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技术资料#LMG3526R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...
技术资料#LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
技术文档:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3626 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术资料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3622 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
LMG3626EVM-074:LMG3626 用于具有 USB C 型® PD 的 65W 准谐振反激式转换器的评估模块
LMG3626EVM-074 评估模块 (EVM) 使用具有电流感应仿真功能的 LMG3626 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-...
技术文档:LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
LMG3622EVM-082:LMG3622用于带 USB Type-C® PD 的 65W准谐振反激式转换器的评估模块
LMG3622EVM-082 使用具有电流感应仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C® 供电 (PD) ...
技术资料#LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
TIDA-050072 基于GaN的65W USB PD3.0 USB-C 适配器参考设计
此参考设计是一个 65W USB PD3.0 适配器 适用于许多充电应用,包括 手机、笔记本电脑和平板电脑。设计 实现高效率和功率密度 使用LMG362...
技术文档#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
用户指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡评估模块
LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。所有的偏置和电平转换组件都已集成,...
技术资料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电流检测
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 ...
技术资料#UCG28826 集成GaN的自偏置高频QR反激式转换器(65W)
UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器,内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT),可将交流转换为直流,以实现高达 65W 的功...
应用笔记:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,带集成驱动器
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流版本,L...
LMG3624EVM-081评估模块:用于带 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器
LMG3624EVM-081 使用具有电流感应仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C® 功率传输 (PD...
LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半桥,集成驱动器、保护和电流感应概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用。该LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥...
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