在自然界中sio2二氧化硅的存在是非常广泛的，本内容解释了sio2是什么意思，sio2的物理性质是什么，让大家充分了解sio2
2011-12-13 10:41:13
20242 引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种
2021-12-29 13:21:462088 
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解
2021-12-31 11:08:013593 
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 
、铁(III)氯离子浓度、溶解铝浓度对蚀刻电路质量和蚀刻速率的影响。蚀刻系统允许在制备和电路处理中发生合理的变化，而不严重影响蚀刻电路的质量。对蚀刻剂的控制可以在广泛的温度和成分范围内保持。 介绍 在印刷电路工业中，化学蚀刻
2022-01-07 15:40:121194 
引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草酸的钝化性能外，其他
2022-01-13 14:02:461841 
摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，晶面
2022-01-25 13:51:111721 
为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化硅化合物的反应
2022-05-06 15:49:501012 
以形成非球面表面。 我们使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具有保护性的氮化物层。用于整个过程的蚀刻剂是85℃的33重量%的KOH:H2O溶液。 我们设计了许多
2022-05-11 14:49:58712 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423346 
、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
光泽浸渍处理 是一种对金属表面轻微咬蚀，使呈现更平滑光亮者，其槽液湿式处理谓之。 7、Chemical Milling 化学研磨 是以化学湿式槽液方法，对金属材料进行各种程度的腐蚀加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
连续再生循环使用，成本低。 2.蚀刻过程中的主要化学反应在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蚀刻过程中，板面上的铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化
2018-02-09 09:26:59
)→FQA→成品。 (2)要点仅对导电图形进行选择性电镀。板子钻孔，化学镀铜，光成像以形成导电图形，这时候仅对线路和孔及焊盘进行图形电镀铜，使孔内平均铜厚大于等于20μm，然后接着镀锡(锡镀层作为蚀刻
2018-09-21 16:45:08
简述如下： 1 物理及化学方面 1）蚀刻液的浓度：应根据金属腐蚀原理和铜箔的结构类型，通过试验方法确定蚀刻液的浓度，它应有较大的选择余地，也就是指工艺范围较宽。 2）蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻
2018-09-11 15:19:38
类型，通过试验方法确定蚀刻液的浓度，它应有较大的选择余地，也就是指工艺范围较宽。 2）蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液
2013-10-31 10:52:34
的。但是所有有关蚀刻的理论都承认这样一条最基本的原则，即尽量快地让金属表面不断的接触新鲜的蚀刻液。对蚀刻过程所进行的化学机理分析也证实了上述观点。在氨性蚀刻中，假定所有其它参数不变，那么蚀刻速率主要由蚀刻液
2018-11-26 16:58:50
不同的设计方式和设备结构。这些理论往往是大相径庭的。但是所有有关蚀刻的理论都承认这样一条最基本的原则，即尽量快地让金属表面不断的接触新鲜的蚀刻液。对蚀刻过程所进行的化学机理分析也证实了上述观点。在氨性蚀刻中，假定
2018-09-13 15:46:18
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
精炼、晶体生长和晶圆形成。硅精炼开始于在大约 2000 °C 的电弧炉中用碳源还原二氧化硅。碳有效地从 SiO2 分子中“拉”出氧，从而将 SiO2 化学还原为大约 98% 的纯硅，称为冶金级硅
2021-07-06 09:32:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
各向异性（晶体）化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术，其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。例子是：（1）具有原子级光滑面的光学设备（波导、激光器）减少损失（2）MEMS，其中几何形状可以通过
2021-07-08 13:09:52
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13:06
发射极感兴趣，这可以避免AlGaAs 的氧化和深能级问题。用于器件制造的关键技术操作之一是湿化学蚀刻。在我们之前的论文中，我们介绍了一组在 HC1:C H3COOH:H2O2（所谓的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行
2021-07-09 11:30:18
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
理论往往是大相径庭的。但是所有有关蚀刻的理论都承认这样一条最基本的原则，即尽量快地让金属表面不断的接触新鲜的蚀刻液。对蚀刻过程所进行的化学机理分析也证实了上述观点。在氨性蚀刻中，假定所有其它参数不变
2018-04-05 19:27:39
的阻隔层，而后者品质稍差，但因其沉积时温度甚低，可以作IC完成主结构后的保护层。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，热氧化生成的二氧化硅其特性是a) 无定型结构b) 很容易与硅反应
2020-02-17 12:20:00
过程中的一些参数，改变喷淋的一些操作方式等进行相关研究工作。本文将从流体力学的角度，建立模型来分析流体在铜导线之间凹槽底部各个位置的相对蚀刻速度，从本质上研究蚀刻液流体的蚀刻过程的机理。 1. 模型建立
2018-09-10 15:56:56
喷洒在板子的表面。它把新鲜的溶液喷洒在板子上，具有很高的蚀刻速率。下列因素决定了蚀刻的均匀程度: 1 )喷洒样式、力量、喷洒量的一致性和排放的位置; 2) 蚀刻剂的化学性能、泵的压力、喷嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
有人做用电化学腐蚀多孔硅的工艺吗？本人刚开始做，想一起交流一下相关经验。
2011-03-21 13:30:18
