安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。 这些PNP偏置电阻晶体管集成了单个晶体管和一个单片偏置网络，该网络由一个系列基极电阻和一个基极-发射极电阻组成。BRT通过将所有组件集成到单个设备中，从而消除了单个组件。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。安森美 (onsemi) NSBAMXW采用XDFNW3封装，具有卓越的热性能。 这些设备非常适合用于电路板空间和可靠性至关重要的表面贴装应用。

数据手册：*附件：onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管数据手册.pdf

特性

• XDFNW3外壳521AC封装，安装高度低至0.44mm（最大值）
• 可湿性侧翼封装，实现最佳自动光学检测（AOI）
• 静电放电 (ESD) 等级 (HBM)：级别1B
• NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准并具备PPAP功能
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

Pni连接

深入解析onsemi偏置电阻晶体管(BRT)NSBAMXW系列技术特性与应用

产品概述

‌NSBAMXW系列‌是一款集成偏置电阻的PNP数字晶体管(Bias Resistor Transistor)，专门设计用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该系列器件在单颗晶体管中集成了完整的偏置网络，包含两个电阻：串联基极电阻和基极-发射极电阻。通过使用BRT，可以有效降低系统成本和节省电路板空间。

主要特性

• ‌内置偏置电阻‌：集成完整的偏置网络
• ‌互补NPN型号可选‌：提供更灵活的设计选择
• ‌XDFNW3封装‌：最大安装高度仅0.44mm，提供卓越的热性能
• ‌可润湿侧翼封装‌：优化自动光学检测(AOI)性能
• ‌汽车级认证‌：NSV前缀适用于汽车应用，通过AEC-Q101认证并支持PPAP
• ‌环保材料‌：无铅、无卤素/BFR free，符合RoHS标准

极限参数详解

绝对最大额定值(TA = 25°C)

参数	符号	最小值	最大值	单位
集电极-发射极电压	VCEO	-	-50	V
集电极-基极电压	VCBO	-	-50	V
输入电压	VI	-40/+10(不同型号有差异)	-	V
集电极电流	IC	-	100	mA
静电放电(人体模型)	ESD	-	Class 1B	-

‌重要说明‌：超过最大额定值列表中规定的压力可能会损坏设备。如果超过任何这些限制，则不应假设设备功能正常，可能会发生损坏，并且可能会影响可靠性。

热特性参数

特性	符号	最大值	单位
总功耗@TA=25°C	PD	450	mW
结至环境热阻	RθJA	145	°C/W
结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-65 到 +150	°C

注1：基于JESD51-7标准，使用标准PCB焊盘和2oz铜层

电气特性(TA = 25°C)

截止电流特性

• ‌集电极-基极截止电流‌(VCB = -50 V, IE = 0)：ICBO ≤ -100 nA
• ‌集电极-发射极截止电流‌(VCE = -50 V, IB = 0)：ICEO ≤ -500 nA
• ‌发射极-基极截止电流‌(VEB = -5 V, IC = 0)：IEBO ≤ -0.5 mA(不同型号有差异)

直流电流增益

在VCE = -10.0 V, IC = -5 mA条件下：

• NSBA114E/NSBA124E/NSBA123Y：hFE ≥ 35
• NSBA143E：hFE ≥ 15
• NSBA144E：hFE ≥ 80

饱和与开关特性

‌集电极-发射极饱和电压‌(IC = -10 mA, IB = -0.3 mA)：VCE(sat) ≤ -0.25 V

‌ 输入电压(关断) ‌(VCE = -5.0 V, IC = -100 mA)：
各型号VI(off)范围从-1.2 V到-0.3 V不等

‌ 输入电压(导通) ‌：

• NSBA114E(VCE = -0.3 V, IC = -10 mA)：VI(on) = -2.5 到 -1.8 V
• 其他型号在类似测试条件下呈现不同的导通电压特性

内置电阻参数

偏置电阻值(R1)

型号	最小值	典型值	最大值	单位
NSBA114E	7	10	13	kΩ
NSBA124E	15.4	22	28.6	kΩ
NSBA143E	3.3	4.7	6.1	kΩ
NSBA144E	32.9	47	61.1	kΩ
NSBA123Y	1.54	2.2	2.86	kΩ

电阻比率(R1/R2)

大多数型号的电阻比率范围为0.8到1.2，而NSBA123Y具有特殊的0.18到0.27比率。

典型特性曲线分析

饱和电压特性

图1显示VCE(sat)随集电极电流增加而增加，在IC/IB = 10条件下，典型饱和电压在0.1-0.3V范围内。

直流电流增益

图2展示hFE在不同温度下的变化趋势，在VCE = 10V条件下，电流增益随集电极电流变化呈现典型分布。

开关特性

图3和图4分别展示了输出电流与输入电压、输入电压与输出电流的关系，为开关应用设计提供重要参考。

封装与订购信息

封装规格

• ‌封装类型‌：XDFNW3 (DFN1010-3)
• ‌特点‌：优越的热性能，适合板空间和可靠性要求较高的表面贴装应用

订购代码说明

器件型号	汽车级型号	R1(kΩ)	R2(kΩ)	部件标记	包装
NSBA114EMXWTBG	NSVBA114EMXWTBG	10	10	4X	3000/卷带
NSBA124EMXWTBG	NSVBA124EMXWTBG	22	22	4Y	3000/卷带
NSBA143EMXWTBG	NSVBA143EMXWTBG	4.7	4.7	4V	3000/卷带
NSBA144EMXWTBG	NSVBA144EMXWTBG	47	47	4Z	3000/卷带
NSBA123YMXWTBG	NSVBA123YMXWTBG	2.2	10	4W	3000/卷带

应用领域

主要应用场景

• ‌数字开关‌：适用于各种数字逻辑接口和开关控制
• ‌IC输入控制‌：为集成电路提供精确的输入控制功能

设计优势

1. ‌空间优化‌：DFN1010-3封装提供最小的占板面积
2. ‌成本效益‌：消除外部电阻，降低BOM成本和装配成本
3. ‌可靠性提升‌：集成设计减少元件数量，提高系统可靠性
4. ‌热管理‌：优越的封装热性能确保稳定工作