onsemi NST807通用PNP晶体管专为通用开关和放大器应用而设计。onsemi NST807具有高性能和高可靠性，适用于低功耗电路、信号处理和一般电子应用。该晶体管的最大集电极-发射极电压（V CE ）为40V，最大集电极电流（I C ）为3A，为各种设计提供了多功能性。NST807的饱和电压低，开关速度快，通常被用于高效电路。此外，DFN1010-3封装小巧，可实现节省空间的设计，使NST807成为消费电子、汽车和工业应用的绝佳选择。该设备的设计旨在提供稳健的性能，其明确的特性曲线可确保在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

数据手册：*附件：onsemi NST807通用PNP晶体管数据手册.pdf

特性

• XDFNW3用于优化自动光学检测（AOI）的可润湿侧面封装
• NSV前缀适用于汽车和其他需要独特的现场和控制变更要求的应用，AEC-Q101合格并可进行PPAP生产
• 湿度灵敏度（MSL）为1级
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

原理图

NST807 通用PNP晶体管技术特性与应用分析

一、器件概述

‌NST807CMTW‌ 是一款采用DFN1010-3封装的高性能通用PNP晶体管，具有45V耐压和500mA连续电流能力。该器件专为表面贴装应用设计，在空间受限和高可靠性要求的场景中表现优异。

二、关键参数详解

1. 极限额定值

• ‌集电极-发射极电压‌：VCEO = -45V
• ‌集电极-基极电压‌：VCBO = -45V
• ‌发射极-基极电压‌：VEBO = -5.0V
• ‌连续集电极电流‌：IC = 500mA
• ‌峰值集电极电流‌：ICM = 1.0A

2. 热特性参数

• ‌总功耗‌：PD = 350mW @ TA = 25℃
• ‌热阻‌：RθJA = 145℃/W
• ‌工作温度范围‌：-65℃ 至 +150℃

3. 电气特性亮点

关断特性

• ‌集电极-发射极击穿电压‌：V(BR)CEO = -45V
• ‌集电极-基极击穿电压‌：V(BR)CBO = -45V
• ‌集电极-基极截止电流‌：ICBO ≤ -100nA

导通特性

• ‌直流电流增益‌：hFE = 250-600 @ IC = -100mA
• ‌集电极-发射极饱和电压‌：VCE(sat) ≈ -0.70V
• ‌基极-发射极开启电压‌：VBE(on) ≈ -1.2V

小信号特性

• ‌过渡频率‌：fT = 360MHz
• ‌输出电容‌：Cobo = 6pF
• ‌噪声系数‌：NF = 0.79dB @特殊测试条件

三、性能优势分析

1. 封装创新

‌可润湿侧翼封装‌设计使得器件在自动光学检测(AOI)中具有优势，提高了生产良率。

2. 温度适应性

在不同温度下（-55℃至+150℃）保持稳定的电流增益特性，如典型特性曲线所示：

• 低温环境：增益略有提升
• 高温环境：增益适度下降
• 在25℃时典型增益保持在574

3. 开关性能

• ‌延迟时间‌：td = 10ns
• ‌上升时间‌：tr = 14ns
• ‌存储时间‌：ts = 300ns
• ‌下降时间‌：tf = 51ns

四、典型应用场景

1. 汽车电子

得益于AEC-Q101认证，NSV前缀版本适用于：

• 车身控制模块
• 传感器接口电路
• 电源管理应用

2. 消费电子

• ‌音频放大器‌：利用其优良的线性特性
• ‌电源开关‌：饱和电压低，功耗小
• ‌信号调理‌：高过渡频率支持宽带应用

3. 工业控制

• 电机驱动电路
• 继电器驱动
• 模数转换前端

五、设计注意事项

1. 热管理

器件热阻较高（145℃/W），在大电流应用中需要：

• 使用足够的铜皮面积
• 考虑环境温度影响
• 必要时添加散热措施

2. 安全工作区

如图11所示的安全工作区曲线，需遵循：

• 直流工作区限制
• 脉冲工作区扩展
• 温度降额要求

3. PCB布局建议

• 电源去耦电容靠近引脚
• 接地引脚连接大面积铜皮
• 高频信号线保持短路径

六、选型指导

‌标准版本‌：NST807CMTW - 通用工业应用
‌汽车版本‌：NSVT807CMTW - 车规级要求