在印制电路加工中﹐氨性蚀刻是一个较为精细和覆杂的化学反应过程,却又是一项易于进行的工作。只要工艺上达至调通﹐就可以进行连续性的生产, 但关键是开机以后就必需保持连续的工作状态﹐不适宜断断续续地生产
2017-06-23 16:01:38
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管，称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01:16
新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱
2011-12-01 15:43:10
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
有机无机复合ZrO2 2SiO2 平面光波导摘要: 采用溶胶凝胶法合成ZrO22SiO2 有机无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO2 的含量来调节材料的折射率,使材料分别适用于平面光波导的导光层
2009-08-08 09:57:18
`有机硅灌封胶的特点及固化机理有机硅材质的灌封胶不仅拥有比环氧树脂更优秀的改性能力和电气绝缘能力，抗冷热冲击能力也相当的优秀，能承受-60℃～200℃的冷热冲击，不开裂，且保持弹性，有提高电子元器件
2016-10-29 19:29:37
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
使用过程中的耐擦洗性以及美观度等，因此涂层的耐磨性是涂层的关键性能要求。考察n(SiO2)︰n(M+)︰n(PO43-)的不同比例对涂层耐摩擦次数的影响，以及在此基础上添加0.5%质量分数的纳米氧化锆分散
2017-10-13 16:53:27
作用下电介质瞬时开路。3.1.3引起电容器电参数恶化的主要失效机理①受潮或表面污染；②银离子迁移；③自愈效应；④电介质电老化与热老化；⑤工作电解液挥发和变稠；⑥电极腐蚀；⑦湿式电解电容器中电介质腐蚀
2011-11-18 13:16:54
。 2·蚀刻液的种类﹕ 不同的蚀刻液,其化学组分不相同﹐蚀刻速率就不一样﹐蚀刻系数也不一样。 例如﹕酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3﹐而碱性氯化铜蚀刻系数可达到4。 3·蚀刻速率： 蚀刻
2017-06-24 11:56:41
感光性树脂合成，添加了感光剂、色料、填料及溶剂的一种蓝色粘稠状液体。基材上的凹坑、划伤部分与湿膜的接触良好，且湿膜主要是通过化学键的作用与基材来粘合的，从而湿膜与基材铜箔间有优良好的附着力，使用丝网
2018-08-29 10:20:48
产生干净无腐蚀的芯片表面。检测范围：常规塑封器件的开帽分析包括铜线开封。检测内容：1.芯片开封（正面/背面）；2.IC蚀刻，塑封体去除。
2021-12-08 17:06:31
芯片制作工艺流程 工艺流程1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续
2019-08-16 11:09:49
往往是大相径庭的。但是所有有关蚀刻的理论都承认这样一条最基本的原则，即尽量快地让金属表面不断的接触新鲜的蚀刻液。对蚀刻过程所进行的化学机理分析也证实了上述观点。在氨性蚀刻中，假定所有其它参数不变，那么蚀刻
2018-09-19 15:39:21
采用RCC与化学蚀刻法制作高密度互连印制板 &
2006-04-16 21:23:491075 ITO玻璃技术之SiO2阻挡膜层规格
SiO2 阻挡膜层规格
2008-10-25 16:04:251408 镀复SiO2膜的电容器介质膜
成功一种能在几百小时连续沉积SiO2膜的新颖电子束蒸发装置，获国家发明专利，在此基础上
2009-12-08 09:03:32702 PCB蚀刻技术通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用。
2017-04-21 17:08:275086 理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响，并且讨论了Si0，薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响．实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口，最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为
2018-02-10 10:16:35
0 蚀刻液的种类：不同的蚀刻液化学组分不同，其蚀刻速率就不同，蚀刻系数也不同。例如：酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:27:366336 在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 蚀刻（etching）是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻（wet etching）和干蚀刻（dry etching）两类。它可通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蚀刻法是用蚀刻液将导电线路以外的铜箔去除掉的方法，雕刻法是用雕刻机将导电线路以外的铜箔去除掉的方法，前者是化学方法，较常见，后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2122179 蚀刻指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护摸去处，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版。蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。
2019-06-26 16:02:4820207 PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层需要
2020-03-08 14:45:214248 蚀刻：将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的铜导体，留下铜导体形成线路图形，这种减去法工艺是当前印制电路板加工的主流
2021-01-06 14:32:018529 1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，仅此而已。在PCB制造过程中，如果要精确地
2021-04-12 13:48:0031019 
分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案
2021-12-22 17:29:021095 
电流的极端规模集成。在这个过程中，固相氮化硅(Si3N4)层在部分二氧化硅(SiO2)沉积中起到掩模的作用。通过这种沉积，形成了由数百个交替堆叠的Si3N4和二氧化硅原子层组成的垂直堆叠结构.Si3N4掩模必须在程序结束时去除，通常通过热化学蚀
2021-12-28 16:38:085460 
