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用于雷达100W LDMOS晶体管ILD2731M140和I
- 雷达(123163)
- LDMOS(26304)
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MAX2601/MAX2602是针对便携式蜂窝和无线设备应用优化的射频功率晶体管，采用三节镍镉/镍氢电池或一节锂离子电池供电。当针对恒定包络应用（例如FM或FSK）进行偏置时，这些晶体管可使
2025-03-19 11:38:14862
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MAX2601 3.6V、1W RF功率晶体管，适合900MHz应用技术手册
MAX2601/MAX2602是针对便携式蜂窝和无线设备应用优化的射频功率晶体管，采用三节NiCd/NiMH电池或一节锂离子电池供电。当针对恒定包络应用（例如FM或FSK）进行偏置时，这些晶体管可使
2025-03-19 11:33:39854
854晶体管栅极结构形成
栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加电压控制源漏极之间的电流通断。例如，在MOS管中，栅极电压的变化会在半导体表面形成导电沟道，从而调节电流的导通与截止。
2025-03-12 17:33:202746
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晶体管电路设计（下） [日 铃木雅臣]
本书主要介绍了晶体管，FET和Ic，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随电路的设计，FET低频功率放大器的设计和制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈行型op放大器的设计与制作
2025-03-07 13:55:19
晶体管电路设计（上）[日 铃木雅臣]
本书主要介绍了晶体管和FET的工作原理，放大电路的工作，增强输出的电路，小型功率放大器的设计与制作，功率放大器的设计与制作，拓宽频率特性，视频选择器的设计和制作，渥尔曼电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，op放大器电路的设计与制作等
2025-03-07 13:46:06
氮化镓晶体管的并联设计技术手册免费下载
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103
1103晶体管电路设计与制作
这本书介绍了晶体管的基本特性，单管电路的设计与制作， 双管电路的设计与制作，3~5管电路的设计与制作，6管以上电路的设计与制作。书中具体内容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，单管反相放大器，双管反相放大器，厄利效应，双管射极跟随器等内容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3135超高频匹配对晶体管应用笔记
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互补双极UHF-1X工艺制造的超高频晶体管对，NFN晶体管的fT为8.5CHz，而FPNP晶体管的为7CHz。这两种类型都表现出低噪声，使其
2025-02-26 09:29:07866
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HFA3134超高频晶体管应用笔记
HFA3134 和 HFA3135 是超高频晶体管，采用 Intersil Corporation 的互补双极 UHF-1X 工艺制造。NPN 晶体管的 fT 为 8。5GHz，而 PNP 晶体管
2025-02-25 17:26:35897
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HFA3127超高频晶体管阵列应用笔记
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 17:19:09953
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HFA3096超高频晶体管阵列应用笔记
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:15:33859
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HFA3046超高频晶体管阵列应用笔记
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:05:09826
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鳍式场效应晶体管制造工艺流程
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应，从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文将从硅底材开始介绍FinFET制造工艺流程，直到鳍片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600
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英集芯IP5385用于移动充电宝的30W到100W大功率快充电源管理芯片
英集芯IP5385是一款专为移动电源，充电宝，户外应急电源、平板电脑、手机、手持电动工具等便携式设备设计的30W到100W大功率快充电源管理SOC芯片。
2025-02-13 10:21:191282
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金刚石基晶体管取得重要突破
金刚石场效应晶体管 (Vth （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820
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互补场效应晶体管的结构和作用
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA
2025-01-24 10:03:514437
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Nexperia发布BJT双极性晶体管应用手册
经典的双极性晶体管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大约100年的历史，可追溯到Julius E Lilienfeld进行的开创性研究，它构成了现代
2025-01-10 16:01:501488
1488日本开发出用于垂直晶体管的8英寸氮化镓单晶晶圆
1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356
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