半导体制造过程中的硅晶片清洗工艺

摘要

在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。

介绍

半导体是一种固体物质，其导电性介于绝缘体和导体之间。 半导体材料的定义性质是，它可以掺杂杂质，以可控的方式改变其电子性质。 硅是开发微电子器件最常用的半导体材料。 半导体器件制造是用来制造集成电路的过程，这些集成电路存在于日常的电气和电子设备中。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，如沉积、去除、刻划 。

硅片清洗程序 RCA清洗

RCA清洗是去除硅片中的有机物、重金属和碱离子的“标准工艺”。 这里用超声波搅拌去除颗粒。 图2讨论了RCA清洗方法。 第一步，硫酸和双氧水的比例为1:1 - 1:4。 晶圆在100-1500C的温度下浸泡10分钟。 这个过程也被称为pirhana清洗。 然后将晶片在氢氟酸(HF)溶液中浸泡1分钟，其中HF和H2O的比例为1:10。

超音波和超声波清洗

图1所示。 不同类型的污染物，它们的来源和对硅片的影响

图2所示。详细的RCA清洗过程。

结论

污染物[18-19]发生在微电子集成电路制造过程中。 清洗是去除晶圆片污染物的最理想的工艺之一。 所有的清洁过程都是在一个无尘室内进行的。
审核编辑：汤梓红