关键词： 常温键合；第三代半导体；异质集成；半导体设备；青禾晶元；半导体技术突破；碳化硅(SiC)；氮化镓(GaN)；超高真空键合；先进封装；摩尔定律 随着5G/6G通信、新能源汽车与人工智能对芯片
2025-12-29 11:24:17
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深耕，一举斩获两项大奖——“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”，以及ST首款专为电机控制设计的600V半桥功率GaN及驱动器GANSPIN611荣获的“2025年度优秀产品奖”！
2025-12-28 09:14:18275 
为推动小芯片创新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互连技术（UCIe）IP 解决方案，在台积电先进的 N3P 工艺上实现了业界领先的每通道 64Gbps 速率。随着行业向日
2025-12-26 09:59:44167 
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响，整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成：核心
2025-12-25 09:12:32
依托超过1200项专利的技术积淀与全链路AI智造实力，国星光电正式推出DIP6封装可控硅光耦新品，以自主核心技术为智能控制注入安全新动能，为工业控制、智能家电、电机驱动等领域提供高端国产化解决方案。
2025-12-23 16:22:37202 
2025年12月4日，深圳高光时刻！由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕，数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂，共襄产业盛事。
2025-12-13 10:56:01900 
2025年行至尾声，智融科技凭借领先的数模混合设计实力、卓越的消费级电源管理方案，以及在第三代半导体驱动技术的前瞻布局，一举揽获多项行业大奖，成为国产数模混合IC与GaN/SiC第三代半导体驱动赛道的“双料”先锋！
2025-12-11 15:20:51378 AMEYA360代理品牌：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案 引言：氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不当之处，还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体的核心代表，凭借其高频、高效、耐高温、耐高压等特性，正在新能源汽车、光伏储能、工业电源
2025-12-04 08:21:12700 
近日，广东省工业和信息化厅公布了2025年度省级企业技术中心评价结果。国星光电及子公司国星半导体所建设的省级企业技术中心，分别获评“优秀”与“良好”，综合创新实力均获权威认可。
2025-12-03 11:44:36557 如有雷同或是不当之处，还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 碳化硅是第三代半导体材料的代表；而半导体这个行业又过于学术，为方便阅读，以下这篇文章的部分章节会以要点列示为主，如果遗漏
2025-12-03 08:33:44351 
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代功率半导体，正在以前所未有的速度，将电力电子技术推向更高频率、更高效率、更高功率密度的新纪元。
2025-11-27 14:23:54876 
（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
2025-11-27 13:55:061348 近日，广东省高新技术企业协会公布了2025年第二批广东省名优高新技术产品名单，国星光电及子公司自主研发的6款产品成功入选，涵盖LED芯片、LED新型显示、光电耦合器等多个领域，充分体现公司在光电半导体领域的技术研发与产品创新实力。
2025-11-26 14:26:07520 近日，在2025行家说新型显示全产业链年会暨行家极光奖颁奖典礼上，国星光电作为联合出品单位和A级参编单位参与发布三本行业白皮书，并成功斩获三项行业荣誉，充分展现技术创新与产业协同的综合实力。
2025-11-26 14:23:58521 在第三代半导体器件的研发与性能评估中，对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试，是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑，加速技术迭代与产业化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景与意义碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相比传统硅基材料具有显著的技术优势。SiC材料的禁带宽度为3.26eV，是硅的近3倍；击穿场强达3MV/cm，是硅的10倍；热导率
2025-11-19 07:30:471489 
11月11至14日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2025）在厦门隆重召开，中微
2025-11-18 14:02:44349 
行家说极光奖，作为聚焦于第三代半导体领域的专业奖项，以其严谨的产业洞察与技术前瞻性，已成为衡量企业创新深度与市场价值的重要风向标。它旨在表彰那些具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。
