0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

芯动科技独家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP

芯动科技Innosilicon 来源:芯动科技Innosilicon 2025-07-08 14:41 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

面对近来全球大厂陆续停产LPDDR4/4X以及DDR4内存颗粒所带来的巨大供应短缺,芯动科技凭借行业首屈一指的内存接口开发能力,服务客户痛点,率先在全球多个主流28nm和22nm工艺节点上,系统布局了LPDDR5/5X/4/4X Combo IP和DDR5/4 Combo IP两大全兼容升级解决方案,有效助力广大客户新产品应对供应链升级挑战。

作为行业成熟工艺制程,国内外主流28nm/22nm工艺承载了大量物联网终端、汽车电子嵌入式消费电子等领域的规模出货,芯动科技此举精准契合行业对成熟工艺高性能内存换代的迫切需求。该方案通过创新架构设计,实现高兼容性与高带宽性能的有机统一,不仅支持LPDDR5/5X/4X/4以及DDR5/4多代协议无缝切换,更展现了芯动科技在高速DDR PHY和控制器领域的技术领先优势。早在四年前,芯动科技作为全球DDR技术的领导者,已在12nm实现全球独家LP5/5X/4/4X系列高达10Gbps超频性能的IP规模量产, 28nm上更给客户定制过GDDR6的解决方案,创新积累深厚。芯动科技同步推出28nm/22nm LP5/4/4X和DDR5/DDR4 Combo IP方案,通过跨供应链、跨工艺节点的技术协同,适配不同性能与成本需求的内存颗粒应用场景,覆盖国内外主流28nm/22nm工艺。

凭借19年超百亿颗出货的跨工艺标准化交付体系、全流程量产测试支持及定制化能力,芯动科技在28nm/22nm工艺端为客户提供一站式高速接口解决方案,覆盖各种高速LP5/DDR5、GDDR6、PCIe4.0/3.0以及各种25G/28G SerDes等高难度产品,助力客户实现跨工艺平滑技术迁移,保证供应链连续性,赋能IOTAI、多媒体、汽车电子等应用场景。面对28nm/22nm成熟工艺兼容LPDDR5/4与DDR5/4技术的行业性挑战,芯动科技能率先独家完成布局,不仅展现出芯动科技行业领先的技术实力,更彰显了以硬核原创技术创新服务客户痛点、赋能产业的担当。

针对12nm-3nm FinFET 工艺制程,芯动科技即将在Q3发布先进工艺的LP5X/LP6 Combo IP方案,低成本提供超大带宽,以更高传输速率赋能HPC、8K影像等高性能场景给客户差异化竞争力和颗粒兼容性。通过构建“成熟工艺升级供应、先进工艺开拓性能”的双轨产品矩阵,芯动科技持续给全球行业客户提供有竞争力的差异化选择。

作为全球一站式高性能IP和芯片定制提供商,芯动深耕高速接口IP十七年,拥有经验丰富的研发团队,是业界极富口碑的IP和高端芯片定制服务老牌厂商。凭借对研发的持续投入,对创新的不断追求和底层技术的长期积淀,芯动在高速接口IP领域市场份额遥遥领先,创新成果有目共睹,先后推出了HBM3(8.4Gbps)/2E、UCIe Chiplet、GDDR6X(24Gbps)/6、LPDDR5X(10Gbps)/5等国际前沿产品,具有高性能、全覆盖、高可靠等显著优势,多项性能指标全球领先。基于数百次流片记录和数十亿颗成功量产经验,芯动还形成了涵盖体系架构、总线/内核拼接、IP集成/SoC集成的全套芯片定制量产服务,以IP全栈能力和芯片定制全流程服务,助力客户最终产品提升竞争力,赋能全球数百家知名客户成就非凡,深受上下游合作伙伴认可和信赖。

芯动科技(Innosilicon)是一站式IP和GPU领军企业,在计算、存储、连接三大赛道具备核心竞争力,拥有全套高速接口IP,以及先进工艺SoC体系架构和GPU内核创新能力,提供跨全球各大工艺厂(台积电/三星/中芯国际/格芯/联华电子/英特尔/华力)从55纳米到3纳米全套高速IP核以及定制芯片解决方案。公司成立于2006年,已赋能全球数百家知名客户,授权逾100亿颗高端SoC芯片进入规模量产,拥有100%成功率以及过十亿颗FinFET定制芯片成功量产的骄人业绩。在北京、武汉、珠海、苏州、西安、上海、深圳、大连、成都等地均有研发中心,拥有完备的研发和质量管理体系,一站式提供从规格到量产的全套解决方案。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IP
    IP
    +关注

    关注

    5

    文章

    1849

    浏览量

    154925
  • LPDDR
    +关注

    关注

    0

    文章

    46

    浏览量

    6764
  • 芯动科技
    +关注

    关注

    2

    文章

    102

    浏览量

    10599

原文标题:芯动科技独家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP,为客户供应链安全保驾护航

文章出处:【微信号:Innosilicon,微信公众号:芯动科技Innosilicon】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    高云半导体22nm FPGA产品家族亮相ICCAD-Expo 2025

