BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G007MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaNHEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合引起的寄生电感大大降低，可实现高达150V/ns的开关速度。另外，其栅极驱动强度可调节，这非常有助于降低EMI。该产品还内置各种保护功能和其他附加功能，可优化成本和PCB尺寸。该IC的设计旨在通用于现有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率开关。
*附件：BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf
主要规格
型号 | BM3G007MUV-LBE2
封装 | VQFN046V8080
包装形态 | Taping
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap™集成输出可选的 5V 低压差线性稳压器（LDO）
- 面向工业应用的长期支持产品
- VDD 引脚电压宽工作范围
- IN 引脚电压宽工作范围
- 低 VDD 静态和工作电流
- 低传播延迟
- 高抗 dv/dt 能力
- 可调节栅极驱动强度
- 电源正常信号输出
- VDD 欠压锁定（UVLO）保护
- 热关断保护
应用
典型应用电路
引脚配置
引脚描述
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