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电子发烧友网>今日头条>什么是功率半导体器件,功率半导体器件的功能是什么

什么是功率半导体器件,功率半导体器件的功能是什么

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2025-04-09 18:02:041275

功率半导体国产化先锋:长晶科技的创新与崛起

场浪潮中,长晶科技凭借其在功率半导体领域的技术突破与全产业链布局,成为国产化进程中的标杆企业。 技术创新:突破高端功率器件壁垒 长晶科技聚焦功率半导体核心器件,在MOSFET和IGBT两大领域取得显著成果。在消费电子领域
2025-04-09 17:25:321180

功率半导体与集成技术:开启能源与智能新纪元

本文深入探讨了功率半导体器件功率集成技术的发展现状,分析了其面临的挑战与机遇,并对未来发展趋势进行了展望。功率半导体器件作为电能转换与电路控制的核心,在新能源、工业控制、消费电子等领域发挥
2025-04-09 13:35:401445

先进碳化硅功率半导体封装:技术突破与行业变革

本文聚焦于先进碳化硅(SiC)功率半导体封装技术,阐述其基本概念、关键技术、面临挑战及未来发展趋势。碳化硅功率半导体凭借低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在移动应用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:谁才是功率半导体之王?

半导体技术的不断演进中,功率半导体器件作为电力电子系统的核心组件,其性能与成本直接影响着整个系统的效率与可靠性。碳化硅(SiC)功率模块与硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块作为当前市场上
2025-04-02 10:59:415532

东芝功率半导体后道生产新厂房竣工

东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上,并将于2025财年上半年开始全面生产。
2025-03-13 18:08:161279

GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案

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2025-03-13 18:06:0046942

全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起:从技术受制到全球引领的历程与未来趋势 当前功率器件正在经历从传统的硅基功率器件持续跃升到SiC碳化硅材料功率半导体的历史变革: 倾佳电子杨茜致力于推动国产
2025-03-13 00:27:37767

AEC-Q102:汽车电子分立光电半导体器件的测试标准

AEC-Q102是汽车电子领域针对分立光电半导体器件的应力测试标准,由汽车电子委员会(AEC)制定。该标准于2017年3月首次发布,随后在2020年4月更新为AEC-Q102REVA版本,成为目前
2025-03-07 15:35:151610

2025年功率半导体的五大发展趋势

2025 功率半导体的五大发展趋势:功率半导体在AI数据中心应用的增长,SiC在非汽车领域应用的增长,GaN导入到快速充电器之外的应用领域, 中国功率半导体生态系统的壮大以及晶圆尺寸的显著升级。
2025-03-04 09:33:412258

华大半导体与湖南大学成功举办SiC功率半导体技术研讨会

近日,华大半导体与湖南大学在上海举办SiC功率半导体技术研讨会,共同探讨SiC功率半导体在设计、制造、材料等领域的最新进展及挑战。
2025-02-28 17:33:531172

纳微半导体将于下月发布全新功率转换技术

GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布于下月发布全新的功率转换技术,将触发多个行业领域的颠覆性变革。该创新涵盖半导体与系统级解决方案,预计将显著提升能效与功率密度,加速氮化镓和碳化硅技术对传统硅基器件的替代进程。
2025-02-21 16:41:10867

走进半导体塑封世界:探索工艺奥秘

半导体塑封工艺是半导体产业中不可或缺的一环,它通过将芯片、焊线、框架等封装在塑料外壳中,实现对半导体器件的保护、固定、连接和散热等功能。随着半导体技术的不断发展,塑封工艺也在不断演进,以适应更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半导体器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565

第三代半导体器件封装:挑战与机遇并存

一、引言随着科技的不断发展,功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性,逐渐
2025-02-15 11:15:301611

功率半导体展 聚焦 APSME 2025,共探功率半导体发展新征程

2025 亚洲国际功率半导体、材料及装备技术展览会将于2025年11月20-22日在广州保利世贸博览馆举办;展会将汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场,打造功率半导体全产业链创新展示、一站式采购及技术交流平台,集中展示半导体器件功率模块、第三代半导体、材料、封装技术、测试技术、生产设备、散热管理等热门产品
2025-02-13 11:49:01742

中国成功在太空验证第三代半导体材料功率器件

近日,中国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,这一突破性进展标志着第三代半导体材料有望牵引中国航天电源系统升级换代,为中国航天事业以及相关制造业的转型升级注入强大动力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341

半导体常用器件

半导体常用器件的介绍
2025-02-07 15:27:210

湿度大揭秘!如何影响功率半导体器件芯片焊料热阻?

