0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

单模块支持70kW单相功率,英飞凌氮化镓产品模式再进化

Felix分析 来源:电子发烧友 作者:吴子鹏 2025-05-29 01:01 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

电子发烧友网报道(文 / 吴子鹏)功率模块作为电力电子领域不可或缺的核心组件,承担着电能高效、稳定转换与控制的重任,尤其在对效能、稳定性和可靠性要求极高的场景中,发挥着关键作用。​

在功率模块的设计中,最常见的集成方式是将 IGBTMOSFET 与驱动、保护电路整合,这一设计能显著提升系统效率并降低损耗。随着第三代半导体材料(SiC、GaN)的技术突破,在新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、数据中心高压高频应用场景中,集成第三代半导体的功率模块成为行业热门选择。为应对 AI 数据中心快速发展、电动汽车普及,以及全球数字化和再工业化趋势带来的电力需求挑战,英飞凌推出 EasyPACK™ CoolGaN™ 650V 晶体管模块,进一步扩充其氮化镓(GaN)功率产品矩阵。​

wKgZPGg23zmAJcY8AARZRRrcJfg241.png
英飞凌EasyPACK™,图源:英飞凌

功率模块的特征优势和市场机会

功率模块广泛应用于电源电机驱动、新能源等领域。根据功能与应用场景差异,可将其分为整流模块、逆变模块和开关模块。这三类模块在电能转换路径、核心器件和技术要求上各有特点,共同构建起电力电子系统的基础架构。

整流模块作为电源系统的前端,核心功能是将交流电(AC)转换为直流电(DC)。其工作原理基于半导体器件的单向导电性,借助桥式整流电路实现电能方向的统一。依据应用需求,可细分为不可控整流(如二极管桥式整流)、半控整流(晶闸管 + 二极管组合)和全控整流(IGBT/MOSFET 全控器件)。

逆变模块的核心功能是将直流电(DC)逆向转换为交流电(AC)。其通过 PWM(脉冲宽度调制)技术控制开关器件通断,生成特定频率和幅值的交流电,广泛应用于电机驱动、新能源发电等场景。在车载市场,基于 SiC 的逆变模块正逐步取代 IGBT 逆变模块;在新能源领域,并网友好型设计促使逆变模块集成电网阻抗自适应控制,支持虚拟同步机(VSG)功能,有效提升新能源并网稳定性。

开关模块主要负责电能的通断控制与变换,应用场景涵盖 DC-DC 转换、变频调速、负载切换等。其通过高频开关动作(数万至兆赫兹级)实现能量传递与调节,是电源适配器、变频器、新能源汽车 OBC 等设备的核心部件。​

Yole Intelligence 发布的《Status of the Power Module Packaging Industry 2024》报告显示,全球功率模块市场将以 12% 的复合年增长率持续扩张,预计到 2029 年市场规模将达 160 亿美元。其中,电动汽车(xEV)成为推动市场增长的关键动力,预计到 2029 年将占据市场主导地位。此外,该报告还分析了智能功率模块(IPMs)的市场动向、基于宽禁带(WBG)技术的功率模块发展趋势,以及整体封装技术的演变方向。

英飞凌推出 EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块

英飞凌 EasyPACK™ CoolGaN™ 650V 功率模块集成了该公司最新一代 CoolGaN™ 650V G5 晶体管,在性能和品质因数方面均有显著提升。

CoolGaN™ 650V G5 晶体管具备诸多优异特性。其基于高性能 8 英寸内部铸造工艺,采用增强模式(电子模式),拥有超快的开关能力,有效提升了系统效率和功率密度。该晶体管具备出色的反向传导能力与卓越的换向坚固性,且无反向恢复电荷;常闭晶体管技术保障了运行安全,提升了系统效率和可靠性,使其在严苛条件下仍能保持稳定性能。英飞凌数据显示,CoolGaN™ 650V G5 晶体管产品输出电容能量(Eoss)减少 50%,漏源电荷(Qoss)和栅极电荷(Qg)均减少 60%。凭借这些特性,该产品在硬开关和软开关应用中均能实现更高效率,相比传统半导体技术,功率损耗可降低 20% - 60%。CoolGaN™ 650V G5 晶体管产品系列提供多种 RDS (on) 封装组合,目前已推出十种 RDS (on) 级产品,涵盖 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT 等多种 SMD 封装形式。​

EasyPACK™是英飞凌极为成功的产品形态,累计售出超 7,000 万个模块。这些模块采用不同芯片组,广泛应用于各类工业和汽车领域。在该封装中引入 CoolGaN™技术,进一步拓展了 GaN 的应用范围,而 GaN 的应用也将推动超高千瓦应用需求的增长。

