三款新品驱动工业新效能！采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管
三款新品驱动工业新效能！采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管
产品介绍
合科泰新推出三款新品，均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二极管型号为MBRD20150CT。MOSFET产品采用沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有较低的导通电阻、较低的栅极电荷和宽温的特性，可明显地降低导通以及开关损耗，这让MOSFET具备了很高的电流承载能力。非常适用在适配器、逆变器、电机驱动、BMS、LED电源、电动工具等应用。
关于MOSFET：HKTD80N03A和3080K的产品特点
两款MOS管都是N沟道MOSFET，TO-252封装，采用高密度单元设计。漏源极电压最高30V，持续电流最大80A。两款产品都有较低的导通电阻，具有优秀的开关特性。雪崩电压和电流经过全面表征，具有较好的抗电路冲击能力。
关于肖特基二极管：MBRD20150CT
这款肖特基二极管采用金属硅整流工艺，具有较低的正向电压，较高的反向耐压。同时效率高，具备过电压保护功能。本款产品针对整流和电压保护的需要，优化了正向电压能力及过压保护能力，以此提升应用可靠性。更多产品请详见官网
典型应用
推荐方向适配器，逆变器，电机驱动，BMS，LED电源，电动工具
审核编辑 黄宇
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