串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极串接一个电阻，则电阻输入端电压必须高于（Vo+1）以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:00
1844 Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
射频和微波应用提供通用宽带解决方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽功能，使 CGH40045 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用法兰
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11291 
无论是在太空还是在地面，这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。
2023-09-28 17:44:221864 
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51686 
CHK8101-SYC 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合空间和电信等多用途应用CHK8101-SYC 采用 0.5μm 栅极长度
2023-08-10 10:47:29
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968 
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:49:41
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-07 15:02:04
320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有
2023-08-07 14:40:06
200W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40200PP
2023-08-07 14:23:55
200W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40200PP
2023-08-07 14:13:01
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:46:18
75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能
2023-08-07 13:39:03
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-07 11:19:46
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:35:51
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波
2023-08-07 10:33:50
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:31:47
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:26:30
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-07 10:23:54
5-W；0.5 - 2.7 GHz；50V；用于功率放大器的 GaN MMIC CMPA0527005F 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的封装单片微波
2023-08-07 10:16:21
180W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:29:54
180W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:27:38
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
通用用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 效率高；高增益和宽带宽能力；使 CGH40120 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管
2023-08-07 09:15:24
迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH21120F 非常适合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷
2023-08-07 09:00:48
25W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 15:59:00
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 15:39:32
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28225 15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:44:13
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:39:48
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010
2023-08-03 13:36:27
10W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 12:01:16
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-03 11:33:36
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-03 11:26:41
Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源轨运行；提供通用用途；适用于各种射频和微波
2023-08-03 11:23:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片
2023-08-03 11:11:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 11:07:32
(HBT)
AlgaAs/GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 用于频率高达 Ku 频段的数字和模拟微波应用。HBT 可以提供比硅双极晶体管更快的开关速度，主要是因为基极电阻和集电极到基板的电容降低
2023-08-02 12:26:53
CMPA2560025F是一种高电子迁移率的氮化镓（GaN）基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能，包括击穿电压越高，饱和电子漂移速度越高导热性
2023-07-05 15:04:32
1 由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061220 
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 
，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封装形式氮化镓高电子迁移率晶体管。此电源条为其他射频电源技术应用提供通用型和光纤宽带解决方案。CHKA012bSYA特别适合雷达探测和电信网络等多功能
2023-05-19 11:30:19277 UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。CHK8101-SYC为各类射频功率技术应用提供通用型和宽带解决方案。CHK8101-SYC特别适合多功能技术应用，例如空间
2023-05-15 11:24:30168 NPTB00004BGaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款针对 DC - 6 GHz 操作优化的功率晶体管
2023-04-25 16:42:38
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
频率操作的硅基 GaN HEMT D 型晶体管。该器件支持 CW 和脉冲操作，峰值输出功率水平为 2 W (33 dBm)，采用塑料封装。MAGX-100027-0
2023-04-25 16:12:40
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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