采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。
2026-01-05 06:12:51
（on）电阻值会随着电流增大轻微上升，因此选择时需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比较高，可以通过优化驱动电路，改进散热等方式，选用Rds（on）较大一些的的低成本器件。
2025-12-23 06:15:35
在手机快充、新能源汽车电驱、光伏逆变器等电力电子设备中，藏着一个关键“电子开关”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制电流的通断，而“开关频率”直接决定了设备的体积、效率和性能。频率越高，能量
2025-12-19 09:26:48
1445 
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P沟道增强型器件的深度解析 在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为关键的电子元件，在各类电路中发挥着至关重要的作用
2025-12-16 09:45:03266 AMD Vivado 设计套件以文件和库的形式提供仿真模型。仿真库包含器件和 IP 的行为和时序模型。编译后的库可供多个设计项目使用。用户必须在设计仿真之前通过名为 compile_simlib 的实用程序编译这些文件，以便为目标仿真器编译仿真模型。
2025-12-12 15:08:354555 
。
再进一步讲，为什么电阻是100Ω呢？
我在网上看到一个仿真试验，实验在MOSFET电路中的栅极串联电阻R3，分别对它取1欧姆，10欧姆，50欧姆进行仿真实验：
当R3为1欧姆时，输出电压Vds上
2025-12-02 06:00:31
在模拟集成电路设计中，精确的MOSFET模型是确保电路性能预测准确性的基石。而沟道电荷分配原则，正是连接晶体管直流特性与交流特性的关键桥梁。如果简单地认为所有电荷都均匀分配或不随偏置变化，就会严重错误地估计电路的速度（fT）、延时和AC特性。今天，我们将从物理本质出发，深入解析这一重要概念。
2025-11-19 15:34:006083 
：耐压100V功率MOSFET管，VGS耐压约为30V。在器件处于关断时，VGD也会到100V，是因为栅极与源极之间的栅氧化层厚度比较厚，还是说压降主要在衬底与外延层上面？
回复：栅极与源极最大电压
2025-11-19 06:35:56
据中心）中的气流、温度和热传递。产品功能介绍：智能网格划分技术：采用笛卡尔网格与自适应网格划分算法，可高效处理复杂电子模型，支持从亚微米级到米级的多尺度仿真，显著提
2025-11-06 14:08:26
在工程设计领域，三维CAD软件已成为不可或缺的工具，它不仅帮助设计师快速创建准确的三维模型，还通过仿真分析功能在设计初期发现并解决潜在问题，从而大幅降低产品开发成本和风险。作为达索系统的旗舰产品
2025-11-05 10:18:04367 
中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T，以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求，其技术设计与应用表现，为理解中压小封装功率器件的发展逻辑提供了典型范例。
2025-11-04 16:20:18297 
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积R ~DS(on)~ 。该器件采用创新的超级结MDmesh M9技术，具有多漏极制造工艺，可实现增强型器件结构。
2025-10-30 10:47:09365 
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有单位区域极低的R~DS(on)~ 和快速恢复二极管。该器件采用创新的超结MDmesh DM9技术，提供多漏极制造工艺，从而实现器件结构的增强。
2025-10-30 10:12:05347 
for Science热点模型及数据集，支持地球科学、生物信息、流体仿真、材料化学等领域用户进一步开发新模型，并实现百倍提升模型研发与优化效率，让用户3小时开发一个模型成为可能。
2025-10-28 17:29:27813 与热特性。目前，该平台已集成一款基于SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分考虑器件的非线性半导体物理特
2025-10-27 17:03:45421 
在过去的几十年里，半导体器件紧凑型模型已经从 BJT Gummel-Poon 模型中的几个参数发展到 MOSFET BSIM 模型中的数百个参数。
2025-10-16 16:21:541017 运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进
2025-10-15 11:27:0221895 
半导体器件清洗工艺是确保芯片制造良率和可靠性的关键基础，其核心在于通过精确控制的物理化学过程去除各类污染物，同时避免对材料造成损伤。以下是该工艺的主要技术要点及实现路径的详细阐述：污染物分类与对应
2025-10-09 13:40:46705 