光增强电化学（PEC）湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点，但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道，在蓝宝石基质上生长的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 
介绍 本文通过详细的动力学研究，阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后，我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:131340 
索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电化学
2022-02-07 14:35:421479 
基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:58727 
摘要 综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37905 
HF对基片进行了研究，主要分为随机蚀刻和周期性蚀刻。 我们讨论了蚀刻的问题机理、蚀刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘获结构。
2022-03-08 11:52:411214 
在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理，虽然没有完全理解，将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42460 
本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:47431 
分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料，微加工作为使能技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。
2022-03-11 13:58:08514 
利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移，制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构，纳米图案的转移是通过一个涉及硅的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法，可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54373 
在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。
2022-03-29 15:49:583961 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-06 13:32:13331 
引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682 
硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料，是极其重要的，将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中，晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层，进行化学蚀刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
因为它通过热氧化形成了与Si相容性好的电、机械、热、化学特性优良的绝缘体SiO2，可以应用于MOS晶体管结构和钝化。
2022-04-13 15:26:084795 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670 
金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而，铜膜的粘附性可能非常弱，并且容易剥离。在本研究中，研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学
2022-04-29 15:09:06464 
，在5 μm的平均蚀刻速率下，2 pm宽的沟槽蚀刻到50 pm的深度，具有高度各向异性的轮廓和对SiO2掩模非常高的选择性。
2022-05-11 15:46:19730 
50纳米，4，5，尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454 
反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果：其具有一定的各向异性，而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先，蚀刻速率显著增加。通过离子轰击，基材分子会进入激发态，从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553390 这款GO-FET生物传感器采用由p型硅（Si）衬底以及覆盖其上的二氧化硅（SiO2）介电层组成的p型硅片（Si/SiO2）制备。
2022-11-10 09:58:24453 本文综述了工程师们使用的典型的湿化学配方。尽可能多的来源已经被用来提供一个蚀刻剂和过程的简明清单
2023-03-17 16:46:232013 
金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性，包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力，但干蚀刻有几个缺点，包括产生离子致损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁，这是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110 
关键词：氢能源技术材料，耐高温耐酸碱耐湿胶带，高分子材料，高端胶粘剂引言：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163505 
硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅（SiO2）层。在许多制程步骤中，如在热处理过程之前，需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应，生成挥发性的氟硅酸，从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:25543 
20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48:407529 
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
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