--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi FDFS2P106-NL-VB MOSFET芯片**
- **丝印:** VBA4658
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 2个P沟道MOSFET管,额定电压-60V,最大电流-5.3A
- 开通电阻为58mΩ(@VGS=10V, VGS=20V)
- 门极阈值电压(Vth)范围为-1~-3V
- **封装:** SOP8
**详细参数说明:**
VBsemi FDFS2P106-NL-VB是一款搭载了两个P沟道MOSFET管的芯片。其主要技术参数包括额定电压-60V,最大电流-5.3A,以及开通电阻为58mΩ(@VGS=10V, VGS=20V),门极阈值电压(Vth)范围为-1~-3V。此外,该芯片采用SOP8封装,方便在电路板上进行安装和布局。
**应用简介:**
VBsemi FDFS2P106-NL-VB芯片适用于多个领域的电路设计,例如:
1. **电源管理模块:** 由于其P沟道MOSFET的特性,可用于逆变器、稳压器等电源管理模块中,确保电源输出的稳定性和效率。
2. **电动车充电器:** 适用于电动车充电器中的功率控制和电源管理功能,保证充电过程的安全性和高效性。
3. **LED照明系统:** 可用于LED照明系统中的电源管理和驱动电路,提供稳定的电源输出和功率控制。
4. **工业自动化:** 适用于工业控制系统中的开关电源、电机驱动等电路,提供可靠的功率控制和电源管理。
综上所述,VBsemi FDFS2P106-NL-VB芯片在功率控制和电源管理领域具有广泛的应用前景,为各种电路设计提供了可靠的解决方案。
为你推荐
-
STN3400A-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:19
产品型号:STN3400A-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN3400AS-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:18
产品型号:STN3400AS-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2342-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:16
产品型号:STN2342-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2302-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:08
产品型号:STN2302-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2302S-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:07
产品型号:STN2302S-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:03
产品型号:STN2300-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300S-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:02
产品型号:STN2300S-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300AS-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:01
产品型号:STN2300AS-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STM8601-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管2024-04-09 16:59
产品型号:STM8601-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel -
STM8501-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管2024-04-09 16:58
产品型号:STM8501-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel