一种简单的可控硅好坏判断方法
2009-07-28 08:17:03
6506 硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种硅
2022-03-08 14:07:252479 
的使用量，同时在PR去除效果方面被评价为与现有SPM溶液（硫酸/过氧化氢混合液）工艺相当的技术。但是臭氧水工艺是臭氧气体对水的溶解度低、水中扩散阻力大的根本制约因素，以目前国内外技术水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151635 
的蚀刻溶液内进行蚀刻。（图3、图4） 在连接到阳兢的半导体硅基板上，将连接到阴极的铂线缠绕在夹子上的铂电极对向，在夹子中放入氮气泡泡，通过该泡泡注入地素的半导体硅基板的蚀刻方法，一种半导体硅基板的蚀刻方法，使氮气泡沫器与
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:493096 
一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。
2022-03-29 14:55:272151 
大缩短了晶体硅的少数载流子寿命，通过沉积二氧化硅薄膜使黑硅表面钝化，可以有效地调节和控制。最后，以黑硅为基础制造了一种PIN光探测器，与无蚀刻工艺的PIN硅光探测器相比，在1060nm处获得了更高的责任，为0.57A/W。
2022-04-06 14:31:353609 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率
2022-04-07 13:18:161509 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，通过使用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅，以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:162584 
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
设备的工业生产中。但是在许多情况下，这两者之间的区别已经减少。一种新的刻蚀技术，即深反应离子刻蚀，使结合体微加工和梳状结构的典型性能以及表面微加工的典型面内操作相结合成为可能。尽管在表面微机械加工中通常
2021-01-05 10:33:12
有效期--一年（15-25 °C）铬蚀刻剂Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC铬蚀刻剂是一种高纯度可精确清洁蚀刻铬或氧化铬薄膜的硝酸铵
2008-12-30 18:44:48
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
颗粒4、去除原生氧化物。其中，单独使用 DI-O3 水无法去除原生氧化物，但臭氧技术可以在裸硅上重新生成干净的氧化物以满足某些工艺要求，如上一节所述。对于其他过程，DI-O3 水可以单独工作，也可以与其
2021-07-06 09:36:27
的宽带隙使其可以用于蓝色/紫外线发光二极管和激光二极管，并且由于其固有载流子浓度低，可以在非常高的温度下工作。 氧化锌是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙材料，可用于气体传感器、透明电极、液晶显示
2021-10-14 11:48:31
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
本文介绍一种基于虚拟串口的GPS／GSM远程定位技术。
2021-05-25 07:14:20
IPSec协议是什么？一种基于SoC的IPSec协议实现技术
2021-05-26 07:05:43
介绍一种无线电测向技术
2021-05-26 06:40:24
本文介绍了一种汽车无线接入技术的解决方案。
2021-05-12 06:40:56
分享一种Bluetooth 2.1+EDR版本的蓝牙技术
2021-05-26 06:45:04
分享一种CameraCube新型图像传感技术
2021-06-08 09:29:49
蚀刻 浸入蚀刻是一种半桨技术，它只需一个装满蚀刻洛液的槽，把板子整个浸入到溶液中，如图1所示。板子需要保持浸入直至蚀刻完成，这就需要很长的蚀刻时间，且蚀刻速度非常缓慢。可以通过加热蚀刻溶液的方法来
2018-09-11 15:27:47
如何利用51单片机去实现一种可控硅调光的设计？其源代码该怎样去实现呢？
2022-01-17 09:34:33
如何去实现一种智能天线技术？求过程
2021-05-25 06:03:02
什么是硅基CMOS技术？如何去实现一种石墨烯CMOS技术？
2021-06-17 07:05:17
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片与工作台面间的空间小，气体喷出凹槽喷出的气体对蚀刻液会形成阻力，造成蚀刻液回渗太少，去除晶片边缘上的硅针效果不佳。 为了克服现有技术的不足，本发明的目的是为了解决上述问题而提供一种晶片边缘的蚀刻
2018-03-16 11:53:10
如何去区分燃气报警器和煤气报警器呢？燃气报警器和煤气报警器的区别再哪？有没有一种可同时监测燃气和一氧化碳的传感器呢？
2021-07-19 08:12:28
Jini的基本原理是什么？其结构是怎样的？蓝牙技术的基本原理是什么？其结构是怎样的？求一种Jini与蓝牙技术的结合应用方案
2021-06-04 06:05:46
一种基于DSP的移动平台ATP技术的应用设计
2021-05-25 07:03:21
表面硅MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术，它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构。什么是表面硅MEMS加工技术？表面硅MEMS加工技术先在
2018-11-05 15:42:42
我对工艺不是很懂，在氧化层上直接淀积的话是不是非晶硅？如果要单晶硅的话应该怎么做？（有个思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
一种新型阳极氧化多孔硅技术:在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:47
13 介绍了小功率臭氧发生器电源的整体设计思路。电源为半桥逆变拓扑,采用功率MOSFET作为开关管器件,针对小功率使用领域使用电流互感器电路驱动MOSFET。提出了一种结构简单的控制电