据英飞凌介绍,EasyPACK™ CoolGaN™模块单个模块可提供最高 70kW 的单相功率,能够支持具有扩展能力的紧凑型大功率系统。此外,该模块通过将英飞凌的.XT 互连技术与多种 CoolGaN™选项相结合,提升了性能和可靠性。随着.XT 技术在高性能衬底上的应用,热阻大幅降低,不仅提高了系统效率,还减少了冷却需求,使模块在严苛工作条件下仍能保持高功率密度和出色的循环稳健性。EasyPACK™ CoolGaN™模块支持多种拓扑结构和定制选项,可满足工业和能源领域的多样化应用需求。

此前,英飞凌在 2025 财年第一季度财务报告中指出,2023 年全球功率器件和功率模块市场规模约为 357 亿美元,英飞凌位居市场首位。EasyPACK™ CoolGaN™ 650V 晶体管模块的推出,将进一步增强英飞凌功率模块的产品竞争力,助力其持续巩固在该细分领域的领先地位。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    69

    文章

    2595

    浏览量

    143281
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    67

    文章

    1923

    浏览量

    120237
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    氮化+MCU赋能高效OBC:大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势

    大联大控股旗下诠鼎集团宣布,携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活动聚焦英飞凌CoolGaN™ 车规级
    的头像 发表于 05-11 11:24 1149次阅读

    内置氮化成主流?AHB技术你又了解多少?

    帮助整机提升效率、降低热损耗、支持功率密度设计的 AHB 方案,有望继续获得更多厂商关注;尤其是与 GaN、高集成控制器结合后,其工程价值还会进一步提升。 而在这其中,内置氮化已成
    发表于 04-18 10:35

    意法半导体推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    从快充充电器到工业自动化,氮化正成为高功率密度电源设计的核心选择。意法半导体近日推出四款全新VIPERGAN氮化
    的头像 发表于 04-11 16:17 4533次阅读
    意法半导体推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>功率</b>器件

    意法半导体推出氮化功率开关管半桥模块MasterGaN6

    意法半导体推出了MasterGaN系列氮化功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6,该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的B
    的头像 发表于 03-20 15:44 1882次阅读

    CHA6154-99F三级单片氮化(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三级单片氮化(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三级单片氮化
    发表于 02-04 08:56

    新品 | 英飞凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化双向开关

    新品英飞凌第五代CoolGaNBDS650V氮化双向开关CoolGaNG5系列650V双向开关(BDS)是一款单片集成器件,能够在两个方向上主动阻断电压和电流。它在电力电子领域,特别是在实现单级
    的头像 发表于 01-19 17:14 2973次阅读
    新品 | <b class='flag-5'>英飞凌</b>第五代CoolGaN™ BDS 650V <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>双向开关

    氮化上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证

    直流变换器高度集成,功率密度达4.8kW/L,较传统方案提升30%,重量减轻20%。这意味着,更小体积的电源模块却能提供更高功率的充电效率。 随着800V高压平台在电动汽车中的普及,对
    的头像 发表于 01-09 11:11 2385次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>上车进行时:从器件特性到系统效率的全面验证

    泰克科技助力氮化技术在新能源汽车领域应用落地

    2025年12月,汇川联合动力与英诺赛科共同宣布,采用650V氮化的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化技术在中
    的头像 发表于 01-08 13:51 6015次阅读

    CHA8107-QCB两级氮化(GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB两级氮化(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款两级氮化
    发表于 12-12 09:40

    “芯”品发布|未来推出“9mΩ”车规级 GaN FET,打破功率氮化能效天花板!

    )。这款完全符合汽车 AEC-Q101 标准的 650V 氮化分立器件,以全球最小的 9mΩ 导通电阻(Rds(on)),引起行业内广泛关注,迅速成为氮化
    的头像 发表于 11-27 16:17 2144次阅读

    请问芯源的MOS管也是用的氮化技术嘛?

    现在氮化材料技术比较成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技术嘛?
    发表于 11-14 07:25

    新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化功率晶体管G5

    列GaN氮化晶体管现新增底部散热型ThinPAK8x8和DPAK封装版本,专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。产品型号:■IGD70R500D2■IGD7
    的头像 发表于 11-03 18:18 3243次阅读
    新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>功率</b>晶体管G5

    英飞凌12英寸氮化晶圆可扩展生产步入正轨,四季度可交付样品

    制造商 (IDM) 为主的生产策略能提供更高质量的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。 英飞凌氮化业务线负责人 Johan
    的头像 发表于 07-07 18:10 4172次阅读

    氮化电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化

    氮化电源芯片U8722CAS打嗝模式实现噪音和纹波最优化打嗝模式本质为电源保护机制(如短路保护),优化需在保障可靠性的前提下进行。高频噪声问题需协同芯片设计、封装工艺及PCB布局综合
    的头像 发表于 06-12 15:46 1288次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>电源芯片U8722CAS打嗝<b class='flag-5'>模式</b>实现噪音和纹波最优化

    如何在开关模式电源中运用氮化技术

    摘要 本文阐释了在开关模式电源中使用氮化(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案,可提供必要的功能,打造稳固可靠的设计。此外,本文还建议将
    发表于 06-11 10:07