可能是在做电路仿真，遇到了器件缺失的问题。用户身份可能是电子工程学生或者工程师，正在设计或测试电路，尤其是用到差分放大器的场景，比如传感器信号调理或者高速数据采集。 嗯，深层需求可能不只是解决当前模型缺失，而是想确保仿真准确性和效率，避免项目延迟。他可能担心自己找的替代方案是
2025-10-09 09:18:37669 由 NVIDIA、Google DeepMind 以及 Disney Research 联合开发的开源物理引擎 Newton，现可在 NVIDIA Isaac Lab 中使用。这一物理引擎将助力
2025-09-30 09:52:542853 
针对不同的连铸需求，如方坯连铸、板坯连铸、圆坯连铸，以及不同钢种（碳钢、不锈钢、高合金钢等）或有色金属的连铸工艺，ProCAST 提供了高度灵活的建模与仿真方法。用户可以根据具体应用选择稳态仿真或瞬态仿真，并灵活设定边界条件、冷却方式、拉速变化等工艺参数，以实现对实际生产工况的精准模拟。
2025-09-23 14:12:22820 
和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可
2025-09-23 08:28:001056 
，持续迭代升级IGBT和MOSFET技术平台，通过精密的芯片结构设计、优化的制造工艺和先进的封装方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件产品。这些产品旨在满足严苛
2025-09-16 14:56:051646 
近日，摩尔线程正式发布并开源大模型分布式训练仿真工具SimuMax 1.0版本。该版本在显存和性能仿真精度上实现突破性提升，同时引入多项关键功能，进一步增强了模型兼容性、灵活性与用户体验。
2025-09-11 18:19:133471 
传感器仿真模型。该模型支持从虚拟环境构建到物理触觉渲染的端到端流程，满足云端大规模仿真训练需求的同时，补充边缘设备的实时交互场景，提升了触觉仿真的精度与效率边界。
2025-09-06 15:30:501659 SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高压和低压应用是有所不同的，在耐受时间上通常在2-7μs范围内。多数规格书标称的短路时间是供应商在评估器件初期，使用单管封装测试的，2-3μs;到模块
2025-09-02 14:56:561104 
攀升，成为芯片开发的关键挑战之一。混合仿真：融合物理原型与虚拟原型的前沿技术混合仿真是一种先进的芯片验证技术，它通过将硬件仿真与虚拟原型相结合，构建出一个兼具高精度
2025-08-29 10:49:35937 
在 2025 年的 Google 谷歌开发者大会上，AI 不是一门“技术”，更是一股彻底改变开发范式的“力量”，助力开发者们在海外市场更上一层楼。AI 已经不仅仅是生成几行代码，它正在全面提升整个开发过程。从模型突破到工具优化，从本地开发到全球落地，每一项更新，都在回应开发者最迫切的需求。
2025-08-29 09:29:24984 今天我们来聊聊工程师在仿真时比较关注的问题。众多的器件模型，我在仿真的时候到底应该怎么选择一个器件的模型？我使用的这个器件模型的精确度够吗？我自己能否做一个器件模型来支持我的电路仿真？要想探究这些问题，我想我们有必要先了解一下器件模型工程师他们是怎么做出一个模型的。
2025-08-28 13:42:261170 
共同赋能端侧人工智能 (AI) 部署，助力本土开发者实现 AI 应用创新！ 这次的首日开源适配是双方再次携手提升端侧应用功能和用户体验的又一例证。去年，Arm 将 Arm KleidiAI 技术与腾讯混元自研的 Angel 机器学习框架进行集成，从而提高移动端 AI 服务的推理性能
2025-08-08 09:16:151239 
汽车制动助力器作为关键安全部件，其内部结构的密封性、连接强度及尺寸精度直接关系到行车安全。激光焊接技术凭借其独特的加工优势，正在革新助力器核心部件的制造工艺，为提升产品性能和可靠性提供强大支撑。下面
2025-08-07 15:03:46562 
-Cognizant推出AI Training Data Services，助力企业级AI模型加速开发 Cognizant是数据与AI模型训练合作伙伴，长期深受大型数字原生先锋企业信赖，助力其训练
2025-07-31 17:25:46630 MOSFET的参数性能是选型的关键，而决定其性能的是关键工艺参数调控。作为国家级高新技术企业，合科泰深入平面与沟槽等工艺的协同，致力于在氧化层厚度、沟道长度和掺杂浓度等核心参数上突破。如今，合科泰的MOS管被广泛地应用在汽车电子、消费电子当中。
2025-07-10 17:34:34543 
随着基于模型设计（MBD）开发量的增长，其对应的测试需求也显著提升。此前，在《您的模型诊断专家MI：助力把好模型质量关》一文中详述了模型静态测试的重点与实施方式。与静态检查的“扫描式”审查不同，模型
2025-07-09 16:37:37885 
[摘要]基于无刷直流电机(BLDCM)模型和汽车电动助力转向(EPS)动力学模型,构建了BLDCM 控制仿真模型和 EPS性能仿真模型;设计了以ARM7LPC2131为控制器内核和以
2025-07-08 19:28:54
【HarmonyOS 5】鸿蒙中Stage模型与FA模型详解 ##鸿蒙开发能力 ##HarmonyOS SDK应用服务##鸿蒙金融类应用 （金融理财# 一、前言 在HarmonyOS 5的应用开发
