半导体资料丨氧化锌、晶体硅/钙钛矿、表面化学蚀刻的 MOCVD GaN

蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响

本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2）浓度，蚀刻时间为30秒和60秒。经过一定量的蚀刻后，光学带隙降低，这表明薄膜的结晶度质量有所提高。利用OPAL 2模拟器研究了不同ZnO厚度对样品光学性能的影响。与其他不同厚度的ZnO层相比，OPAL 2模拟表明，400nm的ZnO层在UV波长范围内具有最低的透射率。

晶体硅/黑硅/钙钛矿串联结构的光学模拟与实验研究

在这项工作中，使用转移矩阵方法对这些结构的光学性质进行了建模，其中b-Si夹层的锥形纳米针阵列近似为均匀光学介质，其有效复折射率是Si和钙钛矿的加权平均值。得到了串联结构反射、透射和吸收的解析方程。将该结构的模拟反射光谱与没有b-Si层的结构的反射光谱以及实验数据进行了比较。数值计算和实验证实，纳米织构显著改善了串联结构的光学性能。

表面化学蚀刻的 MOCVD GaN 结构的发光特性

本工作旨在通过湿蚀刻方法改善MOCVD GaN的闪烁特性。发现了一个额外的蓝色光致发光（B-PL）带，峰值在2.7–2.9 eV，并与位错有关。该B-PL带强度似乎取决于湿法蚀刻暴露。当在相当低的温度下记录时，B-PL的强度显著增强。这一发现类似于B-PL中心的PL热猝灭。通过协调互补光电离和PL光谱技术，研究了闪烁强度和光谱变化的机制。

关键词：氮化镓、湿式蚀刻、光致发光、脉冲光电离光谱学、过氧化氢、湿式蚀刻、氧化锌薄膜、射频溅射、玻璃基板、晶体硅、黑硅、钙钛矿