2010-07-14 16:09:08149 一种改良过的适用于生产超精密板的蚀刻技术 Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152955 一种新型的可拉伸硅集成电路
诺斯大学的研究人员开发了一种新型的可拉伸硅集成电路,这种电路可以紧贴球体、人体表面和
2008-07-29 14:00:541482 臭氧是常温下一种有特殊臭味的淡蓝色气体，化学式为O3，具有极强的氧化性。臭氧在常温常压下稳定性较差，可自行分解成氧气。吸入少量的该气体对人体有益，过量则会损害人体健康。因此，在使用臭氧对自来水消毒时，需要臭氧传感器对消毒处理后的尾气进行检测，以臭氧浓度含量过高的尾气危害到空气环境和人员健康。
2018-06-07 11:28:001650 RS-158蚀刻添加剂可直接添加于蚀刻母液中使用，操作简单。为了开缸和后续添加时控制方便，将RS-158蚀刻添加剂分为RS-158A与RS-158B。RS-158A：主要作用加速垂直咬蚀力（即加快正蚀速度），开缸后如出现下降速度超过25%，可单独添加RS-158A；
2018-08-08 16:25:349815 深度反应离子刻蚀或DRIE是一种相对较新的制造技术，已被MEMS社区广泛采用。这项技术可以在硅基板上执行非常高的纵横比蚀刻。蚀刻的孔的侧壁几乎是垂直的，并且蚀刻深度可以是进入硅衬底的数百甚至数千微米。
2020-04-12 17:24:003426 
由于现在环境污染比较严重，大家在日常生活中都开始重视消毒杀菌了。消毒杀菌的方法有很多，比如臭氧消毒，这种是许多人选择的方法之一。臭氧是一种强消毒剂和氧化剂，臭氧在生活中的杀菌和利用可以更好地保护人体健康。
2020-04-24 17:02:123636 随着全球电子产品市场的需求升级和快速扩张，电子产品的小型化、高精密、超细线路印制电路板技术正进入一个突飞猛进的发展时期。为了能满足市场不断提升的需求，特别是在超细线路技术领域，传统落后的蚀刻技术正被
2022-12-26 10:10:333695 臭氧作为一种在常温常压下具有鱼腥味的淡蓝色气体，氧化性很强，能杀死细菌、病毒等微生物，还能氧化多种无机和有机物，起到脱色、去味的作用，在污水处理中得到了广泛的应用。由于臭氧是一种有毒的强氧化剂，一
2020-11-03 16:43:471185 臭氧发生器是一种用来制取臭氧的装置。臭氧容易分解，不能储存，需要现场准备和使用（特殊情况下可以短时间储存）。因此，在所有可以使用臭氧的地方都应该使用臭氧发生器。臭氧发生器广泛应用于饮用水、工业氧化、食品保鲜、空间杀菌等领域。臭氧发生器产生的臭氧气体可以直接利用，也可以通过混合装置与液体混合参与反应。
2020-12-15 14:14:442131 众所周知，臭氧检测仪是一种专门应用于臭氧分水器、臭氧发生器，臭氧制备间，臭氧消毒机等场所和设备中，会存在高、低不同浓度的臭氧气体等场合所使用的一种气体检测义。
2020-12-17 15:57:433504 引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 在使用湿化学硅体微机械加工制造微机电系统时，使用碱性溶液，如氢氧化钾、氢氧化四甲铵和氢氧化铵。除了微机械加工之外，碱性溶液还用于单晶硅的表面纹理化，以降低反射率并改善高效硅太阳能电池的光捕获
2021-12-28 16:36:402146 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率
2022-01-11 11:50:333264 
介绍 在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究
2022-01-20 16:46:481197 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60 时 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上产生由（ 100）和（111）平面组成的孔。在这种情况下，孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面，则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:14966 
在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理，虽然没有完全理解，将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:421074 
缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工艺之前，请仔细阅读材料安全数据表。
2022-03-10 16:43:352248 
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43852 
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:421371 
本文报告了证明硅的预氧化清洗对5种不同清洗程序的氧化动力学的影响的实验结果。这些清洗处理包括简单地冲洗以及nh4OH-HHCI-H202和HF溶液的组合。在低厚度下计算的不同速率表明了界面效应对初始
2022-03-17 16:06:32734 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义，这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:111211 
在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00966 
利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移，制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构，纳米图案的转移是通过一个涉及硅的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法，可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54840 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:344201 