2025-07-07 11:50:23765 近日，中软国际签约某大型石油企业大模型开发项目。作为中国能源化工行业首个备案的大模型，此次签约标志着中软国际在能源化工行业人工智能领域取得了重大突破。根据项目规划，中软国际将针对输送管质量检测、常减压工艺运行优化、设备预测性维护等业务场景，助力客户解决生产各环节问题，助力行业技术创新和产业升级。
2025-07-05 17:03:191281 设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。 新模型“ROHM Level 3（L3）”通
2025-07-04 15:10:38519 
”）打造企业级全流程AI模型工艺平台——AIRUNS 3.0，深度适配国产软硬件，实现从数据接入到模型落地的高效闭环，助力企业加速AI工程化落地和规模化应用。
2025-06-28 17:03:471348 三款新品驱动工业新效能！采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管 产品介绍 合科泰新推出三款新品，均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二极管
2025-06-27 18:24:35448 
的可行性和有效性。
纯分享帖，点击下方附件免费获取完整资料~~~
*附件：无模型自适应控制在永磁同步电机转速中的仿真研究.pdf
【免责声明】本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，删除内容，谢谢！
2025-06-25 13:01:45
在SiC（碳化硅）等功率半导体的电气仿真中，以往的行为模型存在收敛性差、仿真速度慢的问题。但是，这次开发并发布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 14:25:061170 
在车载电子电气系统深度影响行车安全的当下，电控系统电子化控制程度持续提升，汽车软件开发生命周期缩短。基于模型设计（MBD）开发控制器应用层软件成为主流，尤其在新能源与智能驾驶领域优势显著。但该模式下
2025-06-11 16:57:54
有大佬知道pspice仿真为什么总是显示找不到仿真模型吗，就连自带库的元器件左上角也有个绿圈显示没有仿真模型仿真不了，我把相应元器件的仿真模型.lib文件也都移到仿真设置的library里还是不行
2025-06-09 18:57:47
电解槽模型通过离线验证和实时仿真验证两种方式，对该模型在交流接入模式的可行性进行全面验证，可为 PEM 电解槽的实际应用提供理论和实践依据。
一、 PEM
质子交换膜（Proton Exchange
2025-06-05 18:55:52
模型切换概述
本文介绍如何将一个FA模型开发的声明式范式应用切换到Stage模型，您需要完成如下动作：
工程切换：新建一个Stage模型的应用工程。
配置文件切换：config.json切换
2025-06-04 06:22:17
的“热点”特性！这种自冷却机制的同等重要的结果是便于并联 MOSFET 以提升某种器件的电流性能。双极型三极管对于并联非常敏感，要采取预防措施以平分电流(发射极稳定电阻、快速响应电流感应反馈环路
2025-06-03 15:39:43
前言：研究器件特性和器件建模都离不开精确的电容电压(CV)测量。精确的CV模型在仿真器件的开关特性，延迟特性等方面尤为重要。目前，在宽禁带器件（GaN/SiC）、纳米器件、有机器件、MEMS等下
2025-06-01 10:02:091355 
随着全球对可再生能源需求的快速增长，光伏系统的效率与可靠性成为行业关注的焦点。安森美(onsemi)提供多种MOSFET方案，助力光伏逆变器厂商实现更高性能、更紧凑的系统设计。
2025-05-30 10:30:40864 随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级，高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术，全新推出2款100V耐压双MOSFET，以超低导通电阻和紧凑尺寸，为风扇电机驱动提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
，支持微秒级实时仿真。不同型号的EGBox Mini 设备可完成硬件在环测试系统（HIL）或者快速控制原型系统（RCP）。利用不同型号的设备进行对接，也可完成基于 RCP+HIL 系统的模型在回路仿真
2025-04-29 10:40:08
一、产品概述 VTD（Virtual Test Drive）是由德国VIRES公司开发的自动驾驶及智能驾驶仿真测试平台，现隶属于海克斯康（Hexagon）工业软件体系。该软件专注于复杂
2025-04-28 12:09:40
FA模型与Stage模型介绍
KaihongOS操作系统中，FA模型（Feature Ability）和Stage模型是两种不同的应用模型，它们提供了不同的应用开发方式和特性。
FA模型
2025-04-24 07:27:21
一、主要失效原因分类MOSFET 失效可分为外部应力损伤、电路设计缺陷、制造工艺缺陷三大类，具体表现如下：1. 外部应力损伤（1）静电放电（ESD）击穿· 成因· MOSFET 栅源极（G-S）间
2025-04-23 14:49:27
吸收电路参数之间的关系，并求解出缓冲吸收电路参数的优化区间，最后通过仿真和实验验证该方法的正确性。1. SiC-MOSFET 半桥主电路拓扑及其等效电路
双脉冲电路主电路拓扑结构（图 1）包含
2025-04-23 11:25:54
