--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
BSP123-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为处理中等电压和电流应用设计。该MOSFET 具有100V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),阈值电压(Vth)为1.8V。其导通电阻(RDS(ON))在4.5V栅极驱动下为120mΩ,在10V栅极驱动下为100mΩ,漏极电流(ID)最大为5A。BSP123-VB 使用Trench技术制造,提供稳定的开关性能和高效能,适合用于各种中等电压和电流的电路设计。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:SOT223
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS = 4.5V
- 100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
BSP123-VB 在电源管理系统中具有良好的表现,如用于DC-DC转换器和电源开关模块。其较高的电压承受能力和稳定的开关性能使其适合处理中等电压和电流负载,提高电源系统的效率和可靠性。
2. **消费电子**:
在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和小型家电,BSP123-VB 提供了可靠的电流控制和低功耗运行,能够在中等电压条件下稳定工作,确保设备的高效能和可靠性。
3. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,特别是用于电源管理和电池保护的应用,BSP123-VB 能够处理中等电压和电流,提供稳定的性能,适合用于车载充电器、电池管理系统等模块。
4. **工业控制**:
对于工业自动化设备中的电源控制应用,如中等功率电机驱动和电源调节器,BSP123-VB 能够提供稳定的电流控制和低功耗特性,确保工业设备在中等电压条件下的高效运行。
5. **通信设备**:
在通信设备的电源模块中,BSP123-VB 能够处理中等电压和电流,适用于电源开关和功率放大器,提供可靠的电流控制和高效的功率处理,提升通信设备的整体性能和稳定性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12