    2025年11月20日, 国内领先的FPGA芯片供应商广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)隆重出席2025集成电路发展论坛(成渝)暨第31届集成电路设计业展览会(ICCAD 2025)。展会期间,高云半导体全面展示了其布局完善的22nm全系列FPGA产品及解决方案。
    的头像 发表于 11-27 11:10 662次阅读
    高云半导体<b class='flag-5'>22nm</b> FPGA产品家族亮相ICCAD-Expo 2025

    存储方案切换!LPDDR5/5X成需求炸弹

    都发布了相关切换举措。   瑞微 RK3588 适配长鑫存储 LPDDR5 系列芯片   由于DDR4LPDDR4 等前代产品的供应链紧张态势难以缓解,瑞
    的头像 发表于 11-23 07:44 8879次阅读
    存储方案切换!<b class='flag-5'>LPDDR5</b>/<b class='flag-5'>5</b>X成需求炸弹

    今日看点:长鑫存储官宣发布LPDDR5X,苹果自研 5G 芯片 C2 曝光

      长鑫存储官宣发布LPDDR5X 据长鑫存储官方网站信息更新,长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品,最高速率达到10667Mbps。据官网产品信息介绍,“LPDDR5/
    发表于 10-30 09:53 835次阅读

    DDR5 设计指南(一):DDR5 VS LPDDR5

    “  本文将详细介绍 DDR5LPDDR5 的技术细节以及 Layout 的规范要求。然后比较 CAMM2 模组与 SODIMM 的差别。  ”    本文将介绍什么是 DDR5,DDR5
    的头像 发表于 10-27 19:28 6016次阅读
    DDR<b class='flag-5'>5</b> 设计指南(一):DDR<b class='flag-5'>5</b> VS <b class='flag-5'>LPDDR5</b>

    自主可控:度亘核成功推出全国产化830nm单模光纤耦合模块

    度亘核基于自主开发的高功率、高效率、高可靠性的980nm单基横模半导体激光芯片与单模光纤耦合模块技术平台,成功推出全国产化830nm单模半导体激光芯片与830
    的头像 发表于 08-26 13:08 1171次阅读
    自主可控:度亘核<b class='flag-5'>芯</b>成功<b class='flag-5'>推出</b>全国产化830<b class='flag-5'>nm</b>单模光纤耦合模块

    科技全套IP通过ISO 26262汽车功能安全最高等级认证

    在智驾/舱驾一体芯片快速迭代的当下,科技LPDDR5X、MIPI C/D combo PHY、USB3.2/2.0、UCIe Chiplet等全套车规级IP产品通过国际权威机构SG
    的头像 发表于 08-03 20:21 1966次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>动</b>科技全套<b class='flag-5'>IP</b>通过ISO 26262汽车功能安全最高等级认证

    创飞130nm EEPROM IP通过客户产品级考核

    国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发,为客户定制开发的EEPROM IP,已顺利通过客户全流程的P
    的头像 发表于 06-12 17:42 970次阅读

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    较为激进的技术路线,以挽回局面。 4 月 18 日消息,据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率,这高于
    发表于 04-18 10:52

    【新品发布】紫光同创最全FPGA开发板资料发布!参与互动教材免费送!

    经常会有同行问:国产100K逻辑规模的器件是否已经成熟和稳定?当然,可以很负责任地说,目前几家国产FPGA原厂都有28nm工艺节点(或同级别的22nm)器件,并且也已经在市场中大规模的使用,紫光同创
    的头像 发表于 04-14 09:53 1130次阅读
    【新品发布】紫光同创最全FPGA开发板资料发布!参与互动教材免费送!

    半导体推出DDR3/4LPDDR3/4 Combo IP

    半导体(上海)股份有限公司(灿股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4,
    的头像 发表于 03-21 16:20 905次阅读

    LPDDR5X:面向高性能与能效的增强型移动内存

    LPDDR5X:面向高性能与能效的增强型移动内存 概述 LPDDR5X(低功耗双倍数据速率5X)是LPDDR5 DRAM的升级版本,专为移动设备优化设计。该标准由JEDEC于2021年
    的头像 发表于 03-17 10:16 7966次阅读

    LPDDR5X速率刷新记录,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM来了

    电子发烧友网综合报道,在国际固态电路会议(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5规范,将数据传输速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。   三星称其为LPDDR5
    发表于 02-28 00:07 5719次阅读

    [2025全网首发] 瑞微RK3566开发资料大揭秘!

    多核协同调度:四核A55支持Linux/Android系统级任务并行处理 高效能功耗比:22nm工艺下典型功耗&lt;2W(@1.5GHz负载) ✅ 多媒体处理 4K60fps解码
    发表于 02-26 12:17

    创飞90nm BCD工艺OTP IP模块规模量产

    一站式 NVM 存储 IP 供应商创飞(CFX)今日宣布,其反熔丝一次性可编程(OTP)技术继 2021年在国内第一家代工厂实现量产后,2024 年在国内多家代工厂关于 90nm BCD 工艺上也
    的头像 发表于 01-20 17:27 1539次阅读

    Banana Pi 携手 ArmSoM 推出人工智能加速 RK3576 CM5 计算模块

    该 SOM 配备 INT8 精度的 6 TOPS NPU、八个处理器核心和一个专用 GPU,旨在为 CM4 用户提供更高的性能。 []() Banana Pi 和 ArmSoM 宣布推出“CM5
    发表于 12-11 18:38