近年来,随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在风力发电、光伏发电、电动汽车等户外工况中的应用日益广泛。然而,这些户外环境往往伴随着较高的湿度,这对功率半导体器件的运行可靠性构成了严峻挑战
2025-02-07 11:32:251527

意法半导体新能源功率器件解决方案

在《意法半导体新能源功率解决方案:从产品到应用,一文读懂(上篇)》文章中,我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件,让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来,本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。
2025-02-07 10:38:501640

功率半导体的成长之路

在日常生活中,我们对手机、电脑、电视等电子设备习以为常,享受着它们带来的便利与娱乐。但你是否想过,这些设备正常运行的背后,是什么在默默发挥关键作用?答案就是功率半导体器件。虽然它不像处理器、显示屏那样被大众熟知,却如同电子设备的 “心脏”,掌控着电能的转换与电路的控制 ,是电子设备稳定运行的核心。
2025-02-06 15:28:241369

功率器件热设计基础知识

功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识,不仅有助于提高功率器件的利用率和系统可靠性,还能有效降低系统成本。本文将从热设计的基本概念、散热形式、热阻与导热系数、功率模块的结构和热阻分析等方面,对功率器件热设计基础知识进行详细讲解。
2025-02-03 14:17:001354

使用 SiC 功率半导体提升高性能开关转换器的效率

作者: Jens Wallmann 尽管硅 (Si) 器件相对成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低产品成本并提高效率。然而,有些设计人员可能仍然认为 SiC 半导体相当昂贵且难以控制
2025-01-26 22:10:001253

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体

电子发烧友网站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:50:270

碳化硅在半导体中的作用

电导率、高热导率、高抗辐射能力、高击穿电场和高饱和电子漂移速度等物理特性。这些特性使得碳化硅能够承受高温、高压、高频等苛刻环境,同时保持较高的电学性能。 二、碳化硅在半导体器件中的应用 功率器件 : 碳化硅功率器件
2025-01-23 17:09:352664

TOLL封装功率器件的优势

随着半导体功率器件的使用环境和性能要求越来越高,器件散热能力要求也随之提高。器件散热问题导致的失效占了总失效的一半以上,而通过封装技术升级,是提高器件散热能力的有效途径之一。
2025-01-23 11:13:441955

功率半导体器件的双脉冲测试方案

我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件,这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了许多在普通5V或12V系统中不会出现的挑战。
2025-01-22 17:30:263078

功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

瑶华半导体:引领大功率射频封测技术,助力5G与能源应用

无线通信的有效传输。作为大功率射频功放器件封测的领先企业, 瑶华半导体 凭借强大的技术实力与创新能力,已在行业中获得广泛认可,成为通信与能源应用领域的重要合作伙伴。 01 关于瑶华半导体 瑶华半导体专注于LDMOS、GaN等大功率射频空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813

功率器件热设计基础(十二)——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

炬光科技发布LCS系列高功率半导体激光器

近日,全球领先的高功率半导体激光元器件及原材料、激光光学元器件、光子技术应用解决方案供应商炬光科技,正式发布了LCS系列980/1470nm高功率低热阻低Smile传导冷却半导体激光器。 这款LCS
2025-01-09 17:07:531225

银烧结技术助力功率半导体器件迈向高效率时代

随着新能源汽车、5G通信、高端装备制造等领域的蓬勃发展,功率半导体器件作为其核心组件,正面临着前所未有的挑战与机遇。在这些领域中,功率半导体器件不仅需要有更高的效率和可靠性,还要满足寿命长、制造步骤
2025-01-08 13:06:132115

功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件功率端子

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481328

半导体在热测试中遇到的问题

半导体器件的实际部署中,它们会因功率耗散及周围环境温度而发热,过高的温度会削弱甚至损害器件性能。因此,热测试对于验证半导体组件的性能及评估其可靠性至关重要。然而,半导体热测试过程中常面临诸多挑战
2025-01-06 11:44:391580

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