BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM的原始封装中，与传统的分立解决方案相比，由PCB和引线键合引起的寄生电感显著降低。因此，可以实现高达150V/ns的高开关压摆率。另一方面，可调栅极驱动强度有助于降低EMI，各种保护和其它附加功能可优化成本和PCB尺寸。该IC旨在适应现有的主要控制器，因此它也可以用来取代传统的分立功率开关，如超级结MOSFET。
*附件：BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf
主要规格
型号| BM3G115MUV-LBE2
封装| VQFN046V8080
包装形态| 磁带录音
包装数量| 1000
最小独立包装数量| 1000
特点：
应用
典型应用电路
引脚配置
引脚描述
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IC
+关注
关注
36文章
6258浏览量
184144 -
GaN
+关注
关注
21文章
2324浏览量
79196 -
数据手册
+关注
关注
95文章
6208浏览量
44450 -
HEMT
+关注
关注
2文章
78浏览量
14324
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
发表于 11-22 15:16
•2419次阅读
ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
发表于 07-24 11:47
•829次阅读
ROHM具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适
ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC
*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积
*1 ，开发出集650V GaN HEMT *2 和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB
大大减少体积及损耗！罗姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅来袭
为进一步满足消费电子和工业设备的电源提出的更高节能要求，以实现社会的可持续发展，罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC
汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能
电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
发表于 09-24 11:27
•0次下载
ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册
） ，导通电阻 70mΩ，栅极电荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册.pdf 主要规格 型
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 数据手册
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
本产品是面向工业设备市场的优质产品，是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将 650V 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
本产品是面向工业设备市场的优质产品，是适用于这些应用场景的最佳产品。BM3G005MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最优解决方案。通过将 650 伏增强型氮化镓高电子迁移率
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G007MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaNHEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET数据手册
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN F
工商网监
评论