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TPS7H5020 SEP 能够驱动 MOSFET 或 GaN FET 的耐辐射 1MHz PWM 控制器数据手册
TPS7H502x 是一款抗辐射性保证、电流模式、单端 PWM 控制器,具有集成栅极驱动器,可用于基于硅和氮化镓 (GaN) 功率半导体的转换器设计。T...
如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别,首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性,然后再根据材料特性分析具体应用。
氮化镓(GaN)功率IC在电机逆变器中的应用: 优势、实际应用案例、设计考量
介绍了氮化镓(GaN)功率IC在电机逆变器中的应用,对比传统硅基解决方案,阐述了其优势、实际应用案例、设计考量及结论。 *附件:Driving-Elec...
纳微 NV6169 # 45mΩ低导阻、800V耐压、GaNSense智能保护技术
这是一款采用 GaNSense技术的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可满足高功率应用,例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器...
HMC1099 10W GaN功率放大器,0.01-1.1GHz技术手册
HMC1099是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.01 GHz至1.1 GHz时提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦...
HMC1114 10W GaN功率放大器,2.7GHz至3.8GHz技术手册
HMC1114是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在带宽范围为2.7 GHz至3.8 GHz时提供10 W功率,PAE超过50 %。 HMC1114提...
基于RC热阻SPICE模型的GaNPX®和PDFN封装的热特性建模
GaN Systems提供RC热阻模型,使客户能够使用SPICE进行详细的热模拟。 模型基于有限元分析(FEA)热模拟创建,并已由GaN Systems...
HMC7885 2GHz至6GHz,45dBm功率放大器技术手册
HMC7885是一款32 W氮化镓(GaN)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器(PA)模块,工作频率范围为2 GHz至6 GHz,提供18引脚密...
HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技术手册
HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功...
HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技术手册
HMC8500PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器,可在 30 dBm 的输入功率下,在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬时带宽上...
HMC1099PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至1.1GHz GaN功率放大器技术手册
HMC1099PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器,可在 0.01 GHz 到 1.1 GHz 瞬时带宽上实现 >10 W 输出,P...
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技术手册
HMC8415LP6GE 是一款氮化镓 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的带宽范围内提供 40 W (46 dBm) 的...
HMC1114PM5E 2.7GHz3.8GHz,GaN功率放大器技术手册
HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器,可在 18 dBm 的输入功率 (P ~IN) 下,在 2.7 GHz 至 3.8 G...
ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技术手册
ADPA1105是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在带宽范围为0.9 GHz至1.4 GHz时提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...
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