企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

STF8NM60ND-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF8NM60ND-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介 - STF8NM60ND-VB**

STF8NM60ND-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)耐压能力。该产品采用平面(Plannar)技术,专为高效率、高功率密度的应用设计。凭借其较低的导通电阻(RDS(ON))和较高的漏极电流(ID)能力,STF8NM60ND-VB 在许多电力电子领域表现出色,适用于电源管理、开关电源、电动机控制和其他高效电力转换系统。

### 2. **详细参数说明**

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极 N 型 MOSFET  
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V  
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V  
- **门槛电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流(ID)**:12A  
- **技术类型**:Plannar 技术(平面技术)  
- **最大功率耗散**:最大功率耗散能力依赖于实际工作环境和散热条件,具体值可参考产品手册中的数据。  
- **应用温度范围**:通常为 -55°C 至 150°C,适应广泛的工业和汽车应用。

### 3. **应用领域与模块举例**

- **开关电源(SMPS)**:STF8NM60ND-VB 在开关电源(SMPS)中广泛应用。由于其高达650V的耐压能力和相对较低的导通电阻(680mΩ),该MOSFET可以高效地开关高电压直流电源,减少功率损耗并提高系统整体效率。它适用于AC-DC、DC-DC转换器及其他电源管理模块。

- **电动机控制系统**:在电动机驱动和控制应用中,STF8NM60ND-VB 作为开关元件能够在高压环境下高效地驱动直流电动机和交流电动机。其高漏极电流能力(12A)使其能够在大功率电动机应用中提供稳定的控制,尤其适用于家电、工业设备和电动工具等领域。

- **太阳能逆变器**:该MOSFET也适用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或工业使用。650V的耐压能力使其能够适应高电压的直流输入,同时提供高效的能量转换。

- **工业功率控制**:STF8NM60ND-VB 的平面技术使其在工业控制系统中表现优异,尤其在高频和高电压应用中提供低导通电阻,优化了能效。它适合用于工业电源、焊接机、电力传输设备等领域。

- **汽车电力系统**:在汽车电力系统中,STF8NM60ND-VB 可以用于电池管理、驱动控制和电动汽车(EV)的电源转换模块。650V 的耐压和12A 的电流能力,使其在电动车电池与电动机之间提供稳定和高效的电力转换。

- **电力因数校正(PFC)电路**:STF8NM60ND-VB 适用于电力因数校正(PFC)电路,尤其是在要求高效率和高电压容忍的应用场景下。通过降低RDS(ON),它能减少电能损耗,提高电力因数,提升整个电力系统的稳定性与效率。

综上所述,STF8NM60ND-VB MOSFET 适用于各种需要高电压和高效率的电力电子设备,特别是在开关电源、电动机控制、太阳能逆变器、电力因数校正和工业电力管理等领域中,能够大幅提高系统的性能和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    151浏览量