2025-11-17 10:19:49725 2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门盛大召开。作为覆盖90余个国家及地区、汇聚
2025-11-14 17:53:472418 如有雷同或是不当之处，还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作为第三代半导体材料的代表，以其优异的物理和化学特性，在电力电子、光电子、射频器件等领域展现出了巨
2025-11-11 08:13:37875 
加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯：下一代GaNFast氮化镓与高压碳化硅 (GeneSiC) 功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。
2025-11-07 16:46:052452 近日，在2025世界智能网联汽车大会（WICV）“中国芯”汽车芯片供需对接会上，欧冶半导体凭借在智能汽车第三代E/E架构芯片领域的创新突破与产业贡献，获评为“2025中国汽车芯片优秀供应商”。
2025-11-03 10:22:28455 10月25日，第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席，盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽车、5G通信和人工智能的推动下，功率半导体正经历前所未有的技术变革。SiC和GaN等第三代半导体器件的高频、高压特性，对封装基板提出了更严苛的要求——既要承受超高功率密度，又要确保信号
2025-10-22 18:13:11243 
半导体封装形式介绍 摘 要 ：半导体器件有许多封装型式，从 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求
2025-10-21 16:56:30862 
近日，广东省工业和信息化厅公布省级绿色制造名单，国星光电全资子公司国星半导体凭借在绿色制造、节能环保与可持续发展领域的扎实实践与突出成效，成功通过评审，获评“广东省省级绿色工厂”。
2025-10-16 17:06:31700 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，正加速替代传统硅基材料，在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度，成为高频通信、快充设备的核心
2025-10-13 18:29:43402 可靠性保驾护航！
一、严谨细微，铸就精准测试之魂
BW-4022A半导体分立器件综合测试平台采用先进的高精度传感器和精密的测量算法，如同拥有一双“火眼金睛”，能够对 Si/SiC/GaN 等各类材料
2025-10-10 10:35:17
搭载第三代无线SoC中的Secure Vault安全技术率先通过PSA 4级认证
2025-10-09 15:57:3042391 基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章：B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体（BASIC Semiconductor）B3M系列的技术认知
2025-10-08 13:12:22499 
型栅极驱动器（BTD系列）和配套的电源管理芯片（BTP系列），明确围绕第三代半导体——碳化硅（SiC）MOSFET驱动的 高频、高压、高可靠性 核心需求进行构建 。这些产品在设计上高度契合SiC器件的低阈值电压、极高开关速度和高 dV/dt等特性带来的挑战。 该公司的策
2025-09-30 17:53:142834 
倾佳电子行业洞察：基本半导体第三代G3碳化硅MOSFET助力高效电源设计 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备
2025-09-21 16:12:351740 
第三代半导体碳化硅功率器件领军企业森国科推出的碳化硅二极管 KS10065（650V/10A），针对不同场景的散热、空间及绝缘要求，提供7种封装形态，灵活覆盖车规、工业电源、消费电子三大领域。通过
2025-08-16 15:55:442377 
传统硅基材料已接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。在消费电子领域，AI手机、AI PC等各类AI终端的功率提升，GaN方案较硅基方案体积缩小60%，带动了GaN充电器市场的腾飞
2025-08-07 00:18:0011390 
近期，基孔肯雅热疫情持续引发社会关注，蚊媒传染病防控成为城市治理的重要命题。国星光电作为LED封装领域创新者，深入践行广晟控股集团FAITH经营理念，创新推出可应用于灭蚊灯等场景的LED技术解决方案，以绿色、安全、高效的LED技术助力公共区域和家庭场景做好防蚊抗疫工作。
2025-08-05 14:37:091109 基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
近日，在第五届全国新型储能技术及工程应用大会现场，广州智光储能科技有限公司（简称 “智光储能”）与海辰储能联合发布基于∞Cell 587Ah 大容量电池的第三代级联型高压大容量储能系统。这一突破性成果标志着全球首个大容量储能电池从技术发布到闭环应用的完整落地，为储能产业安全与高效发展注入新动能。
2025-07-30 16:56:141231 今年3月，国星光电全面升级产品免费鉴定服务体系，创新推出NATIONSTAR Product Verification服务品牌（以下简称“NPV服务”）。依托专业技术团队与尖端检测设备，该服务已精准识别多起假冒事件，为行业健康发展提供有力保障。