和水热蚀刻制备黑硅具有更大的优势。它为制备黑硅可见光和近红外光电子器件提供了一种合适而经济的方法。本文采用湿式蚀刻法制备了微结构硅，并对其微观结构进行了表征，并对其光学性能进行了测试。
2022-03-29 16:02:591360 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
本发明涉及一种感光膜去除方法，通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤； 将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤； 和RCA清洗步骤。
2022-04-12 16:30:26856 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高可
2022-04-15 10:18:45764 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05729 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂
2022-05-05 16:37:364132 
摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应，代替脱蜡器
2022-05-07 15:49:261611 
在本文中，结合了现有的经验和观察到的多晶氧化锌腐蚀模型，该模型可以定性地描述溅射条件、材料特性和蚀刻条件的影响。几项研究调查了溅射参数和蚀刻行为之间的关系，并提出了一种用于蚀刻的现象学结构区域模型
2022-05-09 14:27:58778 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:202627 我们介绍了在氢氧化钾溶液中蚀刻的车轮图案和宽分离的V形槽的硅蚀刻速率测量。数据表明，当使用货车轮图案时，存在反应物耗尽效应，这掩盖了真实的表面反应速率限制的蚀刻速率。与以前的报道相反，从受反应物传输
2022-05-11 16:30:56659 
介绍 硅或二氧化硅已被用作牺牲层来制造独立式结构，例如微机电系统(MEMS)中的梁、悬臂和隔膜。传统的含水HF已经广泛用于蚀刻二氧化硅牺牲层，因为它成本低廉。然而，当具有高纵横比的结构在含水蚀刻
2022-05-23 17:01:431891 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:482252 
通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分，使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57985 
臭氧是目前空气污染源中最常见的一种。臭氧虽然来去无踪，但对健康的危害不容忽视。臭氧浓度达到50%ppb(十亿分率，1ppb也就是十亿分之一)，人就会开始出现鼻粘膜和咽喉粘膜的影响，随着浓度的增加
2022-11-21 15:20:594646 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:438844 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:122602 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:051666 
。由于臭氧具有的强氧化性，近地面的臭氧则是一种有害气体，甚至会成为“健康杀手”。如果空气中的臭氧浓度过高，很容易引起上呼吸道的炎症病变，出现咳嗽、头疼等症状，还会对皮肤、眼睛、鼻黏膜产生刺激。所以并不见
2022-01-21 10:20:11833 
。由于臭氧具有的强氧化性，近地面的臭氧则是一种有害气体，甚至会成为“健康杀手”。如果空气中的臭氧浓度过高，很容易引起上呼吸道的炎症病变，出现咳嗽、头疼等症状，还会对皮肤、眼睛、鼻黏膜产生刺激。所以并不见
2021-12-14 10:45:45709 
是最常用的一种原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通过光谱技术来测量臭氧浓度。 二、臭氧检测仪的应用领域 1. 环境监测 环境监测部门使用臭氧检测仪对大气中的臭氧浓度进行实时监测，以评估空气质量。通过长
2023-06-26 16:48:242225 臭氧-去离子水 (O3 -DI) 工艺可以集成到臭氧 (O3) 具有工艺优势的各种水性应用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 过氧化物混合物中过氧化氢的替代品，从而降低所用化学品的成本，同时将
2023-07-07 17:25:07798 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03922 
臭氧老化试验箱是一种专门用于模拟和测试材料在臭氧环境下的老化性能的设备。这种设备广泛应用于橡胶、塑料、涂料等高分子材料的研究、生产和质量控制等领域。本文将介绍臭氧老化试验箱的基本原理、技术
2023-08-22 10:16:311830 
过程中起着重要的作用。这种制造过程通常需要与埋着的SiGe薄膜接触。与这些埋地区域接触需要蚀刻硅并在薄薄的SiGe层中停止。 因此，为了实现精确的图案转移，我们需要一种可控蚀刻的方法。不幸的是，针对SiGe选择性的RIE技术尚未被发现。幸运的是
2023-12-28 10:39:511694 
蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:451302 
计算领域的潜在基础材料。超薄二极管器件的制造需要去除用于同质外延生长的衬底。对于硅来说，这一任务通常通过选择性蚀刻来实现。然而，对于锗来说，由于与硅相比在化学和氧化行为上的根本差异，需要新的蚀刻技术。蚀刻由
2024-04-25 12:51:461182 
（什么是蚀刻？）蚀刻是一种利用化学强酸腐蚀、机械抛光或电化学电解对物体表面进行处理的技术。从传统的金属加工到高科技半导体制造，都在蚀刻技术的应用范围之内。在印刷电路板(PCB)打样中，蚀刻工艺一
2024-05-29 14:39:43642 
在材料科学领域，臭氧老化试验箱是一种至关重要的设备，用于评估材料在臭氧环境下的老化性能。臭氧作为一种强氧化剂，能与许多材料发生化学反应，加速其老化过程，而该试验箱正是模拟这一过程的专业工具。上海
2025-03-10 15:04:34719 
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