浅谈IGBT驱动应用电路的分析

       今天小编主要对IGBT的驱动应用电路进行分析阐述，以混合集成电路EXB841为例，它是一种比较典型的驱动电路，不仅能够驱动高达400A 600V IGBT和高达300A 1200V IGBT，而且模块功能较完善，具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性。

       该驱动电路采用+20V直流电源供电，能产生+15V的开衫电压和-5V的关栅电压，内装TLP550高速光耦隔离芯片，驱动电路信号延迟小于1us，内部集成了过流检测电路及低速过流切断电路，因此在国内得到了广泛应用。不过使用该模块时应注意如下方面：

       1、IGBT的栅射极驱动回路一定要小于1m；

       2、IGBT的栅射驱动接线应为双绞线；

       3、若IGBT集电极产生大的电压脉冲，则需要增加IGBT的栅极串联电阻；

       4、47uF电容用于吸收由于电源接线阻抗引起的电压变化，并不是电源滤波器的电容器。

       当IGBT正常工作时，EXB841的过流信号指示端5脚为高电平，4N25不导通，触发器R脚为“0”，Q脚为“1”，即IGBT工作正常。当IGBT出现过流信号时，EXB841内部过流检测电路经几秒秒延时，以滤掉干扰信号，5脚变为低电平，4N25导通，触发器翻转，Q脚为“0”，同时关断IGBT的驱动信号，从而起到保护作用。在工作中，应用了专用集成驱动模块的EXB841,驱动了2kw的感性负载一高频疲劳试验机的电磁激励线圈，效果显著。

       综上所述，通过综合实际应用，对IGBT驱动和保护的分析得出以下结论：

       1、由于栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形均会产生较大的影响，因此在设计过程中应多方面综合考虑。

       2、在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰电压，从而确保IGBT不受损坏。

       3、由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，因此在电位上将驱动电路与控制电路进行严格隔离，同时缩短驱动 电路与IGBT的连线距离。

       4、IGBT的栅极驱动电路应尽可能简单实用，最好自身带有对IGBT的保护功能，具有较强的抗干扰能力。

       5、在实际应用过程中，为达到更大的效果，在过流保护上还需采用如软关断、降栅压等方法；采用钳位电路防止产生涌浪电压等。

       有关IGBT驱动电路的分析就讲到这里啦，大家有任何问题可留言给我们哦~

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