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低压GaN DC/DC转换器栅极驱动器电源测量方案

图1显示了一个12 V降压型转换器，它基于LTC7891同步控制器，用于驱动100 V GaN FET。以500 kHz频率运行时，在20 A负载和48...

2026-04-14 标签：转换器晶体管 GaN 1.9k 0

PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英伟达800VDC架构

Power Integrations公司的PowiGaN技术实现了1250V和1700V GaN开关器件，使设计人员能够构建高密度、高效率的电源。

2026-03-17 标签：电源设计 PI GaN 1.6k 0

700V/1.6A单通道增强型GaN FET驱动控制器参数与使用极限

概述： PC5012 是一款 700V、1.2Ω 的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），集成了单通道低端驱动器，专为高速应用中的氮化镓高电子迁移...

2026-03-11 标签：FET 场效应晶体管 GaN 166 0

PI GaN产品InnoSwitch3-EP助力简化工业辅助电源设计

随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，GaN正从消费电子PD快充领域向更广阔的工业、汽车、通信、数据中心等领域渗透，凭借其高频、高效、高功率密度的核心优势...

2026-03-09 标签：安富利 GaN 辅助电源 3.2k 0

650V 双向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC转换器评估板

云镓半导体650V双向E-modeGaN(MBDS)的应用1.MBDS器件介绍云镓半导体推出了650VE-modeGaN双向器件MBDS(Monolit...

2026-02-05 标签：转换器 GaN 评估板 536 0

主要氮化镓封装技术介绍

氮化镓（GaN）作为一种第三代宽禁带半导体材料，凭借其高电子迁移率和高击穿电场等优异特性，已在5G通信基站、数据中心电源及消费电子快充等领域实现规模化应...

2026-01-14 标签：封装技术氮化镓 GaN 5.4k 0

芯导科技GaN器件的发展与演进

在文章"提升开关频率（一）芯导科技MOSFET工艺结构的发展与演进"中，我们介绍了芯导科技MOSFET产品针对高频需求的工艺发展路线。

2026-01-14 标签：氮化镓 GaN 芯导科技 3.9k 0

椭偏仪在半导体的应用|不同厚度m-AlN与GaN薄膜的结构与光学性质

Ⅲ族氮化物半导体是紫外至可见光发光器件的关键材料。传统c面取向材料因极化电场导致量子限制斯塔克效应，降低发光效率。采用半极性（如m面）生长可有效抑制该效...

2025-12-31 标签：半导体薄膜 GaN 4k 0

氮化镓（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全对比：300W快充应用选型避坑手册

在消费电子快充领域，300W USB-C PD快充凭借适配笔记本、便携式储能、专业设备供电等多元需求，已成为市场增长核心赛道。功率器件作为快充方案的“心...

2025-12-24 标签：驱动IC GaN SiC MOSFET 1.4k 0

借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。...

2025-12-11 标签：GaN 光伏逆变器太阳能系统 4.7k 0

解析GaN与SiC在太阳能逆变器中的应用方案

光伏发电（PV）是一种将阳光转化为电能的技术，这个过程涉及使用太阳能电池来捕获太阳能并将其转化为可用的电力；然后，使用逆变器将太阳能电池产生的电力从直流...

2025-12-10 标签：太阳能逆变器 SiC 5k 0

超越防护：离子捕捉剂如何在宽禁带半导体封装中扮演更关键角色？

随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体走向普及，其封装材料面临更高温度、更高电压的极端考验。传统的离子防护理念亟待升级。本文将探讨在此背景...

2025-12-08 标签：SiC IC封装 GaN 776 0

绝缘与散热：立山科学TWT系列在高压高功率环境下的表现

作为日本立山科学株式会社的官方代理，深圳市智美行科技深知高压、高功率密度应用对温度传感器提出了双重挑战：可靠的电气隔离与高效的热传导。本文将深入探讨TW...

2025-12-04 标签：NTC SiC GaN 620 0

安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来

在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在...

2025-12-04 标签：安森美功率器件 GaN 2.1k 0

LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件产品型号：LMG3410R070RWHR产品品牌：TI/德州仪器产品封装：VQFN32产品功能：高性能...

2025-11-29 标签：功率器件 GaN 391 0

意法半导体GaN晶体管推动下一代电机逆变器的发展

满足日益增长的高能效和高功率性能需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。

2025-11-24 标签：MOSFET 电机控制意法半导体 6.9k 0

云镓大功率 GaN 产品 | 技术参数解读钛金服务器电源 DEMO

云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及...

2025-11-11 标签：服务器电源 GaN demo板 621 0

应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如...

2025-11-11 标签：半导体功率器件 GaN 418 0

应用指导 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可...

2025-11-11 标签：FET 功率器件 GaN 396 0

应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟...

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇可能引发科学技术的革命性发展。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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乐鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 总部位于上海张江高科技园区，是一家先进、专业的无晶圆半导体公司，致力于研发设计低功耗的 Wi-Fi 和蓝牙系统级芯片，提供移动通讯和物联网解决方案。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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