2025-07-25 11:46:09744 人民政府设立，旨在激励创新，强化知识产权创造、运用和保护，推动高质量发展和引领型知识产权强省建设，是广东省专利领域最高级别奖项。 国星光电本次获奖的“一种新型薄膜衬底LED器件及其制造方法”发明专利，创新融合制板工艺与封装
2025-07-24 19:09:311906 
BLR3XX系列是上海贝岭推出的第三代高精度基准电压源。具有高输出精度、低功耗、低噪声以及低温度系数的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
MOSFET/IGBT 及第三代半导体（SiC/GaN）设计。其核心价值在于解决三大矛盾：
功率密度 vs 驱动能力：在仅 5x5mm LGA 封装 下实现 4A 源极/6A 灌电流峰值，支持高达 33V
2025-07-04 08:45:16
此前，6.20~22日，为期三天的2025南京世界半导体博览会圆满落幕，本次大会集聚优势资源，聚焦人工智能技术、第三代半导体、汽车半导体、先进封装等热点领域，联合权威产业专家、行业优秀公司及政府相关部门，共绘产业高质量发展蓝图。
2025-06-24 17:59:231317 此前，6月20日至22日，为期三天的2025南京世界半导体博览会圆满落幕。本届大会汇聚优质资源，聚焦人工智能技术、第三代半导体、汽车半导体、先进封装等前沿热点领域，携手权威产业专家、行业领军企业及政府相关部门，共同擘画产业高质量发展新蓝图。
2025-06-23 17:57:461190 电子发烧友网综合报道，消息人士称，英伟达计划于 7 月推出第三代 “阉割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片将替代 H20 芯片，试图重新夺回市场份额。 B20 芯片
2025-06-21 00:03:003667 近日，国内首家聚焦智能汽车第三代E/E架构的SoC芯片及解决方案商欧冶半导体宣布，已完成亿元人民币B3轮融资。本轮融资由光学龙头企业舜宇光学科技旗下舜宇产业基金战略领投，合肥高投、老股东太极华青佩诚
2025-06-19 16:09:251081 第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中，电镜技术发挥着不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
第三代“快速”碳化硅MOSFET将助力Brightloop打造重型农业运输设备专用的氢燃料电池充电器。 BrightLoop所提供的领先高性能解决方案， 功率转换效率超过98%，功率密度高达35kW
2025-06-16 10:01:2346525 
发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业，万众瞩目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57978 近日，第三十届广州国际照明展览会（光亚展）圆满结束。国星光电以全场景LED照明技术解决方案精彩亮相，全方位展现公司在产业链上的深度布局与创新积淀。展会期间，国星光电凭借综合实力优势，一举荣获三项行业权威奖项，再度印证国内LED行业龙头企业的硬实力。
2025-06-14 17:16:481275 寻迹智行第三代自研移动机器人控制器BR-300G获欧盟CE认证
2025-06-12 13:47:53497 
全球视听技术盛宴InfoComm 2025即将启幕！国星光电将携创新技术矩阵强势登陆奥兰多！从微间距显示核心到多场景显示应用，三大亮点抢先看！
2025-06-11 09:29:25800 作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品
2025-06-11 08:59:592501 
继X60和X100之后，进迭时空正在基于开源香山昆明湖架构研发第三代高性能处理器核X200。与进迭时空的第二代高性能核X100相比，X200的单位性能提升75%以上，达到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
Silicon Labs（芯科科技）第三代无线开发平台SoC代表了下一代物联网无线产品开发趋势，该系列产品升级了三大功能特性：可扩展性、轻松升级、顶尖性能，因而得以全面满足未来物联网应用不断扩增
2025-06-04 10:07:39927 的设计中，最常见的集成方式是将 IGBT、MOSFET 与驱动、保护电路整合，这一设计能显著提升系统效率并降低损耗。随着第三代半导体材料（SiC、GaN）的技术突破，在新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、数据中心等高压高频应用场景中，集成第三代
2025-05-29 01:01:009050 
近日，第二十一届中国（深圳）国际文化产业博览交易会启幕。国星光电作为广晟控股集团电子信息板块上市公司，以“光显・艺・未来”为主题亮相展会，通过科技与文化交融的沉浸式场景，展现企业技术创新成果，诠释广晟控股集团企业文化与FAITH经营理念的实践内涵。
2025-05-27 18:08:31941 近日，以“工业AI引领智造升级”为主题的2025 IDC中国CIO峰会在深圳举行。国星光电受邀参会，并凭借参与申报的“国星光电依托云原生架构和技术平台底座的工业软件”项目，荣获“2025 IDC中国
2025-05-27 11:42:261113 MOSFET高输入阻抗与BJT低导通压降，形成四层半导体复合结构（PNPN排列），支持600V以上高压场景 功能特性 ：兼具高频开关与高电流承载能力，导通功耗仅为传统器件的1/5~1/10 SiC（碳化硅）功率器件 第三代宽禁带半导体技术的代表： 材料优势 ：禁带宽度达3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 近日，国星光电全资子公司国星半导体通过权威认证机构的严格审核，顺利获得ISO45001职业健康安全管理体系及ISO50001能源管理体系双认证。
