引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种
2021-12-29 13:21:46
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摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度
2022-01-07 15:40:121194 
被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对应的部分。蚀刻后的晶体表面的形状与同一溶液中沿同一方向蚀刻的凹槽的轮廓密切相关。 介绍 本文研究（100）砷化镓在硫酸、过氧化氢和水溶液中的化学蚀刻具有重要的技术和科学意义。该解决方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
的使用量，同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液（硫酸/过氧化氢混合液）工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素，以目前国内外技术水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151036 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
最近在做毕设，臭氧传感器哪位大侠有用过，求介绍比较顺手的，用来做室内监测
2016-12-28 08:56:57
我在做一个臭氧发生器和负离子发生器，电路图如左，上面大部分电阻没标功率，请问是1/4W吗？急急急，313185070@qq.com
2012-08-27 08:22:59
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
速率）。MIMO技术对于传统的单天线系统来说，能够大大提高频谱利用率，使得系统能在有限的无线频带下传输更高速率的数据业务。目前，各国已开始或者计划进行新一代移动通信技术（后3G或者4G）的研究，争取在
2019-07-11 07:39:51
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
的厚度对电路图形的导线密度有着重要影响。铜箔薄，蚀刻时间短，侧蚀就很小；反之，侧蚀就很大。所以，必须根据设计技术要求和电路图形的导线密度及导线精度要求，来选择铜箔厚度。同时铜的延伸率、表面结晶构造等
2018-09-11 15:19:38
对电路图形的导线密度有着重要影响。铜箔薄，蚀刻时间短，侧蚀就很小；反之，侧蚀就很大。所以，必须根据设计技术要求和电路图形的导线密度及导线精度要求，来选择铜箔厚度。同时铜的延伸率、表面结晶构造等，都会
2013-10-31 10:52:34
具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm，蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子，又由于一价铜离子总是与氨的络合
2018-11-26 16:58:50
作用是降低一价铜离子（这些即是他们的产品具有高反应能力的技术秘诀 ），可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价
2018-09-13 15:46:18
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
的实验结果。确定了几个可能影响粘附的因素，并使用实验设计 (DOE) 方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显着的附着力改进是在光刻胶涂层之前立即加入天然氧化物蚀刻。除了提高附着力外，这种预涂层处理
2021-07-06 09:39:22
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
摘要：在印制电路制作过程中，蚀刻是决定电路板最终性能的最重要步骤之一。所以，研究印制电路的蚀刻过程具有很强的指导意义，特别是对于精细线路。本文将在一定假设的基础上建立模型，并以流体力学为理论基础
2018-09-10 15:56:56
印制电路板的蚀刻可采用以下方法: 1 )浸入蚀刻; 2) 滋泡蚀刻; 3) 泼溅蚀刻; 4) 喷洒蚀刻。 由于喷洒蚀刻的产量和细纹分辨率高，因此它是应用最为广泛的一项技术。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
别研究开发成功并首先在该站应用，还经过多次技术改造日趋成熟完备，取得了非常良好的经济效益和环境、社会效益，为保障深圳经济与环境的协调持续发展做出贡献。1998年，其中的硫酸铜、碱性蚀刻液生产技术
2018-11-26 16:49:52
产品都含有价铜离子的特殊配位基(一些复杂的溶剂)﹐其作用是降低一价铜离子(产品具有高反应能力的技术秘诀)﹐可见一价铜离子的影响是不小的。 将一价铜由5000ppm降至50ppm,蚀刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片与工作台面间的空间小，气体喷出凹槽喷出的气体对蚀刻液会形成阻力，造成蚀刻液回渗太少，去除晶片边缘上的硅针效果不佳。 为了克服现有技术的不足，本发明的目的是为了解决上述问题而提供一种晶片边缘的蚀刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧质量浓度的控制还没有找到更好的方法,如果臭氧浓度过高,不仅会加大设备造价,同时又会对人体有危害,而臭氧浓度太小,又难以达到满意效果.所以将现代检测控制技术应用于臭氧发生设备系统中,实现臭氧质量浓度的有效控制是一个值得研究的课题.
