（突发工作模式下）以及用于同步MOSFET的100%占空比能力（直通工作模式下，VIN ≥ VOUT），使其非常适合通用升压和汽车预升压应用。LT8336集成了40V、2.5A
2020-08-28 10:06:36
`描述此降压同步直流/直流解决方案从 40V/42V 输入提供 5V 输出 (@20A)，可实现最大效率。特性带有集成同步栅极驱动器的 TPS40170 控制 IC低栅极电荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
想用运放实现1~-40V的脉冲电源，1到-40V的时间为2us，计算SR至少要求63V/us，看了下几款车规级高压运放，请问下使用LT1010可以实现吗？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
谢谢！
2023-11-13 14:20:54
达100A的电流处理能力等特性，使该系列产品在40至80V电压等级的低电阻MOSFET应用方面树立了全新的标准。OptiMOS 3产品用于要求高效率和高功率密度的功率转换和电源管理系统，应用范围广泛
2018-12-07 10:23:12
苏州天弘激光推出新一代激光晶圆划片机  
2010-01-13 17:18:57
请问怎么把函数发生器20v的PWM波升到40v呢？
2019-07-08 15:24:00
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
研华科技最新推出新一代串口上网服务器
近日，研华科技宣布最新推出新一代8/16 口串口上网服务器-EDG-4508+/4516+系列产品，它基于全
2009-06-12 10:32:43876 英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 新唐科技推出新一代LPC 8051 MCU
新唐科技(Nuvoton Technology)推出新一代小型封装SSOP20-N79E825与N79E824产品，继低接脚LPC整合型单片机系列后，进一步满足客户在更小体积的要
2009-11-24 08:31:241270 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57828 英飞凌推出新一代多模HSPA+射频收发器SMARTiTM UE2
英飞凌科技股份公司宣布推出SMARTiTM UE2的样品。SMARTiTM UE2是适用于移动设备的新一代多带HSPA+/EDGE/GPRS射频收发器。它的
2010-02-02 09:38:34961 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 三菱电机推出新一代功率半导体模块
三菱电机株式会社推出新一代功率半导体模块：第6代NX系列IGBT模块。第6代NX系列IGBT模块用于驱动一般工业变频
2010-03-24 18:01:351137 基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22558 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)近日宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的40V至100V汽车专用MOSFET组合。新系列MOSFET适合传统内燃机(ICE)平台以及微型混合动
2010-12-24 09:20:501049 士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品
2011-03-28 09:20:221537 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381391 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C，非常适合在高温环境下工作。
2016-03-23 11:41:391070 英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管
2016-11-14 14:51:361390 高通宣布了正式推出新一代骁龙穿戴3100平台，这是面向新一代智能手表的移动芯片。
2018-09-12 14:35:435879 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范
2019-01-25 07:15:01511 
40V转5V 40V转3.3V 40V转3V降压芯片和LDO芯片(通信电源技术 官网)-40V转24V，40V转20V，40V转15V ，40V转12V，40V转9V，40V转5V，40V转3.3V，40V转3V，40V转1.8V，40V转1.2V.
2021-09-15 12:56:27
14 ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念， 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381073 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053321 使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785 
40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-13 19:19:530 采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12519 电子发烧友网站提供《面向汽车和工业应用的40V输入、3.5A Silent Switcher μModule稳压器.pdf》资料免费下载
2023-11-23 09:39:280 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297
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