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技术资料#LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
PMP20873 效率为99%的1kW基于GaN的CCM图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计
连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种简单但高效的功率转换器。为了达到 99% 的效率,需要考虑许多设计细节。PMP20873...
技术资料#LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
适用于集成驱动器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆变器参考设计
此参考设计是一款三相逆变器,在 50°C 环境温度下的连续额定功率为 1.25 kW,在 85°C 环境温度下的连续额定功率为 550 W,用于驱动 2...
技术资料#LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,...
技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
具有集成驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
德州仪器(TI)推出了一种新的集成氮化镓(GaN)功率级产品家族,该家族采用了一种低成本紧凑的四方扁平无引线(OFN)封装,封装尺寸为12毫米x12毫米...
应用资料#QFN12x12封装600V GaN功率级热性能总结
德州仪器(TI)提供的一种新的驱动器集成氮化镓(GaN)功率级产品系列已在一个低成本、紧凑的四扁平无引脚(QFN)封装中实现,该封装尺寸为12mm x ...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C® 高密度有源钳位反激式参考设计
此参考设计是一款适用于 USB Type-C 应用的高密度 60W 115VAC 输入电源,使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器、LMG2610...
PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN参考设计用于服务器辅助电源
此参考设计是基于 GaN 的 45W 有源钳位反激式 (ACF),旨在实现最大功率密度。该电源旨在为服务器和电信电源单元 (PSU) 提供辅助电源。UC...
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C® 适配器参考设计
此参考设计是基于氮化镓 (GaN) 的 140W AC-DC 电源,具有高效率和功率密度。它支持宽输入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和输出...
技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥,具有集成驱动器、保护和电流感应功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换器<。该LMG2...
PMP40988:可变频率、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱PFC参考设计
此参考设计是一种高密度、高效率的 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。该设计使用两相图腾柱 PFC,以可变频率和零电压开关 (ZVS) 运行。...
技术资料#LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
TIDA-010236:适用于电器的 4kW GaN 图腾柱 PFC参考设计
此参考设计是一款 4kW 连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC),具有顶部冷却的氮化镓 (GaN) 子板和TMS320F280025C...
PMP22650:基于GaN的6.6kW双向车载充电器参考设计
PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和具有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 利...
LMG3522EVM-042用户指南:具有集成驱动器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽车级 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042 在半桥中配置了两个 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期过流保护、锁存短路保护功能和所有必要的辅助外围电路。...
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