摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，晶面是该
2022-01-25 13:51:11
2855 
结构。因此，<100>硅的各向异性蚀刻是普通基于MEMS的技术中实现三维结构的关键过程。这些结构包括晶体管的v形凹槽、喷墨的小孔和MEMS压力传感器的隔膜。实际的反应机理尚不清楚，该过程
2022-03-08 14:07:252479 
的使用量，同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液（硫酸/过氧化氢混合液）工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素，以目前国内外技术水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151635 
的蚀刻溶液内进行蚀刻。（图3、图4） 在连接到阳兢的半导体硅基板上，将连接到阴极的铂线缠绕在夹子上的铂电极对向，在夹子中放入氮气泡泡，通过该泡泡注入地素的半导体硅基板的蚀刻方法，一种半导体硅基板的蚀刻方法，使氮气泡沫器与
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:493096 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，通过使用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化硅化合物的反应
2022-05-06 15:49:501922 
在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。
2022-05-24 14:27:263001 
本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅，以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm，蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子，又由于一价铜离子总是与氨的络合
2018-11-26 16:58:50
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
的实验结果。确定了几个可能影响粘附的因素，并使用实验设计 (DOE) 方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显着的附着力改进是在光刻胶涂层之前立即加入天然氧化物蚀刻。除了提高附着力外，这种预涂层处理
2021-07-06 09:39:22
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
摘要：在印制电路制作过程中，蚀刻是决定电路板最终性能的最重要步骤之一。所以，研究印制电路的蚀刻过程具有很强的指导意义，特别是对于精细线路。本文将在一定假设的基础上建立模型，并以流体力学为理论基础
2018-09-10 15:56:56
印制电路板的蚀刻可采用以下方法: 1 )浸入蚀刻; 2) 滋泡蚀刻; 3) 泼溅蚀刻; 4) 喷洒蚀刻。 由于喷洒蚀刻的产量和细纹分辨率高，因此它是应用最为广泛的一项技术。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
别研究开发成功并首先在该站应用，还经过多次技术改造日趋成熟完备，取得了非常良好的经济效益和环境、社会效益，为保障深圳经济与环境的协调持续发展做出贡献。1998年，其中的硫酸铜、碱性蚀刻液生产技术
2018-11-26 16:49:52
产品都含有价铜离子的特殊配位基(一些复杂的溶剂)﹐其作用是降低一价铜离子(产品具有高反应能力的技术秘诀)﹐可见一价铜离子的影响是不小的。 将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片与工作台面间的空间小，气体喷出凹槽喷出的气体对蚀刻液会形成阻力，造成蚀刻液回渗太少，去除晶片边缘上的硅针效果不佳。 为了克服现有技术的不足，本发明的目的是为了解决上述问题而提供一种晶片边缘的蚀刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧质量浓度的控制还没有找到更好的方法,如果臭氧浓度过高,不仅会加大设备造价,同时又会对人体有危害,而臭氧浓度太小,又难以达到满意效果.所以将现代检测控制技术应用于臭氧发生设备系统中,实现臭氧质量浓度的有效控制是一个值得研究的课题.
