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UCC21540A-Q1 汽车5.7kVrms，4A/6A双通道隔离栅极驱动器，具有5V UVLO和3.3mm通道间距数据手册

UCC21540-Q1 器件是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。它采用 4 A...

2025-05-16 标签：晶体管 UVLO GaN 756 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 输入能力的汽车类 4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC27444-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27444-Q1 的典型峰值驱动强度为...

2025-05-16 标签：MOSFET 功率开关电源开关 752 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽车类 9A/9A 单通道栅极驱动器数据手册

UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效驱动 MOSFET 和 GaN 功率开关。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度...

2025-05-16 标签：MOSFET 功率开关电源开关 782 0

UCC27444 具有-5V输入能力的 4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

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2025-05-15 标签：MOSFET 功率开关 GaN 962 0

快充电源IC U8731的工作原理

GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源ic U...

2025-05-15 标签：GaN 电源IC 快充 1k 0

TPS7H6023-SP 抗辐射 QMLV 22V 半桥 GaN 栅极驱动器数据手册

TPS7H60x3-SP 系列抗辐射保证（RHA）氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 T...

2025-05-15 标签：FET 场效应晶体管 GaN 886 0

GaN与SiC功率器件深度解析

本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。...

2025-05-15 标签：半导体功率器件 SiC 2.5k 0

UCC21231 具有 4A 拉电流和 6A 灌电流的高速双通道隔离式栅极驱动器数据手册

UCC21231 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 标签：可编程晶体管 GaN 864 0

使用基于GaN的OBC应对电动汽车EMI传导发射挑战

本期，为大家带来的是《使用基于 GaN 的 OBC 应对电动汽车 EMI 传导发射挑战》，将深入回顾 CISPR 32 对 OBC 的 EMI 要求，同...

2025-05-24 标签：电动汽车滤波器 emi 4.8k 0

氮化镓PD快充芯片U8733产品概述

芯片‌恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动...

2025-05-10 标签：氮化镓 GaN 快充芯片 1.1k 0

氮化镓电源IC U8723AHS产品介绍

恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性，适用于一些功率要求严格的应用场景，如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压...

2025-05-07 标签：氮化镓 GaN 电源芯片 956 0

如何最大限度地扩大基于氮化镓 (GaN) 功率放大器的雷达系统的探测距离

雷达已成为军事监视、空中交通管制、太空任务和汽车安全等无数应用领域不可或缺的设备。对于设计人员来说，最具挑战性的情况是远程雷达，因为在这种情况下，返回信...

2025-04-30 标签：氮化镓 GaN 4k 0

氮化镓电源芯片U8726AHE产品介绍

EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选...

2025-04-28 标签：氮化镓 GaN 电源芯片 949 0

合成金刚石在半导体与量子领域的突破性应用

合成金刚石因其在多种应用中提供极致性能的卓越能力，被誉为"超级材料"。其独特属性可深刻改变工艺流程和终端产品性能，适用于半导体、传感...

2025-04-24 标签：半导体 GaN 金刚石 2k 0

氮化镓（GaN）无刷直流电机驱动提升效率、减小尺寸和降低成本方面

本文围绕氮化镓（GaN）功率IC在无刷直流（BLDC）电机驱动应用中的优势展开研究，通过设计实例和实验数据，论证了其在提升效率、减小尺寸和降低成本方面的...

2025-04-24 标签：氮化镓 GaN 无刷直流电机驱动 1.7k 0

用于CRPS应用的采用氮化镓功率集成电路的带平面矩阵变压器的高频高效LLC模块

随着云计算和人工智能的快速发展，数据中心对电源的需求不断增加，对其功率密度和效率也提出了更高要求。在数据中心中， Common Redundant Po...

2025-04-24 标签：集成电路变压器氮化镓 1.4k 0

基于GaN交错式临界导通模式图腾柱功率因数校正的新型数字控制策略

论文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...

2025-04-23 标签：功率因数数字控制 GaN 2k 0

ICP1543 12-18 GHz、20W GaN功率放大器技术手册

ICONICRF公司的ICP1543是一款采用裸芯片形式的三级单片微波集成电路（MMIC）功率放大器，采用碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）技术制造...

2025-04-22 标签：功率放大器 GaN MMIC 1.3k 0

GaN快充芯片U8609的工作原理

GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降...

2025-04-22 标签：充电器 GaN 快充芯片 1.4k 0

ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技术手册

ADPA1106是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的带宽内，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...

2025-04-22 标签：氮化镓 GaN 宽带功率放大器 1.1k 0

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