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东莞市中铭电子

东莞市中铭电子是一家从事半导体芯片和器件研发、技术方案服务及销售一体的技术公司

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国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片

电机驱动芯片
型号： NSG2153D

--- 产品参数 ---

  • 最高工作电压为 +600V
  • VCC钳位电压 15.6V
  • 正/负欠压阈值 11V/9V
  • 死区时间DT 1.1μs
  • 输出级拉电流 1.2A
  • 灌电流能力 1.5A
  • dV/dt耐受能力 ±50V/nsec
  • 宽温度范围 -40°C~125°C
  • 封装 SOP8封装

--- 产品详情 ---

国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片

一、概述

NSG2153D是一款高压、高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片。NSG2153D其浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG2153D内置 1.1μs死区电路，可以有效防止高低侧功率管直通。NSG2153D内置自举电路，可以简化芯片外围电路。NSG2153D采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

最高工作电压为+600V
CT，RT可编程振荡器
微功率启动
CT引脚上的非锁定关断特性（1/6th VCC）
VCC钳位电压为15.6V
集成VCC欠压锁定电路
 --正/负欠压阈值：11V/9V
集成VBS欠压锁定电路
 --正/负欠压阈值：9V/8V
死区时间DT=1.1μs
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
集成自举
宽温度范围-40°C~125°C
符合RoSH标准
SOP8封装

 

三、应用 

电源管理
电子照明
逆变器
电机驱动 

 

四、封装信息

 

 

 

 

 

五、简化示意图

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