半导体分立器件分类及应用领域

一、核心分类
基础元件
二极管:包括普通二极管(如硅/锗二极管)、稳压二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制二极管(TVS)等。
三极管:如NPN/PNP型双极型晶体管(BJT)、达林顿管等。
功率器件
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管):适用于高频开关场景。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管):结合MOSFET和BJT特性,用于高压大电流场景。
晶闸管(可控硅):包括单向/双向可控硅(SCR/Triac),用于交流调压等场景。
整流器与整流堆:如桥式整流器、高压整流堆。
特种器件及传感器
敏感器件:涵盖压力、磁敏(霍尔器件)、气敏、湿敏、离子敏感等传感器。
雪崩管、阶跃恢复管等特殊功能器件。
其他功能器件
继电器:用于电路隔离控制。
压敏电阻:过压保护器件。
二、主要应用领域
汽车电子:IGBT用于电动汽车逆变器,TVS用于电路保护。
消费电子:二极管、MOSFET应用于电源管理和信号处理。
工业与能源:晶闸管用于电机驱动,高压器件支撑光伏逆变器。
通信与网络设备:高频三极管、场效应管用于信号放大和切换。
航天与国防:特种传感器、高压器件适配极端环境需求。
三、技术参数与功能特征
关键参数:导通电阻(RDS(on))、击穿电压(BV)、漏电流(IR)、开关速度等。
功能特性:
单向导电性(二极管);
电流放大或控制功能(三极管、场效应管);
高压/高温稳定性(IGBT、高压可控硅)。
审核编辑 黄宇
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