2011-03-04 14:12:09
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 4 IBE 技术规格型号4 IBE样品数量尺寸4”φ
2022-11-07 16:30:42
综述了1986 年以来辅助电极型硅传感器的开发研制与应用情况,包括辅助电极材料的选择及其优缺点,提出了对辅助电极材料的改进意见,认为今后开展辅助电极与被测熔体中元素(如碳)
2009-07-02 08:48:12
15 基于频率跟踪型PWM控制的臭氧发生器电源的研究
1 概述
臭氧的强氧化能力和杀菌能力使其在水处理、化学氧化、食品加工和医疗卫生
2009-07-04 11:43:252829 
印制线路板的蚀刻技术
2009-09-08 14:53:52618 
印制电路板的蚀刻设备和技术
印制电路板的蚀刻可采用以下方法:
1 )浸入蚀刻;
2) 滋泡蚀刻;
3)
2009-11-18 08:54:212815
汽车氧吧的臭氧浓度 臭氧浓度表示了汽车氧吧产生臭氧的能力，是指单位体积内臭氧的重量之和
2010-01-04 14:00:461012 大功率臭氧发生器逆变电源的研究与设计，下来看看。
2016-03-28 15:01:4146 用于测试橡胶及其制品的耐臭氧老化性能。大气中的臭氧含量很少，却是橡胶龟裂的主要因素，臭氧老化试验箱模拟和强化大气中的臭氧条件，研究臭氧对橡胶的作用规律，快速鉴定和评价橡胶抗臭氧老化性能和抗臭氧剂防护效能，从而采取有效的防老化措施，以提高橡胶制品的使用寿命。
2019-06-12 16:38:30880 人们对臭氧的认识是从臭氧消毒杀菌中获得的。臭氧消毒技术由德国化学家C．F ．舍尔邦于1840年发明，并于1856年用于水处理和消毒行业。目前，臭氧已经广泛应用于水处理、空气净化、食品加工、医疗、医药、水产养殖等领域，极大地促
2020-10-26 10:28:363920 1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，仅此而已。在PCB制造过程中，如果要精确地
2021-04-12 13:48:0046455 
臭氧老化试验箱 臭氧老化箱模拟和强化大气中的臭氧条件，研究臭氧对织物色牢度的作用规律，快速鉴定和评价织物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧试验箱由臭氧控制系统、温度控制系统、湿度控制系统组成:臭氧
2021-06-03 14:38:081435 单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔，它们在器件中有很大的应用。
2021-12-17 15:26:071452 
低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术，我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。
2021-12-22 10:17:211405 引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 陶瓷很难蚀刻。它们的化学惰性使它们非常稳定，并且通常需要热蚀刻技术来获得它们的微结构。我们介绍一项旨在简化陶瓷蚀刻过程的技术。 陶瓷有着广泛的应用，从简单的绝缘材料到非常复杂的外科植入物，如
2021-12-23 16:38:271068 引言 通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构
2022-01-04 17:15:351141 
不可预测地改变了蚀刻剂的质量。 为了解决成分变化的问题，研究开始了确定一种可靠的分析蚀刻剂的方法。当分析程序最终确定时，将建立一个控制程序，其中蚀刻剂成分将保持尽可能接近一个固定的值。经过尝试的各种分析技术，
2022-01-07 16:47:461281 
上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。 为了在低氢氧化钾浓度下获得低粗糙度的(100)表面，蚀刻溶液必须含有饱和水平的异丙醇。在我们的研究中，我们研究了异丙醇浓度对具有不同晶体取向的硅衬底的蚀刻速率和表面形态的影响。还研究了氢氧化钾浓度对(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48754 
介绍 在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究
2022-01-20 16:46:481197 
介绍 本文通过详细的动力学研究，阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后，我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:132458 
等离子体辅助刻蚀的基础简单；使用气体辉光放电来离解和离子化相对稳定的分子，形成化学反应性和离子性物质，并选择化学物质，使得这些物质与待蚀刻的固体反应，形成挥发性产物。等离子体蚀刻可分为单晶片和分批
2022-02-14 15:22:072393 
我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60 时 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微机电系统中任意三维硅结构的微加工可以用灰度光刻技术实现以及干各向异性蚀刻。 在本研究中，我们研究了深反应离子蚀刻（DRIE）的使用和蚀刻的裁剪精密制造的选择性。 对硅负载、O2阶跃的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理，虽然没有完全理解，将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:421074 
通过使用各向同性和各向异性工艺，可以高精度地创建由硅湿法蚀刻产生的微观结构。各向同性蚀刻速度更快，但可能会在掩模下蚀刻以形成圆形。可以更精确地控制各向异性蚀刻，并且可以产生具有精确尺寸的直边。在每种
2022-03-09 16:48:343460 
缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工艺之前，请仔细阅读材料安全数据表。
2022-03-10 16:43:352248 
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义，这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:111211 
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00966 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:344201 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究，多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化
