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电子发烧友网>今日头条>单键/一键触摸触控IC:VKD223B/VKD223EB/223NB,VKD232C两按键/双通道触控感应芯片,取代市面223B/223EB/223NB/232C 原厂开发资料

单键/一键触摸触控IC:VKD223B/VKD223EB/223NB,VKD232C两按键/双通道触控感应芯片,取代市面223B/223EB/223NB/232C 原厂开发资料

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## 产品简介**型号:BUK481-60A-VB**BUK481-60A-VB是款高性能N沟道MOSFET,封装为SOT223。这款MOSFET设计用于在高达60V的漏源电压下工作,提供了优良
2025-01-13 14:18:05

BUK481-100A-VB种SOT223封装Single-N-Channel场效应管

### 产品简介**BUK481-100A** 是款高效能单极N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装形式为SOT223。这款MOSFET采用先进的沟槽(Trench)技术,专为中等
2025-01-13 14:16:49

表面贴装差分输出晶体振荡器

深圳鸿合智远|DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD:表面贴装差分输出晶体振荡器
2025-01-11 10:12:421008

BSS223PW-VB款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介**型号**: BSS223PW-VB  **封装**: SC70-3  **配置**: 单P沟道MOSFET  **技术**: 沟槽型技术### 详细
2025-01-10 14:32:30

防干扰多路控低电流6路芯片VK3606D

家电,娱乐产品 —————————————————————————————————————————————————— 触摸触IC系列简介如下: 标准IC-电池供电系列: VKD223EB --- 工作
2025-01-09 17:35:33

BSP75N-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**1. 产品简介:**BSP75N-VB 是款高性能 N-Channel MOSFET,封装为 SOT223。采用 Trench 技术,提供可靠的开关性能和适中的导通电阻,适合用于中等功率和电流
2025-01-09 15:45:13

BSP615SL-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介**BSP615SL-VB** 是款高性能单通道 N 型 MOSFET,封装形式为 SOT223。该器件设计用于中电压和中等电流应用,最大漏极电流为 7A,漏极-源极耐压为 60V
2025-01-09 15:44:01

BSP615S2L-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介BSP615S2L-VB是款高效能单N沟道MOSFET,封装为SOT223,采用Trench技术。该MOSFET支持最高60V的漏源电压和7A的最大漏极电流。其低阈值电压和相对
2025-01-09 15:42:54

BSP373-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP373-VB是款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为SOT223,专为中高电压应用设计。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术,具有优异的电气性能。在最大漏源电压
2025-01-09 15:41:48

BSP373N-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### BSP373N-VB MOSFET 产品简介BSP373N-VB 是款高性能单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术,封装在SOT223外壳中。该MOSFET具有较高的漏源电压和中等
2025-01-09 15:39:25

BSP372-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP372-VB 是款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为处理中等电压和电流的应用设计。该MOSFET 的漏源电压(VDS)为100V,栅源电压(VGS)为
2025-01-09 15:38:06

BSP372N-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介**型号:BSP372N-VB**BSP372N-VB是款高性能的单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。这款MOSFET采用了先进的Trench技术,设计用于承受高达
2025-01-09 15:36:49

BSP322P-VB款Single-P沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介BSP322P-VB是款高电压单P沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为高电压和中电流应用设计。这款MOSFET使用Trench技术,能够在最高-100V的漏源极电压下稳定
2025-01-09 15:29:07

BSP321P-VB款Single-P沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP321P-VB是款高性能的单P沟道MOSFET,采用SOT223封装。该MOSFET利用Trench技术设计,能够处理高达-100V的漏源极电压,专为负电压应用而设计。它
2025-01-09 15:27:53

BSP320S-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP320S-VB 是款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,设计用于中低电压应用。该MOSFET 使用Trench技术,提供较低的导通电阻和适中的电流处理能力
2025-01-09 15:26:30

BSP319-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介**BSP319-VB** 是款单通道 N 沟道 MOSFET,封装类型为 SOT223。该 MOSFET 采用 Trench 技术,专为中等电压和高效能应用设计。它的最大漏源极
2025-01-09 15:23:47

BSP318S-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介BSP318S-VB是款高效能单N沟道MOSFET,封装为SOT223,采用Trench技术。该MOSFET支持最高60V的漏源电压和4.5A的最大漏极电流。其低阈值电压和较低的导
2025-01-09 15:20:31

BSP316P-VB款Single-P沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP316P-VB是款高性能单P沟道MOSFET,封装形式为SOT223,设计用于高电压和中等电流应用。该器件采用沟槽(Trench)技术,具备出色的电气性能和耐用性。在最大
2025-01-09 15:19:05

BSP220-VB款Single-P沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### BSP220-VB MOSFET 产品简介BSP220-VB 是款高耐压单P通道MOSFET,封装在SOT223外壳中。这款MOSFET 设计用于需要高电压和中等电流的应用场合,提供了优良
2025-01-09 15:12:49

BSP123-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP123-VB 是款高电压单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为处理中等电压和电流应用设计。该MOSFET 具有100V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压
2025-01-09 14:59:46

BSP110-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP110-VB是款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该MOSFET使用Trench技术,设计用于中等电压和电流的应用。它具备100V的漏源极电压耐受能力
2025-01-09 14:51:21

BSP106-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介BSP106-VB是款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为SOT223。该MOSFET具有60V的漏源电压承受能力和4.5A的最大漏极电流。其低阈值电压和适中的导通电
2025-01-09 14:45:49

BSP100-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介BSP100-VB是款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为SOT223,专为中等电压和电流应用设计。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术,具有优异的电气性能和热管理特性
2025-01-09 14:43:59

家电控检测芯片超小体积4芯片VK36Q4

IC系列简介如下: 标准IC-电池供电系列: VKD223EB --- 工作电压/电流:2.0V-5.5V/5uA-3V 感应通道数:1 通讯接口 最长响应时间快速模式60mS,低功耗模式220ms
2025-01-07 17:25:45

AULL2705-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### AULL2705-VB 产品简介AULL2705-VB 是国际整流器公司(International Rectifier)推出的款单通道N沟道MOSFET,封装形式为SOT-223。该
2025-01-06 16:39:01

AULL024Z-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、AULL024Z-VB 产品简介AULL024Z-VB 是款单N沟道功率MOSFET,封装形式为SOT-223,采用先进的Trench技术制造。这款MOSFET 专为中等
2025-01-06 16:37:51

AULL024N-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介**AULL024N-VB** 是款单N沟道功率MOSFET,封装形式为SOT223。该MOSFET设计用于中等电流和高效率的开关应用,具有60V的漏源电压(VDS)和±20V
2025-01-06 16:36:35

AUIRLL2705-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 、产品简介**AUIRLL2705-VB** 是款单N沟道功率MOSFET,封装形式为SOT223。这款MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),适用于
2025-01-06 14:42:19

AUIRLL024ZTRPBF-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### AUIRLL024ZTRPBF-VB 产品简介AUIRLL024ZTRPBF-VB 是款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,提供卓越的开关性能和低导通电阻。其封装形式为
2025-01-06 14:41:09

AUIRLL024N-VB款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介AUIRLL024N-VB是款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用SOT223封装。它基于先进的沟槽技术,设计用于高电压和中等电流的应用场景。该MOSFET具有较低的导通电
2025-01-06 14:39:46

EE-223:SHARC处理器的在线闪存编程

电子发烧友网站提供《EE-223:SHARC处理器的在线闪存编程.pdf》资料免费下载
2025-01-05 10:10:590

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