二氧化硅蚀刻标准操作程序研究报告

1. 目的和应用

缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工艺之前，请仔细阅读材料安全数据表。

BOE / HF的三个主要用途是:

1)去除硅表面悬浮微结构的牺牲氧化层晶片。

2)去除图案硅片上多余的二氧化硅。

3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅

4) 40%的HF用于快速去除氧化物。

5) BOE对氧化物的去除速度较慢，但可以延长光刻胶掩模的寿命。 腐蚀速率通常为30 - 80 nm/min。

6)稀释HF蚀刻——比如5% HF——用于在大约30秒内去除天然氧化物。

BOE过程基于络合反应:

SiO2 + 6 HF à H2SiF6 + 2h2o其中H2SiF6溶于水。该反应是在稀HF溶液中进行的，用NH4F缓冲，以避免耗尽氟离子。 也有报道说，这也减少了光抗蚀剂的攻击氢氟酸。热生长的SiO2和沉积的SiO2都可以在缓冲氢氟酸中蚀刻或直接蚀刻氢氟酸。 然而，沉积薄膜的蚀刻过程要比薄膜的蚀刻快得多热氧化。

采购产品设备，化学品和用品 略

个人防护装备(PPE) 略

操作过程 略

 

　　审核编辑：汤梓红