企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

BSP110-VB一款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BSP110-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT223
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

BSP110-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该MOSFET使用Trench技术,设计用于中等电压和电流的应用。它具备100V的漏源极电压耐受能力和较低的导通电阻,适合在需要高效开关性能和稳定电流控制的场合使用。

### 二、详细参数说明

- **型号**:BSP110-VB
- **封装**:SOT223
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:100V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 120mΩ(@VGS=4.5V)
 - 100mΩ(@VGS=10V)
- **漏极电流(ID)**:5A
- **技术**:Trench(沟槽技术)

### 三、应用领域和模块

BSP110-VB MOSFET因其中等电压能力和低导通电阻,在多个应用领域中表现优异。以下是一些具体应用的示例:

1. **电源开关**:
  在电源开关应用中,BSP110-VB MOSFET适用于需要中等电压和电流控制的场合。其较低的导通电阻使其能够在电源开关和电压调节中提高效率,减少功率损耗。

2. **负载开关**:
  该MOSFET在负载开关应用中表现良好。由于其较低的RDS(ON),它能够有效地控制负载开关,在需要频繁开关负载的电路中,如计算机主板和电源适配器,提供可靠的性能。

3. **电池管理**:
  在电池管理系统中,BSP110-VB可用于电池保护和电流控制。其耐受100V的电压能够处理高电压负载,同时低导通电阻有助于延长电池的使用寿命和提高系统效率。

4. **LED驱动电路**:
  在LED驱动电路中,BSP110-VB可以作为开关元件,用于控制LED的电流。其低导通电阻能够减少功率损耗,提升LED的亮度和使用寿命,适用于各种LED照明系统。

5. **消费电子设备**:
  在消费电子设备如智能手机和笔记本电脑的电源管理中,BSP110-VB用于电源开关和电流控制。其高效性能和中等电流处理能力能够优化设备的电池寿命和整体性能。

这些应用示例展示了BSP110-VB MOSFET在中等电压和电流应用中的广泛适用性和重要作用,特别是在电源开关、负载控制和LED驱动等领域的关键角色。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    692浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    581浏览量