--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### BUK582-100N-VB 产品简介
BUK582-100N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,设计用于中等电压和电流的应用。这款MOSFET具有100V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),利用先进的沟槽(Trench)技术提供低导通电阻和良好的电流处理能力。在VGS为4.5V时的导通电阻为120mΩ,在VGS为10V时的导通电阻为100mΩ,最大漏极电流(ID)为5A。BUK582-100N-VB适合需要较高电流和中等电压的电子应用,能够提供稳定的性能和高效的功率控制。
### BUK582-100N-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | SOT223 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 100 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.8 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 120 (VGS=4.5V) | mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 100 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 | A |
| 技术 | 沟槽(Trench) | |

### BUK582-100N-VB 适用领域和模块
1. **电源开关(Power Switching)**:
BUK582-100N-VB适用于电源开关应用,特别是在需要控制中等电压(100V)和电流(5A)的场合。其低导通电阻和高电流能力使其在电源开关中能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. **电机控制(Motor Control)**:
在电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动中等功率电机。其稳定的导通电阻和良好的电流处理能力确保了电机驱动的可靠性和效率。
3. **DC-DC转换器(DC-DC Converters)**:
BUK582-100N-VB在DC-DC转换器中适用于中等电压和电流的转换任务。其高效的开关性能和低导通电阻有助于提高转换效率和降低功率损耗。
4. **功率管理系统(Power Management Systems)**:
该MOSFET可用于各种功率管理系统中的开关和调节功能,适合需要较高电压和中等电流的场合。其高耐压特性和低导通电阻使其能够在复杂的功率管理系统中提供稳定的性能。
5. **LED驱动(LED Drivers)**:
在LED驱动应用中,BUK582-100N-VB可以用于调节和控制LED的电流。其良好的电流处理能力和稳定的导通电阻保证了LED灯的亮度和效率。
BUK582-100N-VB以其出色的中等电压和电流处理能力,适用于广泛的电源管理、控制和驱动应用,为电子系统提供了高效的解决方案。
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