2011-03-04 14:12:09
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
即是他们的产品具有高反应能力的技术秘诀 ),可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm，蚀刻速率会提高一倍以上。 由于蚀刻反应过程中生成大量的一价铜离子，又由于一价铜离子
2018-09-19 15:39:21
, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 4 IBE 技术规格型号4 IBE样品数量尺寸4”φ
2022-11-07 16:30:42
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工
2022-11-07 16:38:17
一种改良过的适用于生产超精密板的蚀刻技术 Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152143 基于频率跟踪型PWM控制的臭氧发生器电源的研究
1 概述
臭氧的强氧化能力和杀菌能力使其在水处理、化学氧化、食品加工和医疗卫生
2009-07-04 11:43:251842 
印制线路板的蚀刻技术
2009-09-08 14:53:52475 
印制电路板的蚀刻设备和技术
印制电路板的蚀刻可采用以下方法:
1 )浸入蚀刻;
2) 滋泡蚀刻;
3)
2009-11-18 08:54:212158
汽车氧吧的臭氧浓度 臭氧浓度表示了汽车氧吧产生臭氧的能力，是指单位体积内臭氧的重量之和
2010-01-04 14:00:46837 大功率臭氧发生器逆变电源的研究与设计，下来看看。
2016-03-28 15:01:41
41 典型调节方式下串联谐振供电的DBD型臭氧发生器负载调节特性研究_唐雄民
2017-01-04 16:45:456 臭氧发生器是用于制取臭氧的设备装置。臭氧易于分解无法储存需现场制取现场使用（但是在特殊的情况下是可以进行短时间的储存），凡是能用到臭氧的场所均需使用臭氧发生器。臭氧发生器在自来水，污水，工业氧化，空间灭菌等领域广泛应用。
2018-01-30 09:37:2722448 本文首先介绍了蚀刻机的分类及用途，其次阐述了蚀刻机的配件清单，最后介绍了蚀刻机的技术参数及应用。
2018-04-10 14:38:324723 如何控制臭氧？ 结合臭氧的成因，控制臭氧就是要从前提物上进行控制，简而言之就是控制源头。其实我们现在控制PM2.5前提物，也是在控制臭氧的前提物，因为这两个的前提物是重合的，一个是氮氧化物，一个是
2018-06-22 10:35:144083 蚀刻液的种类：不同的蚀刻液化学组分不同，其蚀刻速率就不同，蚀刻系数也不同。例如：酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:27:366335 通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 用于测试橡胶及其制品的耐臭氧老化性能。大气中的臭氧含量很少，却是橡胶龟裂的主要因素，臭氧老化试验箱模拟和强化大气中的臭氧条件，研究臭氧对橡胶的作用规律，快速鉴定和评价橡胶抗臭氧老化性能和抗臭氧剂防护效能，从而采取有效的防老化措施，以提高橡胶制品的使用寿命。
2019-06-12 16:38:30566 与环境研究）臭氧敏感人群主要包含四类：儿童：儿童是臭氧暴露的最高危人群。儿童是哮喘和其他呼吸病的高发人群，而且在暑假期间社区活动和夏令营户外活动多。长期处于户外的成年人：在户外进行长期或剧烈运动、工作
2019-09-06 21:33:572225 该款仪器是利用254nm紫外光测定臭氧气体浓度的基础上细分出来的产品，由通气改为通水。应用臭氧溶解于水的浓度监测，可以测定极高浓度的臭氧水，且无需任何测试辅助试剂。
2020-03-14 14:24:42524 一、蚀刻的目的 蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分铜蚀刻去，形成线路。 蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻，内层采用酸性蚀刻，湿膜或干膜为抗蚀剂；外层采用碱性蚀刻
2020-12-11 11:40:587458 人们对臭氧的认识是从臭氧消毒杀菌中获得的。臭氧消毒技术由德国化学家C．F ．舍尔邦于1840年发明，并于1856年用于水处理和消毒行业。目前，臭氧已经广泛应用于水处理、空气净化、食品加工、医疗、医药、水产养殖等领域，极大地促
2020-10-26 10:28:362428 随着全球电子产品市场的需求升级和快速扩张，电子产品的小型化、高精密、超细线路印制电路板技术正进入一个突飞猛进的发展时期。为了能满足市场不断提升的需求，特别是在超细线路技术领域，传统落后的蚀刻技术正被
2022-12-26 10:10:331688 1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，仅此而已。在PCB制造过程中，如果要精确地
2021-04-12 13:48:0031004 
臭氧老化箱模拟和强化大气中的臭氧条件，研究臭氧对织物色牢度的作用规律，快速鉴定和评价织物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧试验箱由臭氧控制系统、温度控制系统、湿度控制系统组成:臭氧控制系统由臭氧发生器
2021-02-05 14:17:14745 臭氧老化试验箱 臭氧老化箱模拟和强化大气中的臭氧条件，研究臭氧对织物色牢度的作用规律，快速鉴定和评价织物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧试验箱由臭氧控制系统、温度控制系统、湿度控制系统组成:臭氧
2021-06-03 14:38:081126 臭氧检测仪主要用于臭氧发生器管道内的臭氧浓度测量，可连续在线检测臭氧发生器出口管道中臭氧浓度。主要用于连续检测各种工业环境下的臭氧气体，也可用于检测运行中的管道、容器等环境的臭氧气体。广泛应用于制药
2021-07-08 11:42:104077 、宠物除臭等一系列冷门但刚需的应用几乎把“臭氧”划拨到万能领域。臭氧是否真的那么灵？ 就在人们还在花时间去消化和实践臭氧在不同场景下的实际性和真实性的时候，臭氧对于新冠病毒的“灭活”作用的研究和说法，可谓说真
2021-10-28 09:21:456344 
引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
引言 陶瓷很难蚀刻。它们的化学惰性使它们非常稳定，并且通常需要热蚀刻技术来获得它们的微结构。我们介绍一项旨在简化陶瓷蚀刻过程的技术。 陶瓷有着广泛的应用，从简单的绝缘材料到非常复杂的外科植入物
2021-12-23 16:38:27532 现在，臭氧检测仪运用最多的是电化学技能原理。因为电化学技能成本低、性能也相对安稳、检测作用好。臭氧检测仪具有PPB等级的分辨率，能够剖析捕捉空气中PPB等级的臭氧气体浓度，并进行实时反应。关于电化学
2021-12-30 10:44:43552 不可预测地改变了蚀刻剂的质量。 为了解决成分变化的问题，研究开始了确定一种可靠的分析蚀刻剂的方法。当分析程序最终确定时，将建立一个控制程序，其中蚀刻剂成分将保持尽可能接近一个固定的值。经过尝试的各种分析技术，
