中国28nm和14nm芯片进步神速，未来5nm仍是挑战

中国最大的芯片代工厂中芯国际 (SMIC) 是中国走向未来的前沿和中心，自去年以来，它一直在加大关键 28 nm芯片的生产。今年实现 28nm 规模对于中国国内半导体生态系统发展的长期过程，并且减少将生产外包给中国大陆以外地区的代工厂，尤其是台积电的需求具有重要意义。

明年，同样重要的是，14nm 芯片也将大幅增加。在没有匹配的本土替代品的情况下，中芯国际使用由应用材料、LAM 和东京电子，以及ASML DUV（深紫外）光刻机，并将在可预见的未来继续这样做。

摆脱对美国的依赖

然而，一台国产的 28 nm深紫外光刻机计划在今年年底前从上海微电子设备厂（SMEE）生产出来，并在上海专有的生产线上为物联网设备制造 48 nm和 28 nm芯片。

在 3 月份的上海 SEMICON上，该公司展示了一款工作在 90nm 的扫描仪。管理层最近报告说，提高 48nm 和 28nm 的良率仍然是一个挑战，但 SMEE 技术现在拥有基本的本土 UV 能力，无需美国 IP 来制造芯片。现在评估 SMEE 可能会改变游戏规则的程度，以及到 2025 年 SMEE 和其他中国DUV 机器可能在低至 5nm 的情况下运行的规模还为时过早。但 SMEE 在一个极其困难的技术领域取得的进展已经出人意料。

N+1制程工艺技术

与此同时，3月下旬，中芯国际再次与ASML签订了今年购买价值超过10亿美元的DUV光刻机合同。与其他中国代工厂一样，中芯国际一直在转向全球二手市场的光刻机和其他生产设备，如蚀刻机、气相沉积和晶圆检测组件。

ASML 仍然屈服于美国对 EUV 机器的压力，这样的光刻机可以使中芯国际能够像台积电一样向 7nm 和更先进制程方向发展。不过，欧盟内部有迹象表明，ASML 与欧盟委员会以及英飞凌和意法半导体等领先的欧盟公司一样，正在对美国干涉其事务进行控制。毕竟，到 2030 年，预计中国将至少占全球芯片制造产能的 40%。

明年，中芯国际将增加 14nm 芯片，并在 2023 年增加 7nm 芯片。它已经进入另一种芯片的小批量生产，这些芯片介于 14nm 和 7nm 之间，采用N+1 工艺技术。在深圳、北京和上海等政府的财政支持下，该公司正在进行价值 120 亿美元的产能扩张项目。重点将放在提高 28 nm产量上，同时也适当关注 14 nm及其 7 nm版本——后者可能会在 2024年实现量产。

通过满足中国不断增长的设计自己芯片的无晶圆厂公司不断增长的需求，中芯国际和其他六家中国代工厂很可能能够制造中国到 2025 年所需的大部分芯片。

fqj