来求解。从而放弃大部分繁杂的计算工作量，极大地加快设计进程，并获得比手工计算更加合理的设计参数。4、由于变压器是置于真实电路的仿真环境中求解的，所有与变压器有关的电路和器件均能够被联合仿真，对变压器
2025-04-09 14:47:36
引言
随着电力半导体器件的发展[1-2]，已经出现了各种各样的全控型器件，最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR)、适用于中小功率场合但快速性较好的功率场效应晶体管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗
2025-03-25 13:43:17
)与电源转换技术来提高电源转换效率之外，新式功率器件在高效能转换器中所扮演的重要角色，亦不容忽视。其中，Power MOSFET 目前已广泛应用于各种电源转换器中。本文将简述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲SMT无铅工艺对电子元器件有什么要求？SMT无铅工艺对电子元器件的要求。随着环保意识的提高和电子制造行业的发展，SMT无铅工艺逐渐成为行业趋势。无铅工艺不仅
2025-03-24 09:44:09738 AD8313没有模型，在multisim上仿真不了，请提供支援,或者提供一个更新的版本也可以。
2025-03-24 06:38:01
当使用 AD8000 设计带宽为 1000M 的放大器电路时，必须使用 AD8000 的 IBIS 模型进行 SI/PI 仿真。AD8000是否有可用的IBIS型号？如果是这样，请发送给我。如果没有，是否有其他具有类似参数的芯片提供用于仿真的 IBIS 模型？
2025-03-24 06:08:40
月 18 日 —— NVIDIA 今日发布具有推理功能的开源 Llama Nemotron 模型系列，旨在为开发者和企业提供业务就绪型基础，助力构建能够独立工作或以团队形式完成复杂任务的高级 AI 智能体。
2025-03-19 09:31:53352 
18 日 ——NVIDIA 今日宣布推出一系列全新技术，助力人形机器人开发。其中包括全球首个开源且完全可定制的基础模型 NVIDIA Isaac GR00T N1，该模型可赋能通用人形机
2025-03-19 09:30:30633 
凭借专业、优质、安全的训练数据服务，数据堂已助力全球百余大模型开发项目突破数据瓶颈。数据堂愿与各行业企业携手共进，助力企业快速搭建垂域大模型，释放AI在各行业的巨大潜能。
2025-03-17 17:24:01699 3DWeld是一款智能化的焊接工艺设计与仿真软件。在三维交互式环境下，自动识别焊接特征，基于焊接工艺知识库，快速定义焊接工序内容，形成结构化的焊接工艺信息，辅助焊接工艺仿真模拟，并可通过可视化的方式
2025-03-13 17:10:441047 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本文档首先介绍该模型，然后提供将
2025-03-11 17:43:112142 
DOH：DirectonHeatsink,热沉。DOH工艺提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解决孔洞和裂纹问题提升产品良率及使用寿命。金属基板
2025-03-09 09:31:372315 
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，字节跳动旗下扣子AI工坊硬件专场活动深圳现场，全球领先的物联网解决方案商机智云发布重要平台升级，正式推出行业首个标配DeepSeek和豆包大模型的AIoT开发平台，深度融合火山引擎云原生架构
2025-03-04 10:29:391413 开发了 发光-探测双功能物理模型 ，同时提出并设计了具有非对称多量子阱结构的AlGaN基发光-探测双功能集成光电子器件：在发射区中采用极化自屏蔽的有源区结构，在探测区中采用常规有源区结构。 图1展示了LED与PD原位集成光电子器件结构
2025-03-03 11:45:22713 
大模型热潮的持续高涨，让各类Agent应用开发需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998 
启明智显借助豆包、Deepseek、OpenAI等全球先进AI大模型，助力传统产品实现AI智能升级
2025-02-24 16:12:201452 
DeepSeek 模型的部署与测试，开启这场充满挑战与惊喜的技术探索之旅。
RK3588 开发板：AI 性能担当
RK3588 开发板基于先进的 8nm LP 制程工艺精心打造，其硬件配置堪称豪华，在 AI
2025-02-14 17:42:04
电子发烧友网站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》资料免费下载
2025-02-13 17:21:18
2 电子发烧友网站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密电热模型.pdf》资料免费下载
2025-02-12 15:15:332 近日，阿里巴巴的开源Qwen2.5模型在AI领域再次展现其强大实力，为斯坦福大学与伯克利大学的研究人员提供了低成本的AI训练解决方案。借助这一技术，两所知名学府的研究团队成功开发出价格低于50美元