2022-01-07 16:47:46840 
上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。 为了在低氢氧化钾浓度下获得低粗糙度的(100)表面，蚀刻溶液必须含有饱和水平的异丙醇。在我们的研究中，我们研究了异丙醇浓度对具有不同晶体取向的硅衬底的蚀刻速率和表面形态的影响。还研究了氢氧化钾浓度对(
2022-01-13 13:47:261156 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 
商业材料，它们的广泛应用是由于其优异的导电性和导热性、易于制造和良好的强度。本研究考察了铜及其合金的可能的蚀刻剂。该研究还旨在提供关于在铜和铜合金的湿法蚀刻工艺中使用各种蚀刻剂引起的安全、健康和环境问题的信息
2022-01-20 16:02:241860 
介绍 本文通过详细的动力学研究，阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后，我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:131340 
基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:58727 
现在，臭氧检测仪运用最多的是电化学技能原理。因为电化学技能成本低、性能也相对安稳、检测作用好。臭氧检测仪具有PPB等级的分辨率，能够剖析捕捉空气中PPB等级的臭氧气体浓度，并进行实时反应。关于电化学
2022-02-11 17:58:14446 我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60
2022-03-04 15:07:09845 
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43336 
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-06 13:29:19666 
本研究根据蚀刻条件的变化，对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析，并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性，并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-07 16:16:39398 
混合物中的扩散控制溶解过程通过改变流量形成各种形态 蚀刻混合物的速度[4，5]超声波辅助导致蚀刻的高速运动 晶片表面的混合物。
2022-04-12 14:10:22361 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05406 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-22 14:04:19591 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后重复测量，确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率，通过
2022-05-06 15:50:39366 
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示
2022-05-11 15:46:19730 
本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响，以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以
2022-05-20 17:12:59853 
Gravity:臭氧传感器的探头已经经过出厂标定，可以快速、准确的测量环境中臭氧的浓度。可广泛应用于工业及环保领域进行臭氧的检测。
2022-05-23 17:51:572915 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481113 
蚀刻，加入CHCI以控制各向异性。大量的氦有助于光致抗蚀剂的保存。已经进行了支持添加剂作用的参数研究。 高速率各向异性等离子体蚀刻工艺对于提高加工VLSI晶片器件的机器的效率非常重要。这篇论文描述了这样一种用于以高速率( 5000埃/分
2022-06-13 14:33:14904 
高效交错背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，以提供足够的家庭消费能源。我们认为，即使在20μm的厚度下，借助光捕获方案，适当钝化的IBC电池也能保持20%的效率。在这项工作中，光刻和蚀刻技术被用于对厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蚀刻。
2022-06-28 11:20:260 在本研究中，我们华林科纳研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率，保持浴液温度恒定，并比较了含有相同浓度的酸的溶液，对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究，试图阐明这些浴液中的溶解机制。
2022-07-04 15:59:581434 
时一定要考虑它的稳定性，仪器零点偏移与全幅偏移越小越好。 2.便利性：在仪器具有稳定性的前提下，便利性也是比较重要的因素，便携式臭氧检测仪携带与维修保养更加容易。 3.适用性：在选择仪器之前一定要先和技术人员对气体类型进
2022-11-11 16:37:362542 
臭氧是目前空气污染源中最常见的一种。臭氧虽然来去无踪，但对健康的危害不容忽视。臭氧浓度达到50%ppb(十亿分率，1ppb也就是十亿分之一)，人就会开始出现鼻粘膜和咽喉粘膜的影响，随着浓度的增加
2022-11-21 15:20:592503 蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
关键词：氢能源技术材料，耐高温耐酸碱耐湿胶带，高分子材料，高端胶粘剂引言：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163504 
法是最常用的一种原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通过光谱技术来测量臭氧浓度。 二、臭氧检测仪的应用领域 1. 环境监测 环境监测部门使用臭氧检测仪对大气中的臭氧浓度进行实时监测，以评估空气质量。通过长
2023-06-26 16:48:24547 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
臭氧老化试验箱是一种专门用于模拟和测试材料在臭氧环境下的老化性能的设备。这种设备广泛应用于橡胶、塑料、涂料等高分子材料的研究、生产和质量控制等领域。本文将介绍臭氧老化试验箱的基本原理、技术
2023-08-22 10:16:31539 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
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