2025-05-22 17:05:39944 ）和碳化硅（SiC），它们在电力电子、射频和光电子等领域展现出卓越的性能。本文将详细探讨第三代半导体的基本特性、优势、应用领域以及其发展前景。
2025-05-22 15:04:051951 随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飞凌的磁传感器门类再添新兵，第三代3D霍尔传感器TLE493D-x3系列在经历两代产品的迭代之后应运而生。
2025-05-22 10:33:421346 
从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
电子发烧友网综合报道 消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推进第三代硅阳极电池的量产进程，将出货时间从原计划的第三季度提前至 6 月底。 这款电池的核心技术在于将负极材料由传统石墨替换为硅材料
2025-05-19 03:02:002928 恩智浦半导体发布采用16纳米FinFET技术的新一代S32R47成像雷达处理器，进一步巩固公司在成像雷达领域的专业实力。S32R47系列是第三代成像雷达处理器，性能比前代产品提升高达两倍，同时改进
2025-05-12 15:06:4353639 制造与封测领域优质供应商榜单。本届大会以\"新能源芯时代\"为主题，汇集了来自功率半导体、第三代材料应用等领域的行业专家与企业代表。
作为专注电子测试测量领域的高新技术企业，麦科
2025-05-09 16:10:01
第三代半导体材料SiC（碳化硅）凭借其高击穿电压、低导通电阻、耐高温等特性，在新能源汽车、工业电源、轨道交通等领域展现出显著优势。然而，SiC器件的高频开关特性也带来了动态测试的挑战：开关速度可达纳
2025-04-22 18:25:42683 
GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。
2025-04-22 17:03:121040 
新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了 《第三代半导体产业-行家瞭望2025》 专题报道。 日前， 意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413668 随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。
2025-04-09 17:25:26985 
第二十届上海国际汽车灯具展览会（ALE）上，国星光电携车外交互、车外灯、智能座舱三大领域创新成果惊艳亮相，凭借行业领先的技术实力，成为展会焦点。
2025-04-01 14:19:00861 近日，第二十届上海国际汽车灯具展览会(ALE)盛大启幕。国星光电(展位号：B-T229)携智能交互车载光应用创新技术方案及相关产品亮相展会，通过车外交互、车外灯、智能座舱三大展区构建沉浸式体验空间，全方位展现国星光电车载LED领域的创新实力与品牌温度。
2025-03-27 17:06:281150 近日，国内首家智能汽车第三代E/E架构AI SoC芯片及解决方案商欧冶半导体宣布，已成功完成数亿元人民币B2轮融资。本轮融资由国投招商、招商致远资本及聚合资本共同投资。
2025-03-25 09:48:28854 日前，广东领益智造股份有限公司（简称“领益智造”）2025年供应商大会于广东深圳领益大厦成功召开。纳微达斯（无锡）半导体有限公司（简称“纳微半导体”）凭借领先的第三代功率半导体技术，与领益智造
2025-03-14 11:51:043895 近日，为期三天的2025国际智慧显示及系统集成展（ISLE 2025）在深圳国际会展中心圆满收官。作为LED封装龙头企业，国星光电以 "全系列、全场景、全覆盖" 创新应用解决方案
2025-03-11 15:21:251018 在2025年3月7日开幕的2025 ISLE国际智慧显示及系统集成展（简称“2025 ISLE”展）上，国星光电展位（展位号：8号馆E01）热闹非凡。
2025-03-10 17:36:461191
亮点 ：国产企业级NVMe主控芯片领军者，第三代PCIe 4.0芯片已量产，正在研发7nm PCIe 5.0产品，客户覆盖数据中心与云计算头部企业。
8. 知存科技（WITINMEM）
领域 ：存算一体
2025-03-05 19:37:43
一谈起低轨卫星，大家势必会说起马斯克的星链。一谈起相控阵天线，大家还是绕不开马斯克的星链。星链给大家打了个样，一众企业在模仿，试图实现超越和跟随。最近，拆了一台第三代星链终端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
近日，威睿电动汽车技术（宁波）有限公司（简称“威睿公司”）2024年度供应商伙伴大会于浙江宁波顺利召开。纳微达斯（无锡）半导体有限公司（简称“纳微半导体”）凭借在第三代功率半导体中的技术创新和协同成果，喜获“优秀技术合作奖”。
2025-03-04 09:38:23969 半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域，成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用，着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。
2025-03-03 14:56:191804 
SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级，芯片面积缩小20%，开关损耗更低，能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业
2025-03-03 11:43:431484 
硅基半导体经过多年发展，其性能逐渐接近极限，在进一步降本增效的背景下，第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48905 
（SoC）作为 BLDC 电机的 “智慧大脑”，其技术演进直接关乎电机性能的提升与应用领域的拓展。近年来，第三代半导体氮化镓（GaN）与人工智能（AI）技术的强势融入，为 BLDC SoC 带来了前所未有
2025-02-26 18:04:534051 近日，在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上，闻泰科技半导体业务凭借其卓越的创新产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”，成功荣获「GaN年度优秀
2025-02-17 13:32:50736 成为行业内的研究热点。本文将重点探讨第三代宽禁带功率半导体器件的封装技术及其应用。二、第三代宽禁带功率半导体器件概述（一）定义与分类第三代宽禁带功率半导体器件是指以碳化
2025-02-15 11:15:301611 
近日，在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上，闻泰科技半导体业务凭借其领先产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”荣获「GaN年度优秀产品奖」。这一荣誉不仅是对闻泰科技半导体业务技术创新的认可，更是对其在第三代半导体领域深耕细作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 2025 亚洲国际功率半导体、材料及装备技术展览会将于2025年11月20-22日在广州保利世贸博览馆举办；展会将汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场，打造功率半导体全产业链创新展示、一站式采购及技术交流平台，集中展示半导体器件、功率模块、第三代半导体、材料、封装技术、测试技术、生产设备、散热管理等热门产品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，中国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，这一突破性进展标志着第三代半导体材料有望牵引中国航天电源系统升级换代，为中国航天事业以及相关制造业的转型升级注入强大动力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061343 “上知天文”“下知地理” 更被外国人称为“神秘的东方力量” 那么今天 我们也一起和这位顶流AI 聊一聊，看一看 它对国星光电了解有多少？ 1 Q DeepSeek，你好！请谈谈你对国星光电的了解。 A：国星光电（佛山国星光电股份有限公司）是中国LED行业的重要企
2025-02-11 10:03:181122 随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展，第三代半导体——氮化镓（GaN）正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年，凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展，创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。
2025-02-07 10:38:501642 
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的谐振转换器参考设计。
2025-02-06 11:31:151134 、新能源、医疗健康、智能制造等领域。 电子科技领域，多个半导体相关项目上榜，涉及传感器、半导体封测、半导体器件、第三代半导体等产业，上榜半导体项目如下： 山东先导智感电子科技有限公司的激光雷达及传感器件生产项目、山东浪潮华光光电子公司的
2025-01-15 11:04:251721 
本文介绍第三代宽禁带功率半导体的应用 在电动汽车的核心部件中，车用功率模块（当前主流技术为IGBT）占据着举足轻重的地位，它不仅决定了电驱动系统的关键性能，还占据了电机逆变器成本的40%以上。鉴于
2025-01-15 10:55:571150 
行业正迎来一场革命性的变革。第三代半导体材料，以其卓越的性能和广泛的应用前景，正逐渐成为推动这一变革的核心力量。 第三代半导体是指以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代
2025-01-08 17:23:51802 
电子发烧友网站提供《EE-230：第三代SHARC系列处理器上的代码叠加.pdf》资料免费下载
2025-01-08 14:43:01
0 2024年，国星光电于市场浪潮中奋进，品牌价值稳步提升。凭借技术自强与创新制胜的优势，在全球LED显示舞台上尽显无与伦比的创新活力与市场领导力，为合作伙伴提供更优越、更优质的LED显示器件产品，成就诸多万众瞩目的高光时刻！
2025-01-07 14:48:171153 电子发烧友网站提供《EE-220：将外部存储器与第三代SHARC处理器和并行端口配合使用.pdf》资料免费下载
2025-01-06 16:12:110
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