2022-03-25 16:33:491013 
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本研究根据蚀刻条件的变化，对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析，并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性，并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-07 16:16:39907 
引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05913 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-22 14:04:191138 
为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:371285 
金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而，铜膜的粘附性可能非常弱，并且容易剥离。在本研究中，研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学镀前
2022-04-29 15:09:061103 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂
2022-05-05 16:37:364132 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后重复测量，确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率，通过
2022-05-06 15:50:39939 
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
我们介绍了在氢氧化钾溶液中蚀刻的车轮图案和宽分离的V形槽的硅蚀刻速率测量。数据表明，当使用货车轮图案时，存在反应物耗尽效应，这掩盖了真实的表面反应速率限制的蚀刻速率。与以前的报道相反，从受反应物传输
2022-05-11 16:30:56659 
我们华林科纳研究了TMAH溶液中摩擦诱导选择性蚀刻的性能受蚀刻温度、刻蚀时间和刮刻载荷的影响，通过对比试验，评价了硅摩擦诱导的选择性蚀刻的机理，各种表面图案的制造被证明与控制尖端痕迹划伤。 蚀刻时间
2022-05-20 16:37:453558 
本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响，以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以被
2022-05-20 17:12:591881 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:482252 
高效交错背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，以提供足够的家庭消费能源。我们认为，即使在20μm的厚度下，借助光捕获方案，适当钝化的IBC电池也能保持20%的效率。在这项工作中，光刻和蚀刻技术被用于对厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蚀刻。
2022-06-28 11:20:261 在本研究中，我们华林科纳研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率，保持浴液温度恒定，并比较了含有相同浓度的酸的溶液，对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究，试图阐明这些浴液中的溶解机制。
2022-07-04 15:59:582966 
臭氧是目前空气污染源中最常见的一种。臭氧虽然来去无踪，但对健康的危害不容忽视。臭氧浓度达到50%ppb(十亿分率，1ppb也就是十亿分之一)，人就会开始出现鼻粘膜和咽喉粘膜的影响，随着浓度的增加
2022-11-21 15:20:594646 硅光(SiliconPhotonics)技术是指用成熟的硅基工艺，在硅基底上直接蚀刻或集成电芯片、调制器、探测器、光栅耦合器、光波导、合分波器、环形器等器件。
2022-12-13 11:20:261884 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:438844 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:001595 
蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:122602 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112991 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:541476 
关键词：氢能源技术材料，耐高温耐酸碱耐湿胶带，高分子材料，高端胶粘剂引言：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:169529 
是最常用的一种原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通过光谱技术来测量臭氧浓度。 二、臭氧检测仪的应用领域 1. 环境监测 环境监测部门使用臭氧检测仪对大气中的臭氧浓度进行实时监测，以评估空气质量。通过长
2023-06-26 16:48:242225 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03922 
臭氧老化试验箱是一种专门用于模拟和测试材料在臭氧环境下的老化性能的设备。这种设备广泛应用于橡胶、塑料、涂料等高分子材料的研究、生产和质量控制等领域。本文将介绍臭氧老化试验箱的基本原理、技术
2023-08-22 10:16:311830 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:391593 
过程中起着重要的作用。这种制造过程通常需要与埋着的SiGe薄膜接触。与这些埋地区域接触需要蚀刻硅并在薄薄的SiGe层中停止。 因此，为了实现精确的图案转移，我们需要一种可控蚀刻的方法。不幸的是，针对SiGe选择性的RIE技术尚未被发现。幸运的是
2023-12-28 10:39:511694 
蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:451302 
电子发烧友App
工商网监
评论