ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技术手册

概述

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有 饱和输出功率 （POUT）~ 为 39.5 dBm，功率附加效率 （PAE） 为 40%，功率增益为 23.5 dB（典型值，0.5 GHz 时） 到 5 GHz，输入功率 （PIN）~ 为 16.0 dBm。RF 输入和 RF 输出内部匹配和 AC 耦合。漏极偏压 28 V 的电压施加到 VDD1 和 VDD2 引脚，它们具有 集成偏置电感器。漏极电流通过应用 VGG1 引脚的负电压。

该ADPA1116采用氮化镓 （GaN） 工艺制造， 采用 32 引脚架构芯片级封装，预成型 腔 [LFCSP_CAV]，指定工作温度范围为 −40°C 至 +85°C 的温度下。

数据表：*附件：ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技术手册.pdf

特性

• 内部匹配、0.3 GHz 至 6 GHz、39.5 dBm GaN 功率放大器
• RF 输入和 RF 输出交流耦合
• 集成漏极偏置电感器
• 输出功率：39.5 dBm（典型值，0.5 GHz 至 5 GHz）（PIN = 16.0 dBm）
• 功率增益：0.5 GHz 至 5 GHz 范围内为 23.5 dB（典型值）（PIN = 16.0 dBm）
• PAE：0.5 GHz 至 5 GHz 范围内为 40% 典型值 （PIN = 16.0 dBm）
• 小信号增益：33.5 dB（典型值，0.5 GHz 至 5 GHz）
• 电源电压：28 V
• 静态电流：300 mA

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

ADPA1116是一款GaN功率放大器，具有级联增益级，由正漏极电源和外部施加的负栅极电压偏置。28 V标称Voo施加于第一和第二级漏极，负电压施加于GG1引脚，将总Ipo设置为300 mA标称值。如上所述偏置时，器件以AB类工作，导致饱和时PAE最大。ADPA1116的每个漏极都有集成的RF扼流圈，并且片内集成了RFIN和RFOUT端口的DC阻塞。

图51显示了ADPA1116的典型应用电路。