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电子发烧友网>今日头条>一种臭氧氧化和硅蚀刻技术

一种臭氧氧化和硅蚀刻技术

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2022-05-09 15:09:201419

在超临界二氧化碳中蚀刻氧化硅薄膜

介绍 硅或二氧化硅已被用作牺牲层来制造独立式结构,例如微机电系统(MEMS)中的梁、悬臂和隔膜。传统的含水HF已经广泛用于蚀刻氧化硅牺牲层,因为它成本低廉。然而,当具有高纵横比的结构在含水蚀刻
2022-05-23 17:01:43948

臭氧检测仪在医院发挥怎样的作用?-欧森杰科技

受疫情影响,各大医院臭氧威胁迅速加重,医患臭氧毒气威胁。 一、臭氧是如何产生的? 臭氧一种氧化剂,可以与细菌、病毒直接作用,破坏它们的细胞器和DNA、RNA,因此,它广泛应用于消毒剂中、杀菌剂
2022-11-02 15:00:51532

臭氧检测仪如何测出臭氧的浓度?-欧森杰

臭氧是目前空气污染源中最常见的一种臭氧虽然来去无踪,但对健康的危害不容忽视。臭氧浓度达到50%ppb(十亿分率,1ppb也就是十亿分之一),人就会开始出现鼻粘膜和咽喉粘膜的影响,随着浓度的增加
2022-11-21 15:20:592503

臭氧检测仪在医院中有哪些应用?-欧森杰

受疫情影响,各大医院臭氧威胁迅速加重,医患臭氧毒气威胁。 一.臭氧是如何产生的? 臭氧一种氧化剂,可以直接与细菌结合.病毒作用,破坏它们的细胞器和细胞器DNA.RNA,因此广泛应用于消毒剂
2022-12-28 10:31:30222

什么是金属蚀刻蚀刻工艺?

金属蚀刻一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言

器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术,它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术,允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526

蚀刻技术蚀刻工艺及蚀刻产品简介

关键词:氢能源技术材料,耐高温耐酸碱耐湿胶带,高分子材料,高端胶粘剂引言:蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163504

臭氧检测仪的原理与应用

法是最常用的一种原理,它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理,通过光谱技术来测量臭氧浓度。 二、臭氧检测仪的应用领域 1. 环境监测 环境监测部门使用臭氧检测仪对大气中的臭氧浓度进行实时监测,以评估空气质量。通过长
2023-06-26 16:48:24547

什么是臭氧去离子水工艺

臭氧-去离子水 (O3 -DI) 工艺可以集成到臭氧 (O3) 具有工艺优势的各种水性应用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 过氧化物混合物中过氧化氢的替代品,从而降低所用化学品的成本,同时
2023-07-07 17:25:07162

深度解读硅微纳技术蚀刻技术

蚀刻一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190

深度解读硅微纳技术之的蚀刻技术

蚀刻一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183

臭氧老化试验箱:基本原理、技术参数、使用方法及注意事项

臭氧老化试验箱是一种专门用于模拟和测试材料在臭氧环境下的老化性能的设备。这种设备广泛应用于橡胶、塑料、涂料等高分子材料的研究、生产和质量控制等领域。本文将介绍臭氧老化试验箱的基本原理、技术
2023-08-22 10:16:31539

半导体资料丨氧化锌、晶体硅/钙钛矿、表面化学蚀刻的 MOCVD GaN

蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的过氧化氢(H2O2
2024-02-02 17:56:45306

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