数字晶体管MUN2234等系列产品介绍

在电子电路设计中，合理选择晶体管至关重要，它关乎着电路的性能、成本和空间利用。今天就来为大家详细介绍ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3这一系列数字晶体管。

文件下载：onsemi NPN双极数字晶体管.pdf

产品概述

这一系列数字晶体管属于NPN晶体管，内置了 $R1 = 22k\Omega$，$R2 = 47k\Omega$ 的单片偏置电阻网络。其设计初衷是替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）将单个晶体管与由两个电阻（串联基极电阻和基极 - 发射极电阻）组成的单片偏置网络集成在一起，把原本多个独立的组件整合到一个器件中，既降低了系统成本，又节省了电路板空间。

引脚连接

产品特性

简化电路设计

将偏置电阻网络集成到晶体管中，减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁，降低了设计难度和复杂度。大家在设计电路时，是不是会因为过多的外部元件而感到头疼呢？而这款产品就很好地解决了这个问题。

减少电路板空间

集成化的设计使得电路板上需要布置的元件数量减少，从而节省了宝贵的电路板空间，对于追求小型化的电子产品设计来说非常友好。

降低元件数量

减少了电阻等外部元件的使用，不仅降低了成本，还提高了电路的可靠性，减少了因元件故障带来的风险。

满足特定应用需求

带有S和NSV前缀的产品适用于汽车等对场地和控制变更有特殊要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。

环保合规

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	VcBO	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	VCEO	50	Vdc
集电极连续电流	Ic	100	mAdc
输入正向电压	VIN(fwd)	40	Vdc
输入反向电压	VIN(rev)	8	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。大家在使用时一定要严格遵循这些参数限制。

热特性

不同封装的产品热特性有所不同，例如SC - 59封装的MUN2234，总器件耗散功率在 $TA = 25^{\circ}C$ 时为230 - 338mW，热阻等参数也有相应的规定。具体的热特性参数可参考文档中的表格，在设计散热方案时，这些参数是非常重要的依据。

电气特性

关断特性

包括集电极 - 基极截止电流、集电极 - 发射极截止电流等参数，这些参数反映了晶体管在关断状态下的性能。例如，集电极 - 基极截止电流（VcB = 50V，IE = 0）最大为100nAdc。

导通特性

如直流电流增益、集电极 - 发射极饱和电压等。直流电流增益（Ic = 5.0mA，VcE = 10V）典型值为150。这些参数对于评估晶体管在导通状态下的性能至关重要。

产品订购信息

该系列产品有多种封装可供选择，如SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323等，并且都采用无铅封装，以卷带形式包装，每卷数量根据不同产品有所不同，一般为3000或8000个。具体的订购信息可参考文档中的表格。

典型特性曲线

文档中给出了 $V_{CE(sat)}$ 与IC、直流电流增益等典型特性曲线，这些曲线直观地展示了晶体管在不同工作条件下的性能变化，对于工程师进行电路设计和性能评估非常有帮助。大家可以根据这些曲线来优化电路设计，以满足实际应用的需求。

机械尺寸

详细介绍了不同封装的机械尺寸，包括SC - 70（SOT - 323）、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等，还给出了推荐的焊接 footprint。准确的机械尺寸信息对于电路板的布局和焊接工艺设计至关重要，大家在设计电路板时一定要仔细参考这些尺寸。

总的来说，ON Semiconductor的MUN2234等系列数字晶体管具有集成度高、性能优良、环保合规等优点，是电子工程师在电路设计中的不错选择。在实际应用中，大家可以根据具体的需求，结合产品的参数和特性，合理选择合适的产品和封装。希望这篇文章能对大家的电路设计工作有所帮助。大家在使用这些产品的过程中遇到过什么问题吗？欢迎在评论区留言分享。