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电子发烧友网>今日头条>军用、航空系统从 GaN 和 SiC 功率器件中获得巨大提升

军用、航空系统从 GaN 和 SiC 功率器件中获得巨大提升

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OBC和低压DC/DC的集成设计可以减小系统的体积;提高功率密度,降低成本。宽带隙半导体器件GaN带来了进一步发展的机遇提高电动汽车电源单元的功率密度
2023-06-16 06:22:42

SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

最重要的器件之一,在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551652

AEC-Q101|SiC功率器件高温反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高温、耐高压、低开关损耗等特性,能有效实现电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499

SJ MOSFET的应用及与SiCGaN的比较

超结(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来,在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN功率器件,我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389

军用电子元器件二筛,进口元器件可靠性筛选试验

综合老炼检测系统 分立器件间歇寿命试验系统 电容器高温老炼检测系统功率晶体管老炼检测系统 继电器低电平寿命筛选系统 继电器电平寿命筛选系统 继电器高电平寿命筛选系统 寿命筛选能力主要覆盖
2023-06-08 09:17:22

GaN HEMT大信号模型

GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374

功率GaN RF放大器的热考虑因素

,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626

如何提高系统功率密度

功率器件领域,除了围绕传统硅器件本身做文章外,材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如,在谈论功率密度时,GaN(氮化镓)凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势,能够帮助厂商大幅提升系统密度,而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741

功率放大器在5G的作用是什么

应用,PAM 可以将驱动放大器和末级放大器集成到单个封装,而不是将它们用作分立电路模块。通过将整个功率放大器系统集成到单个模块,我们可以获得许多重要的结果(图 1)。 图 1:Qorvo
2023-05-05 09:38:23

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

GaN功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793

绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺

传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735

什么是GaN氮化镓?Si、GaNSiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212335

GaN:RX65T300的原理、特点及优势

、光伏发电、光伏逆变器等领域。 GaN功率器件有哪些优势?功率密度高,开关速度快,损耗低,功耗小;高频高速,可以有效降低系统成本;可在更高频率下工作;更高的散热能力和可靠性。 GaN的优势 GaN功率器件是在传统的硅基功率器件上叠加了
2023-04-21 14:05:42831

氧化镓有望成为超越SiCGaN性能的材料

氧化镓有望成为超越SiCGaN性能的材料,有望成为下一代功率半导体,日本和海外正在进行研究和开发。
2023-04-14 15:42:06363

SiC和Si的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

,很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率器件的先进企业,能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案,并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13

SiCGaN的共源共栅解决方案

GaNSiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备,其中许多每天运行数小时,因此节省的能源将是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296

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