IGBT模块上桥臂驱动电路原理详解

IGBT模块上桥臂的驱动

上桥臂和下桥臂：

IGBT以发射极电压为基准电位驱动。开关动作时，上桥臂IGBT的发射极电位VE在0伏和母线电压V+之间变化。在AC200V电路中，要开通上桥臂IGBT时，需要对门极施加300V加15V，合计315V的母线电压。因此，需要不受开关噪声干扰影响的上桥臂驱动电路。

上桥臂驱动可以使用了光耦合器和高压驱动集成电路。

使用光耦合器的上桥臂驱动：在大容量电路中，使用光耦合器进行绝缘，此外还添加离散缓冲器的输出端。在中容量以下的电路中，使用将上述功能集成为一体的混合集成电路。图示为后者的例子。

● 使用去除高共模电压的类型

● 为了尽量缩短空载时间以减少损耗，使用传递延迟时间tPLH和tPHL小的类型。tPLH和tPHL是相对于输入信号，输出从L变为H、或从H变为L的延迟时间差。

使用驱动集成电路的上桥臂的驱动：

驱动集成电路中有：上桥臂用，半桥路用，上、下桥臂用，3相桥路用等产品。大多数是600V耐压产品，也有1200V耐压产品。

● 自举二极管应该使用高速类型，耐压应该与IGBT相同。

● 自举电容器应该使用高频特性良好的类型，或如薄膜电容器和陶瓷电容器进行并联连接。

● 尽量降低电源（Vcc）的电阻抗。