2025-02-12 13:42:071318 阿里巴巴的开源Qwen2.5模型近期在AI领域引发了广泛关注。这一大模型的推出，为斯坦福大学与伯克利大学的研究人员提供了强大的技术支持，使他们能够成功开发出低成本的AI推理模型。 据悉，斯坦福大学
2025-02-12 09:19:431028 杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势
2025-02-11 22:27:58829 
AI开发平台极大地简化了AI应用的开发流程，从环境搭建、模型训练到部署集成，每一步都提供了丰富的工具和资源。那么，AI开发平台模型怎么用呢？下面，AI部落小编带您了解。
2025-02-11 09:53:05671 碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745 
Ludovic是一款同向啮合双螺杆挤出全工艺仿真软件，分析材料在挤出工艺中的演变以及优化工艺。通过仿真，Ludovic可在短时间内计算出材料在双螺杆挤出机中演变，缩短实验时间。软件提供多种计算结果
2025-02-08 16:31:251206 
碳化硅革新电力电子，以下是关于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍，结合其技术原理、关键步骤与应用价值，助力电力电子领域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
MOSFET（U-MOSFET）作为新一代功率器件，近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特性、制造工艺、应用及其技术挑战。
2025-02-02 13:49:001995 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）都是重要的半导体功率器件，它们在电子电路中发挥着关键作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介绍：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 解释完带宽这一概念，我们来考虑如何才能通过仿真准确的预测信号完整性。 信号带宽的确定、器件模型的获取 当我们确定了要分析的信号的信息（包含速率、接口电平、上升时间等等）、以及驱动器和接收器型号之后
2025-01-22 11:51:072573 
大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用
2025-01-21 11:03:572635 
突破520人。5天的课程精心设计，干货满满，带领老师从大模型基础到大模型的部署、训练、微调，实战体验虚拟仿真平台在AI大模型实验教学中的应用，为老师们带来了全新的大
2025-01-20 11:34:101637 
EasyGo针对加速电机控制器开发的需求，提供了硬件在环测试平台一站式解决方案。该方案运用前沿仿真架构，目前具备种类最为齐全、覆盖最为全面的电机模型、编码器的实时仿真，以及非线性变参处理能力，既能
2025-01-16 18:10:001087 
BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32:042 今天学习<基于大模型的RAG应用开发与优化>这本书。大模型微调是深度学习领域中的一项关键技术，它指的是在已经预训练好的大型深度学习模型基础上，使用新的、特定任务相关的数据
2025-01-14 16:51:12
MOSFET的核心亮点在于采用了瑞萨电子创新的晶圆制造工艺——REXFET-1。这项技术有效降低了MOSFET的导通电阻(Rdson)高达30%，从而显著减少了功率损耗，为
2025-01-13 11:41:38957 
问下，ADS5474器件页面工具和软件怎么是ADS5463的IBIS模型，意思是不是它和ADS5463的IBIS模型一样？
2025-01-13 06:51:59
AMD Versal 自适应 SoC 器件上 DDR4 硬核控制器 DDRMC 跑仿真时，按照 IP 的默认设置，在 IP wizard 中使能了“Internal Responder”，就可以
2025-01-10 13:33:341481 
经数百万小时的驾驶和机器人视频数据训练的先进模型，可用于普及物理 AI 开发，并以开放模型许可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435 NVIDIA 今日发布能在 NVIDIA RTX AI PC 本地运行的基础模型，为数字人、内容创作、生产力和开发提供强大助力。
2025-01-08 11:01:52971 当前，大模型技术正在重新定义软件工程。一方面，大模型降低了软件开发门槛。在过去，软件开发者被划分为全民开发者、应用开发者和专业开发者，随着大模型技术的介入，软件开发变得触手可及，一些简单的应用甚至能
2025-01-06 14:52:271374 、新工艺、新器件的不断发展，现有的模型已经不能够完全精确地表征新器件的特性。从底层物理调整或者开发一个新的器件模型需要反复实验摸索，需要很长时间，况且对一些新材料、新器件的特性效应也没有完善准确的特性方程描述，出现了理
2025-01-06 13:41:211793 
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