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电子发烧友网>今日头条>多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

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2021-06-17 14:43:322576

在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

引言 到目前为止,GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制,这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此,用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻
2021-12-28 16:34:37627

温度对KOH溶液中多晶硅电化学纹理化的影响

引言 湿化学蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶硅,氢氧化钾溶液被广泛使用,因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理,从而增强单晶硅晶片的光吸收。对于多晶硅晶片,表面纹理化通常通过
2022-01-13 14:47:19624

使用湿化学物质去除光刻胶和残留物

在未来几代器件中,去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线后离子注入(源极/漏极、扩展),使用PR来阻断部分电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线(BEOL)蚀刻中,除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性。
2022-03-24 16:03:24778

在玻璃上制备大晶粒多晶硅薄膜的方法

我们已经使用“种子层概念”在薄膜太阳能电池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜,该概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(种子层)的外延增厚。由于玻璃衬底,所有工艺步骤都被限制在大约600℃的温度
2022-04-13 15:24:371390

刻蚀后残留物的去除方法

(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻残留物,该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物,以及最后来自浸渍和涂覆残留物蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻残留物无效,需要在去除残留物
2022-06-09 17:24:132320

金属蚀刻残留物蚀刻均匀性的影响

引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14904

适用于清洁蚀刻残留物的定制化学成分(1)

引言 介绍了一种蚀刻残留物清洗配方,该配方基于平衡氢氟酸的腐蚀性及其众所周知的残留物去除特性。在最初由基于高k电介质的残留物提供的清洁挑战所激发的一系列研究中,开发了一种配方平台,其成功地清洁
2022-06-23 15:56:541073

什么是多晶硅

多晶硅是单质硅的一种形态,是银灰色、有金属色泽的晶体,是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的非金属材料。
2023-02-13 13:49:2412996

PCBA残留物的影响及清洗,助焊剂残留物怎么样清除

发现PCBA 上的残留物对PCBA 的可靠性水平影响极大,而在残留物中,无机残留物会减小绝缘电阻,增加焊点或导线间的漏电流,在潮湿空气条件下,还会使金属表面腐蚀;有机残留物(如松香、油脂等)会形成绝缘膜,从而影响连接器、开关和继电器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122

单晶硅和多晶硅的区别

什么是单晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,单晶硅和多晶硅有什么区别,多晶矽与单晶硅的主要差异体现在物理性质方面,主要包括力学性质、电学性质等方面,下面具体来了解下。
2023-06-12 16:44:423981

焊后锡膏残留物带来的危害有哪些?

也带来腐蚀和漏电等问题。一般的电子产品可以使用免洗锡膏极少有残留物出现。焊后锡膏残留物带来的危害:1、颗粒性污染物易造成电短路;2、极性玷污物会造成介质击穿、漏电和元
2023-07-25 19:18:26715

免洗锡膏之残留物腐蚀性机理分析

层的作用,只会留下少量酸性离子残留物。免洗锡膏的焊后残留物虽少,但对于某些高精密器件仍不可忽视。因此,免洗锡膏的残留物腐蚀性仍旧是热议问题。
2024-01-08 09:04:56143

多晶硅的用途包括哪些

多晶硅是一种重要的半导体材料,在许多领域都有广泛的应用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太阳能电池板制造:多晶硅是太阳能电池板制造的关键材料之一。它可以通过将硅矿石熔化、形成硅棒并切割成薄片,进而制备
2024-01-23 16:01:47666

浅谈安科瑞有源滤波器在多晶硅行业中的应用

浅谈安科瑞有源滤波器在多晶硅行业中的应用 张颖姣 安科瑞电气股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要:本文结合青海黄河水电多晶硅项目中的有源滤波器使用效果进行应用分析,结果表明有源滤波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120

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