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PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英伟达800VDC架构
Power Integrations公司的PowiGaN技术实现了1250V和1700V GaN开关器件,使设计人员能够构建高密度、高效率的电源。
700V/1.6A单通道增强型GaN FET驱动控制器参数与使用极限
概述: PC5012 是一款 700V、1.2Ω 的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET),集成了单通道低端驱动器,专为高速应用中的氮化镓高电子迁移...
PI GaN产品InnoSwitch3-EP助力简化工业辅助电源设计
随着技术的不断成熟和成本的逐步下降,GaN正从消费电子PD快充领域向更广阔的工业、汽车、通信、数据中心等领域渗透,凭借其高频、高效、高功率密度的核心优势...
650V 双向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC转换器评估板
云镓半导体650V双向E-modeGaN(MBDS)的应用1.MBDS器件介绍云镓半导体推出了650VE-modeGaN双向器件MBDS(Monolit...
椭偏仪在半导体的应用|不同厚度m-AlN与GaN薄膜的结构与光学性质
Ⅲ族氮化物半导体是紫外至可见光发光器件的关键材料。传统c面取向材料因极化电场导致量子限制斯塔克效应,降低发光效率。采用半极性(如m面)生长可有效抑制该效...
氮化镓(GaN)vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全对比:300W快充应用选型避坑手册
在消费电子快充领域,300W USB-C PD快充凭借适配笔记本、便携式储能、专业设备供电等多元需求,已成为市场增长核心赛道。功率器件作为快充方案的“心...
2025-12-24 标签:驱动ICGaNSiC MOSFET 1.3k 0
电子发烧友网综合报道 最近英诺赛科和纳微都公布了2025年全年财报,作为GaN领域最具代表性的两家上市公司(transphorm被瑞萨收购后已退市),过...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)随着中高压电力电子系统在近五年的快速发展,对功率密度、转换效率的要求不断提高,SiC在汽车、工业等各种中高压场景已经实现对...
基于SiC MOSFET高频LLC变换器的平面变压器绕组交错与寄生参数精细化优化
在当今以数据中心、电动汽车车载充电器(On-Board Charger, OBC)、可再生能源逆变器以及航空航天电气化为代表的尖端电力电子领域中,系统对...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日业界传出三星电子功率GaN晶圆代工产线即将投产,其8英寸GaN产线已进入量产前准备阶段,预计最早将在今年第二季度实现全...
瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关,标志着功率转换设计规范的重大变革
首款具备直流阻断功能的双向GaN技术,可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量 兼容标准栅极驱动器 支持软切换与硬切换模式,实现快速、干净的过渡 全球半...
瑞萨电子推出全新GaN充电方案,为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构,为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:67...
新品 | 英飞凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驱动器
新品英飞凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驱动器CoolGaNDriveHB600VG5系列产品,在一个小巧的6x8TFLGA-27封装中,...
尽管宽禁带技术正在崛起,但传统的功率电子器件仍在持续进化并被广泛应用。凭借其出色的性价比、稳定的供应以及经过实际验证的可靠性,在小型化和轻量化无法带来较...
适用于65W GaN PD快充电源驱动器具有极高开关频率及稳定性能
概述: PC5200 是一种增强模式氮化镓(GaN-on-Silicon)晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体,具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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