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ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技术手册

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ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技术手册

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2025-03-10 标签：放大器功率放大器 GaN 1.2k 0

ADPA1113 2GHz至6GHz，46 dBm (40 W)，GaN功率放大器技术手册

ADPA1113 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 带宽范围内实现 46.5 dBm (44.7 W)...

2025-03-10 标签：放大器功率放大器 GaN 1.4k 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技术手册

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有饱和输出功率（P~OUT）~ 为 39.5 dBm，功率附加效率（PAE...

2025-03-10 标签：放大器功率放大器 GaN 1.3k 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G007MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaNHEMT和Si...

2025-03-09 标签：GaN 数据手册 HEMT 844 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和S...

2025-03-09 标签：GaN 数据手册 HEMT 931 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

本产品是面向工业设备市场的优质产品，是适用于这些应用场景的最佳产品。BM3G005MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最优解决方案。...

2025-03-09 标签：IC GaN 数据手册 1.1k 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

本产品是面向工业设备市场的优质产品，是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将...

2025-03-09 标签：IC GaN 数据手册 985 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过...

2025-03-09 标签：IC GaN 数据手册 1.1k 0

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册

GNE1008TB 是一款具有 8V 栅极电压的 150V GaNHEMT，属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性，有助...

2025-03-07 标签：GaN 数据手册 HEMT 1.1k 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的...

2025-03-07 标签：GaN 数据手册 HEMT 913 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的...

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GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册

GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaNHEMT。该产品属于EcoGaN™系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力...

2025-03-07 标签：GaN HEMT DFN封装 1.4k 1

高速GaN E-HEMT的测量技巧方案免费下载

高速GaN E-HEMT的测量技巧总结一、概述 ‌ 重要性 ‌：GaN E-HEMT（氮化镓增强型高电子迁移率晶体管）具有极高的开关速度，因此准确的测...

2025-02-27 标签：测量 GaN HEMT 1.4k 0

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2025-02-27 标签：功率器件 GaN 3.5万 0

氮化镓（GaN）充电头安规问题及解决方案

什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充...

2025-02-27 标签：氮化镓 GaN 充电头 6.3k 0

GaN HEMT凭什么赢得市场青睐

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2025-02-27 标签：半导体功率器件氮化镓 1.1k 0

GaNPX®和PDFN封装器件的热设计

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2025-02-26 标签：GaN 热设计 1.5k 0

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低电压、高速驱动器和/或低电感无刷电机需要在 40 kHz 至 100 kHz 范围内具有更高的逆变器开关频率，以最大限度地减少电机中的损耗和转矩纹波。...

2025-02-26 标签：驱动器逆变器 GaN 1.1k 0

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LMG5200器件是一个 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，使用增强型氮化镓（GaN） FET 提供集成功率级解决方案。该器件由两个 80...

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